Газоразрядный знакосинтезирующий индикатор постоянного тока с внутренней памятью

 

Изобретение относится к газоразрядной технике и устройствам отображения информации, Целью изобретения является увеличение электропрочности резисторов, повышение плотности их расположения, стабильности электрических параметров и уменьшение разброса величины сопротивления. Укаэанная цель достигается тем, что в индикаторе, содержащем обкладочные стеклянные пластины и системы анодных и катодных электродов, резистивный узел выполнен как комплект вертикально расположенных диэлектрических пластин, с одной стороны которых нанесены тонкопленочные резисторы в виде полос, электрически соединенных с анодными электродами на торцах пластин . Вертикальное расположение тонкопленочных резисторов позволяет добиться высокой плотности индикаторных ячеек . Выполненные в виде протяженных полос (до 10 мм), они отличаются высокой электропрочностью. Расположение резисторов на отдельных диэлектрических пластинах позволяет эффективно вести контроль их параметров и отбраковку в процессе сборки индикатора , что уменьшает разброс величин сопротивлений в индикаторе, увеличивая диапазон памяти. 2 ил. I (/)

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЩ4АЛИСТИЧЕСНИ Х

РЕСПУБЛИК

„.80„„1684828

А1 (gg)5 Н 01 J 17/49

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4655040/21 (22) 20,01,89 (46) 15,10.91. Бюл, Н 38 (71) Рязанский радиотехнический институт (72) Г.В.Соломенников и A,Ï,Êóëàêîâ (53) 621.387(088.8) (56) Патент США Р 3784864, кл, 313-217, 04.01,74, Патент США Ф 3.735.183, кл, 313-188, 19,05.71, (54) ГАЗОРАЗРЯДНЬЙ ЗНАКОСИНТЕЗИРУЮЩИЙ

ИНДИКАТОР ПОСТОЯННОГО TOKA С ВНУТРЕННЕЙ ПАМЯТЬЮ (57) Изобретение относится к газоразрядной. технике и устройствам отображения информации, Целью изобретейия является увеличение электропрочности резисторов, повышение плотности их расположения, стабильности электрических параметров и уменьшение разброса величины сопротивления. УкаИзобретение относится к области газоразрядной техники и мажет быть использовано при разработке и производстве устройств отображения информации, Целью изобретения является увеличение электропрочности резисторов, повьппение плотности их расположения и уменьшение разброса величины сопротивления резисторов, Указанная цель достигается тем, что в индикаторе, содержащем абкладочные стеклянные пластины, системы эанная цель достигается тем, что в индикаторе, содержащем обкладочные стеклянные пластины и системы анодных и катодных электродов, реэистивный узел выполнен как комплект вертикально расположенных диэлектрических пластин, с одной стороны которых нанесены тонкопленочные резисторы в виде полос, электрически соединенных с анодными электродами на торцах пластин, Вертикальное расположение тонкопленочных резисторов позволяет добиться высокой плотности индикаторных ячеек, Выполненные в виде протяженных полос (до 10 мм), ани отличаются высокой электропрочностью, Расположение резисторов на отдельных диэлектрических пластинах позволяет эффективно вести контроль их параметров и отбраковку в процессе сборки индикатора, что уменьшает разброс величин сопротивлений в индикаторе, увеличивая диапазон "памяти". 2 ил, катодных и анодных электродов, резистивный узел выполнен в виде комплекта вертикально расположенных диэлектрических пластин, с одной стороны которых нанесены тонкопленочные резисторы в виде полос длиной до 10 мм, электрически соединенных с анодными электродами.

Таким образом, ток в ячейке проходит по цепи: катод — разрядный прсмежуток, заполненный инертным газом,— пленочный резистор — анод, 1684828

В известных конструкциях газоразрядных знакосинтезчруюшях индикаторов (ГВСИ) постоянного тока с внутренней памятью резисторы расположены тремя основными способами, Тонкопленочные резисторы расположены горизонтально (в плоскости экрана индикатора и нанесены на обкладочную стеклянную пластину, на ней же находится электродная система, контактирующая с резисторами (анодная или катодная), Функции резистора выполняет сплошной тонкий слой полупроводникового материала, нанесенный поверх анодных электродов. Ограничение тока происходит за счет объемного сопротивления тонкой пленки °

Объемные резисторы запрессованы в отверстия диэлектрической матрицы и являются толстопленочными.

Предлагается конструкция вертикального расположения протяженных тонкопленочных резисторов, нанесенных вместе с электродной системой на тонкие диэлектрические пластины, благодаря чему появляется новое свойство — повышение электропрочности и плотности расположения ячеек., На фиг. 1 показаны один из вариантов конструкции индикатора, на фиг. 2 вольт-амперная характеристика ячейки.

На верхней стеклянной пластине 1 расположены прозрачные катодные электроды 2, На расстоянии 1О мкм от катодных электродов вертикально расположены диэлектрические пластины 3 с резисторами 4 и анодными электродами 5, Расстояние выдерживается с помощью прокладки 6, замыкает объем стеклянная пластина 7, Нижние торцы диэлектрических пластин закруглены для обеспечения надежного контакта анодных электродов с резисторами и предотвращения замыкания между соседними анодными электродами.

Изготовленный и испытанный индикатор имеет 50 диэлектрических пластин с резисторами (соответственно

50 анодов) и 120 катодных электродов. Толщина каждой пластины с резисторами 0,5 мм, высота 8 мм. Резисторы расположены на пластине с шагом

0,5 мм, нанесены методом вакуумного напыления, материал резисторов РС-1004 величина сопротивлений 500 кОм. Индикатор наполняют инертным газом до 740 мм рт,ст ° (Ne + О,ЗХ Хе).

1О

При работе ГЗСИ постоянного тока с внутренней памятью между анодными и катодными электродами поддерживается постоянная разность потенциалов.

Ее величина выбирается меньше напряг:ения возникновения разряда, но больше напряжения прекращения разряда, При одновременной подаче импульсов записи информации на выбранный анод и катод в ячейке зажигается разряд, ток которого ограничивается резистором, Наличие резистора в каждой ячейке индикатора обеспечивает свойства памяти" °

Расположение резисторов на отдельных диэлектрических пластинах позволяет проводить контроль и отбраковку резистпвных элементов IIQ величине сопротивления перед сборкой индика..ора, В предлагаемой конструкции отпадает необходимость использования дорогостоящей матрицы с отверстиями, так как переход разряда на соседнюю ячейку невозможен из-за высокого давления наполняющих индикатор газов и малой площади вершины тонкопленочно— го резистора, выходлщей в разрядный промежуток (0,3 10 м ), разряд локализован.

Вертикальное расположение тонкопленочных резисторов позволяет добиться высокой плотности их расположения, что увеличивает разрешающую способ.ность индикатора. В предлагаемой

;конструкции возможно увеличение длины резисторов настолько, насколько это необходимо для обеспечения запаса электропрочности без ухудшения других параметров.

Формула изобретения

Газоразрядный знакосинтезирующий индикатор постоянного тока с внутренней памятью, содержащий обкладочные стеклянные пластины, систему анодных и катодных электродов, резисторы, электрически соединенные с анодными электродами, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью повышения электропрочности индикатора и плотности расположения ячеек, уменьшения разброса величин сопротивления резисторов, резисторы выполнены в виде протяженных тонкопленочных полос на боковых поверхностях вертикально расположенных диэлектрических пластин, а анодные электроды нанесены на торцы пластин.

1684828

260

24/0

220

I, мкА

/о го 3о Фо so

ФИГ.2.

Составитель С.Двинин

Редактор О.Спесивых Техред A.Êðàâ÷óê Корректор A,Об ручар

Заказ 3510 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при rKHT СССР

113035 Москва Ж-35 Раушская наб д 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101