Способ определения толщины пленок на подложке

 

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к измерению толщины пленок. Цель изобретения - измерение толщины пленок на микровосковой основе. В микровосковой состав вводят при перемешивании люминофор в концентрации 1 ...5% к сухому остатку, покрывают защищаемый материал или изделие и после высыхания определяют прибором Блескомер тип ФБ-2, в датчик которого вместо осветительной лампы накаливания вставлена УФ-лампа, величину коэффициента яркости , по которому судят о толщине пленки. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (I 9} (1 I) (я)5 G 01 В 11/06

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4692355/28 (22) 22.05.89 (46) 07.10.91. Бюл. М 37 (72) В.А. Ишутин, Т.Н. Ивонина и В,А, Арнаутова (53) 531 717.1 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

М 99388, кл. G 01 В 11/06, 1952. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИНЫ

ПЛЕНОК НА ПОДЛОЖКЕ (57) Изобретение относится к измерительной технике, а именно к измерению толщиИзобретение относится к измерительной технике, а именно к защите материалов от внешних воздействий факторов.

Целью изобретения является измерение толщины пленок на микровосковой основе.

На чертеже изображен график зависимости коэффициента яркости пленок из состава ИВ ВС вЂ” 706М с добавкой люмогена 3 к c,о. от толщины пленок, Способ осуществляют следующим образом.

Определяют толщину защитной пленки микровоскового состава ИВВС-706М с введенным в него люмогеном светло-желтым

564К в концентрации 3 к сухому остатку.

Для этого образцы из сплава Д16 Т размером 50х50х2 мм, покрытые грунтовкой АК069, взвешивают на весах и с помощью краскораспылителя покрывают составом

ИВВС-706М с введенным s него люмогеном. Причем покрытие составом осуществляют так, чтобы на каждом последующем ны пленок. Цель изобретения — измерение толщины пленок на микровосковой основе.

В микровосковой состав вводят при перемешивании люминофор в концентрации 1...57( к сухому остатку, покрывают защищаемый материал или изделие и после высыхания определяют прибором "Блескомер" тип

ФБ — 2, в датчик которого вместо осветительной лампы накаливания вставлена

УФ-лампа, величину коэффициента яркости, по которому судят о толщине пленки, 1 ил, защищаемом образце масса состава была в

2 раза больше, чем на предыдущем.

Покрытые составом образцы высушива- Д ют на горизонтальной поверхности в течение 24 ч при температуре 20 + 2 С и на них определяют толщину защитной микрово- О сковой пленки в следующей последовательности. Сначала высушенные образцы взвешивают и определяют толщину пленки на каждом из них по массе состава и его плотности (весовой метод). Затем блеска- О мер фотоэлектрического типа ФБ — 2, в котором лампу накаливания заменяют на

УФ вЂ” лампу, устанавливают на исследуемый образец и снимают показания прибора. Таким образом исследуются все образцы, покрытые составом ИВВС-706М.

По полученным данным строят калибровочный график (см. чертеж), из которого, зная коэффициент яркости, можно определить толщину пленки на микровосковой основе, нанесенной на грунтовку.

1682767

Формула изобретения

Способ определения толщины пленок на подложке, заключающийся в том, что в состав пленки вводят дополнительное вещество, освещают пленку, регистрируют параметры, характеризующие взаимодействие света с дополнительным веществом, и по ним судят о толщине пленки, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью измерения

О _#_ МО О 8д 00 120

Тоащина юю

Составитель В. Климова

Техред M,Ìoðãåèòàë Корректор Н. Король

Редактор В. Данко

Заказ 3401 Тираж Подписное

ВКИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

60 уО а 53

Ъ и so

4 толщины пленок на микровосковой основе, в качестве дополнительного вещества вводят при перемешивании люминофор в концентрации 1„.5.7 к сухому остатку, 5 освещение производят ультрафиолетовым излучением, а в качестве регистрирующего параметра выбирают величийу коэффициента яркости свечения люминофора в УФ излучении.

Способ определения толщины пленок на подложке Способ определения толщины пленок на подложке 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано при изготовлении микросхем, в лазерной технике при напылении материалов на кристаллы

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при измерении линейных размеров объектов, в частности для бесконтактного определения смещений обьекта от номинального положения

Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для измерения толщины полупроводниковых и диэлектрических пленок

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в твердотельной электронике для измерения толщины диэлектрического слоя на поверхности полупроводника

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для контроля толщины пленок при производстве интегральных микросхем

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в технологии ионной и ионнохимической обработки материалов при производстве оптических деталей, элементов полупроводниковой микроэлектроники и интегральной оптики

Изобретение относится к технике измерений толщины футеровки металлургических агрегатов

Изобретение относится к устройства для измерения гогпцнны пленки жидкостей н быть использовано в энергетике, трцлогехннке и гидродииамик( Гель изобретения - расширение области применения, а именно контроля толщин пленок жидкостей вне зависимости от их шти ктричесь.и свойств за счет использования изменения условий отражения на границе газ - жидкость

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при травлении или формировании слоев полупроводниковых материалов

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для бесконтактного измерения толщины и показателя преломления прозрачных слоев

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для бесконтактного автоматического измерения толщины прозрачных материалов, например листового стекла, в непрерывном производственном процессе

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к оптическим интерферометрам, и может быть использовано для непрерывного бесконтактного измерения геометрической толщины прозрачных и непрозрачных объектов, например листовых материалов (металлопроката, полимерных пленок), деталей сложной формы из мягких материалов, не допускающих контактных измерений (например, поршневых вкладышей для двигателей внутреннего сгорания), эталонных пластин и подложек в оптической и полупроводниковой промышленности и т.д

Изобретение относится к оптическим способам измерения толщин слоев прозрачных жидкостей и может быть использован для бесконтактного определения толщин слоев прозрачных жидкостей в лакокрасочной, химической и электронной промышленности, а также в физических и химических приборах

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к интерференционным способам измерения оптической толщины плоскопараллельных объектов и слоев

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано в черной и цветной металлургии для измерения толщины проката в условиях горячего производства без остановки технологического процесса

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и предназначено для неразрушающего контроля толщины пленок, в частности в устройствах для измерения и контроля толщины пленок фоторезиста, наносимых на вращающуюся полупроводниковую подложку в процессе центрифугирования в операциях фотолитографии

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и предназначено для неразрушающего контроля толщины и измерения разнотолщинности пленок, в частности в устройствах для нанесения фоторезиста в операциях фотолитографии

Изобретение относится к оптическим способам измерения толщины слоя прозрачной жидкости
Наверх