Способ получения магнитнооптической структуры

 

Изобретение относится к электронике и может быть использовано при создании элементов магнитооптических приборов. Обеспечивает повышение воспроизводимости параметров, а также кристаллографического совершенства структуры. Способ включает жидкофазную эпитаксию висмутсодержащей феррит-гранатовой пленки на ориентированную в направлении 112 подложку из монокристалла кальций-ниобий-галлиевого граната . Используют подложку из монокристалла , выращенного в направлении 112. I з. п. ф-лы, 1 табл.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„„SU„„1675409 (51)5 С 30 В 19/00 29/28

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АBTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4736608/26 (22) 11.09.89 (46) 07.09.91. Бюл. № 33 (71) Симферопольский государственный университет им. М. В. Фрунзе (72) И. В. Островский, Н. А. Еськов, Н. В. Пронина и Н. А. Грошенко (53) 62! .315.592(088.8) (56) Еськов Н. А. и др. Эпитаксиальные пленки феррит-гранатов на подложках

Cai(NbGa) sOi . — Письма в ЖТФ, 1989, т. 15, вып. 2, с. 27 — 30.

Изобретение относится к электронике и может быть использовано при создании элементов магнитооптических приборов.

Целью изобретения является повышение воспроизводимости параметров структуры, а также повышение ее кристаллографического совершенства.

Пример 1. Монокристаллическую булю кальций-ниобий-галлиевого граната КНГГ состава CaaNbi,gg75Gaa,l875O0,125O12 выращивают из расплава на ориентированную в направлении (111) затравку того же состава.

Интервалы скоростей вращения, позволяющих поддерживать максимально плоский фронт кристаллизации, определяют экспериментально в зависимости от конструкции теплового узла и ограничивают 10 — 50 об/мин.

Скорость вытягивания составляет 3 — 4 мм/ч.

Подложки вырезают параллельно грани (112), предварительно сориентировав кристалл.

Обработку подложек осуществляют с финишной химико-механической полировкой до 14 — 15 класса. (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАГНИТООПТИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ (57) Изобретение относится к электронике и может быть использовано при создании элементов магнитооптических приборов.

Обеспечивает повышение воспроизводи мости параметров, а также кристаллографического совершенства структуры. Способ включает жидкофазную эпитаксию висмутсодержа щей феррит-гранатовой пленки на ориентированную в направлении (112) подложку из монокристалла кальций-ниобий-галлиевого граната. Используют подложку из монокристалла, выращенного в направлении (112).

1 з. п. ф-лы, 1 табл.

Кристаллизацию эпитаксиальной пленки висмутсодержащего феррит-.граната проводят по известной методике путем вертикального погружения подложки в переохлажденный раствор-расплав, содержащии РЬΠ— В Оз — В) Оз — У Оз — 1изОз

Fe2O3 — Ga O3. Проведено последовательное выращивание серии из четырех эпитаксиальных пленок на подложках КНГГ (112).

Контроль однородности полученных пленок, их кристаллографического совершенства, осуществляют путем наблюдения их поверхности и подсчета светящихся точек в темном поле микроскопа. Воспроизводи мость физико-технических параметров исследуют путем измерения величины удельного фарадеевского вращения.

Результаты исследования свойств полученных магнитооптических структур в сравне нии с известными приведены в таблице.

Пример 2. Монокристаллическую булю

КНГГ состава, указанного в примере 1, выращивают на ориентированную в направлении (112) монокристаллическую затравку

1675409

Формула изоб ретекия

Образец

1 1 I

Известный способ () 1 ) 2

5 6 7

Ориентация монокристаллической були

Ориентация подложки

Температура роста, С

Время роста, мин

Удельное фарадеевское вращение, град мкм

Количество све111 112

112 112 112

111 111 !!г !!г

111 1 11 11 1

1 10 1 10 10

683 681 684

1 12 112 1 12 112 1 12

675 673 670 669 669 670 670

681

34 3 з з

3 з 3

4 5

1э7 1з8 1>75 гэО 1>9 гтО 210 2 3

1,7 1,5 2,1 тящихся точек на

1 см

5 7 8 3

2 2 2

Не измерялось

Составитель Е. Лебедева

Редактор Н. Рогулич Техред А. Кравчук Корректор М. Самборская

Заказ 2980 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат «Патент», г. Ужгород, ул. Гагарина, 101 того же состава. Режимы выращивания такие же, как и в примере 1. Из 1000 г шихты выращена буля диаметром 35 мм и массой 700 г. Около 90Я фронта кристаллизации занимает плоская грань (112). Подложки вырезают параллельно этой грани без проведения предварительной рентгеновской ориентации. Рентгеновский контроль показал, что ориентация подложек в пределах измерений была (112). Обработку подложек и наращивание эпитаксиальных пленок проводят так же, как указано в примере 1.

Результаты исследования полученных магнитооптических структур приведены в таблице.

Как видно из таблицы, предлагаемый способ позволяет получать магнитооптические структуры с высокой кристаллографичЕской однородностью и воспроизводимостью физико-технических параметров. КристаллОграфическое совершенство, в свою очередь, обеспечивает высокое качество получаемых структур. Кроме того, предлагаемый пособ позволяет исключить трудоемкую операцию рентгеновской ориентации були при изготовлении подложек.

Направление (112) определяет морфологически устойчивую грань соединения структуры граната, устойчивую к травящему действию висмутсодержащего раствора-расплава. На этой поверхности реализуется тангенциальиый послойный механизм роста, обеспечивающий высокую однородность пленки и воспроизводимость физико-технических параметров.

При выращивании подложечного монокристалла в указанном направлении подложка, вырезанная параллельно поверхности (112), являющейся плоской межфазной границей були, не содержит концентрационно напряженных областей неоднородного состава, что обеспечивает высокое качество эпитаксиальной пленки и всей магнитооптической структуры.

1. Способ получения магнитооптической структуры, включающий жидкофазную эпитаксию висмутсодержа щей феррит-гранатовой пленки на ориентированную подложку из монокристалла кальций-ниобийгалл иевого граната, отли чающий ся тем, что, с целью повышения воспроизводимости параметров структуры, используют подложку, ориентированную в направлении (112).

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью повышения кристаллографического совершенства структуры, используют подложку из монокристалла, выращенного в направлении (112).