Способ термообработки люминофора на основе оксисульфида иттрия
Изобретение относится к технологии люминофоров, а именно к способу термообработки люминофора на основе оксисульфида иттрия, используемого в производстве светодиодных индикаторов. Цель изобретения - повышениетермической стойкости оксисульфида иттрия , активированного эрбием и иттербием, к отжигу в вакууме. Порошок антистоксового люминофора, активированного эрбием и иттербием, помещают в графитовую кассету, затем в кварцевую ампулу, которую вакуумируют до остаточного давления 10 - 1 10 мм рт.ст. Прокаливание ампулы с люминофором ведут при 800-900°С в течение 1-2 ч. Термическая стойкость полученных таким образом люминофоров к отжигу в вакууме
союз сОВетских
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (51)5 С 09 К 11/84
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Вот "00 %
Висх
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4708011/26 (22) 20.06.89 . (46) 23.09.91. Бюл. ¹ 35 (72) О,Я.Манаширов, Ш.Ж.Рабданов
Г.С.Фукс и Е,В,Олексив (53) 621,3.032.35:546.21 221 (56) Патент США ¹ 3541022, кл. 252 — 301,4, 1970, Патент Франции ¹ 1566758, кл. С 09 К 11/475, 1969. (54) СПОСОБ ТЕРМООБРАБОТКИ ЛЮМИ»
НОФОРА НА ОСНОВЕ ОКСИСУЛЬФИДА
ИТТРИЯ (57) Изобретение относится к технологии люминофоров, а именно к способу термообработки люминофора на основе оксисульИзобретение относится к технологии люминофоров, а именно к способу термообработки люминофора на основе оксисульфида иттрия, используемого в производстве светодиодных индикаторов, Целью изобретения является повышение термической стойкости оксисульфида иттрия, активированного эрбием и иттербием, к отжигу в вакууме, Пример. 10 г порошка антистоксового люминофора на основе оксисульфида итт-. рия, активированного эрбием и иттербием, помещают в графитовую кассету и закрывают крышкой, Кассету с люминофором размещают в кварцевой ампуле и ампулу вакуумируют до остаточного давления
1 10 мм рт.ст, Затем ампулу отпаивают, помещают в печь и прокаливают при 800 С в течение 1 ч.
„„S U „„1678825 А1 фида иттрия, используемого в производстве светодиодных индикаторов. Цель изобретения — повышение термической стойкости оксисульфида иттрия, активированного эрбием и иттербием, к отжигу в вакууме.
Порошок антистоксового люминофора, активированного эрбием и иттербием, помещают в графитовую кассету, затем в кварцевую ампулу, которую вакуумируют до остаточного давления 1 10 — 1 10 мм рт.ст. Прокаливание ампулы с люминофором ведут при 800 — 900 С в течение 1-2 ч.
Термическая стойкость полученных таким образом люминофоров к отжигу в вакууме (1 — 5) 10 мм рт.ст. составляет 97 — 100%, 1 табл, Термическую стойкость люминофора к отжигу в вакууме определяли по формуле где Висх и Вот — яркость свечения исходного и отожженного люминофоров соответственно.
Термическая стойкость полученного по данному примеру люминофора к отжигу в вакууме (1 — 5) 10 мм рт.ст, при 6000С составляет 98%.
В таблице представлены данные по термической стойкости люминофоров, полученных по данному изобретению при различных режимах термообработки, в сравнении с аналогичными данными для люминофора, полученного по известному способу.
1678825
Формула изобретения
Составитель В. Божевольнов
Редактор А. Зробок Техред М,Моргентал Корректор Л. Бескид
Заказ 3182 Тираж 404 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", r Ужгород, ул.Гагарина, 101
Способ термообработки люминофора на основе оксисульфида иттрия, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью повышения термической стойкости оксисульфида иттрия, активированного эрбием и иттербием, к отжигу в вакууме, процесс проводят при
800 — 900 С в течение 1 — 2 ч в герметичной емкости при начальном вакууме 1 10 — 1x
5 х10 мм рт.ст.
