Сплав на основе алюминия

 

Изобретение относится к сплавам на основе алюминия, применяемым в производстве полупроводниковых приборов в качестве припоев и электродов.Целью изобретения является увеличение выхода годного приборов при повышении напряжения пробоя и снижении прямого падения напряжения , что достигается дополнительным введением бора. Сплав на основе алюминия содержит, мае %: кремний 5-25, германий 0,1-0,5; бор 0,06-0,12; алюминий-остальное. Кремниевые диодные структуры, р-п-переходы которых изготовлены с помощью данного еплава, имели при токе 100 мА: пробивное напряжение 160-168В, прямое падение напряжений 0,62-0,7 В.Выход годного приборов составил 83-89% 2 табл. (Л

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)5 С 22 С 21/04

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4612483/02 (22) 29.09.88 (46) 30.10.91. Бюл. № 40 (71) Московский институт электронного машиностроения (72) А.Я. Губенко и Н,В. Постникова (53) 669.715(088.8) (56) PraktIsche MetaIlographie, 1984, № 10, 502-509.

Авторское свидетельство СССР

¹ 999637, кл. С 22 С 21/04, 1981.

Изобретение относится к металлургии сплавов на основе алюминия, применяемых в производстве полупроводниковых приборов в качестве припоев и электродов.

Цель изобретения — увеличение выхода годного прибора при повышении напряжения пробоя и снижении прямого падения напряжения.

В табл. 1 дан химический состав опробованных композиций предложенного сплава.

Опробованные композиции предложенного и известного сплавов в виде фольги толщиной 50 мкм вплавляли в кремний в графитовой кассете в печи в потоке формиргаза. Кремний представлял собой эпитакси Ы 1687639 А1 (54) СПЛАВ НА ОСНОВЕ АЛЮМИНИЯ (57) Изобретение относится к сплавам на основе алюминия, применяемым в производстве полупроводниковых приборов в качестве припоев и электродов. Целью изобретения является увеличение выхода годного приборов при повышении напряжения пробоя и снижении прямого падения напряжения, что достигается дополнительным введением бора, Сплав на основе алюминия содержит,мас. %: кремний 5-25; германий

0,1-0,5; бор 0,06-0,12; алюминий -остальное.

Кремниевые диодные структуры, р-и-переходы которых изготовлены с помощью данного сплава, имели при токе 100 мА: пробивное напряжение 160-168В: прямое падение напряжений 0,62-0,7 В.Выход годного приборов составил 83-89%. 2 табл.

С:: альную структуру и и (III) (и-слой кремния, (O имея удельное сопротивление 5,0 Ом см). .При достижении в кассете 700 С проводили выдержку 20 мин. Скорость охлаждения до (1 температуры 550 C была 7 — 10 С/мин, а при 0 более низких температурах 20 С/мин. На полученной структуре с р и переходом по стандартной технологии изготовляли диодные структуры. На изготовлен н ых диод н ых структурах типа ll Rp измеряли статические параметры: прямое падение напряжения (uf ð) при токе через р-и переход, равном

100 мА и напряжении пробоя. Средние значения указанных параметров в партии диодных структур из 30 — 50 штук приведены в табл, 2.

1687639

5 — 25, 0,1 — 0,5, 0,06 — 0,12, Остальное

Таблица 1

Таблица 2

)ря пряж боя ав

Составитель Л,Шевелева

Техред M,Ìîðãåíòàë Корректор T.Ïàëèé

Редактор И.Сегляник

Заказ 3679 Тираж 370 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГЕНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Как видно из данных табл. 2, использование предложенного сплава по сравнению с известным сплавом для диодных структур позволяет повысить пробивные напряжения, снизить прямое падение напряжени я и увеличить выход годного прибора.

Формула изобретения

Сплав на основе алюминия, преимущественно для полупроводниковых приборов, содЪ) ййщий кремний и германий, о т л и— ,, . - 1 ч а ю шийся тем, что, с целью увеличения выхода годного приборов при повышении напряжения пробоя и снижении прямого падения напряжения, он дополнительно содержит бор при следующем соотношении компонентов,мас,f,:

Кремний

Германий

Бор

Алюминий