Патент ссср 170122

 

ОПИСАН ИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

l7GI22

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 27.11.1963 (№ 822368/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 09.IV.1965. Бюллетень № 8

Дата опубликования описания 12.IV.19á5

Кл. 21О, 11о2

Государственный комитет по делам изобретений к открытий СССР

МПК Н Oll

УДК 621,314.63/.64

Авторы изобретения

М. Б. Цыбульников и Л. В. Грузенберг

Заявитель

СПОСОБ СОЗДАНИЯ р — n-ПЕРЕХОДОВ

Подписная группа № 97

Известны различные способы изготовления полупроводниковых диодов путем сплавления или диффузии примесей. При изготовлении высоковольтных полупроводниковых приборов известными способами возникает ряд трудностей при создании широкого запорного слоя диода.

Предлагаемый способ изготовления р — и-переходов отличается от известных тем, что пластину кремния р-типа проводимости, легированную кислородом, нагревают таким образом, что поверхность одной из ее плоскостей находится при температуре 300 — 450 С, а вдоль оси, перпендикулярной этой плоскости, создают градиент температуры порядка

300 град/см.

Предлагаемый способ позволяет получить широкие р — п-переходы, т. е. позволяет изготовить высоковольтные приборы на невысокоомном кремнии.

Предложенный способ заключается в следующем. Исходный кремний р-типа проводимости с удельным сопротивлением 20—

100 ом/см и с концентрацией атомов кислорода порядка 10» 1/смз режут на пластины и помещают в устройство для нагрева таким образом, что поверхность одной из плоскостей пластины находится при температуре 300—

450 С, а вдоль оси, перпендикулярной этой плоскости, создают градиент температуры

300 град/см. Чем больше пробивное напряжение необходимо получить у прибора, тем меньше должно быть время термообработки, начиная с некоторого исходного, и меньше градиент температуры. Например, для получения пробивнбго напряжения 3000 в на пла10 стине 1,5 мм толщиной и с удельным сопротивлением 400 ом/см*требуется нагрев в течение 2 час с градиентом температуры

300 град/см и с температурой горячей плоскости 370 С.

Предмет изобретения

Способ создания р — z-переходов на основе кремния р-типа проводимости с концентрацией атомов кислорода порядка 10» 1/смз путем

20 термообработкп, отличающийся тем, что, с целью повышения пробивного напряжения р — п-переходов, пластину нагревают таким образом, что поверхность одной из ее плоскостей находится при температуре 300 — 450 С, а

25 вдоль осп, перпендикулярной этой плоскости, создают градиент температуры порядка

300 град/см.

Патент ссср 170122 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области изготовления интегральных схем

Изобретение относится к оборудованию для сварки давлением с подогревом, в частности к установкам для диффузионной сварки полупроводников с диэлектриками, и может быть использовано в радиотехнической, электронной и приборостроительной промышленности

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых структур, точнее к изготовлению кремниевых структур, содержащих p-слой кремния над и под границей раздела, и может быть использовано для создания приборов сильноточной электроники и микроэлектроники

Изобретение относится к полупроводниковой технологии, может быть использовано в области создания современных материалов для микроэлектроники, в частности структур кремний-на-изоляторе (КНИ) для производства современных сверхбольших интегральных схем (СБИС) и других изделий микроэлектроники
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегральных схем (ИС)

Изобретение относится к оборудованию для сварки с подогревом и может быть использовано в радиотехнической, электронной и приборостроительной промышленности

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для интеграции электронных материалов в полупроводниковой, электронной, сверхпроводниковой, оптической и электротехнической технологиях, для создания современных материалов микроэлектроники, гетероструктур с кристаллическим слоем типа металл-металл, металл-полупроводник, полупроводник-полупроводник, полупроводник-металл, полупроводник-изолятор вне зависимости от структуры подложки, в частности структур кремний-на-изоляторе (КНИ) или полупроводник-на-кремнии (ПНК), для производства многофункциональных устройств микросистемной техники, устройств на основе сверхпроводящих материалов, спиновых транзисторов, современных сверхбольших интегральных схем (СБИС), систем на чипе и других изделий спинотроники, опто- и микроэлектроники
Наверх