Термическая обработка для модификации характеристик полупроводниковых подложек, например отжиг или спекание (H01L21/324)
H Электричество(232322)
H01L21/324 Термическая обработка для модификации характеристик полупроводниковых подложек, например отжиг или спекание ( H01L21/20-H01L21/288 и H01L21/302- H01L21/322 имеют преимущество)(52)
Способ формирования оксинитрида кремния // 2770173
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. Способ формирования полевого транзистора согласно изобретению включает процессы создания защитного изолирующего слоя оксинитрида кремния на полупроводниковой подложке, активных областей полевого транзистора и электродов к ним, при этом слой оксинитрида кремния формируют бомбардировкой пластин кремния р-типа при комнатной температуре ионами азота N+2 и кислорода O+2 с общей дозой ионов 1.1017-1.1018 см-2, энергией 30 кэВ, при плотности тока ионного пучка 10-15 мкА/см2 с последующей термообработкой в вакууме сначала при температуре 550°С в течение 2 ч 15 мин, а затем при температуре 900°С в течение 15 мин.
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано в процессах термической обработки полупроводниковых пластин, например диффузии ионно-имплантированных материалов в полупроводниковых структурах.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления биполярного транзистора с повышенным коэффициентом усиления. Способ изготовления полупроводникового прибора включает формирование на кремниевой подложке эпитаксиального слоя, областей коллектора, базы и эмиттера, при этом область эмиттера формируют ионным внедрением мышьяка с энергией 50 кэВ, дозой 1*1015-1*1016 см-2, с последующим лазерным отжигом с длиной волны излучения 1,06 мкм, длительность импульсов 50 нс, энергией импульсов 3-5 Дж/см2, в атмосфере азота, со скоростью сканирования 12,5 см/с, при температуре 150°С.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. Способ формирования активных областей полевых транзисторов включает формирование активных областей полевого транзистора на кремниевой подложке n-типа проводимости с удельным сопротивлением 4,5 Ом*см.
Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. В способе лазерной обработки неметаллических пластин, заключающемся в облучении их поверхности импульсом лазерного излучения с плотностью энергии, зависящей от температуры отжига, начальной температуры пластины, удельной теплоемкости и плотности материала пластины, а также показателя поглощения материала пластины на длине волны лазерного излучения, осуществляют предварительный нагрев пластины до определенной температуры.
Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. Предложен способ лазерной обработки неметаллических пластин, заключающийся в облучении их поверхности непрерывным лазерным излучением с плотностью энергии, достаточной для достижения поверхностью пластины температуры отжига.
Изобретение предлагает способ изготовления тонкой пленки низкотемпературного поликристаллического кремния, включающий этап выращивания слоя аморфного кремния, этап первоначального выращивания слоя оксида кремния на слое аморфного кремния, затем формирование некоторого множества вогнутых поверхностей на слое оксида кремния, которые будут отражать лучи света, вертикально проецируемые на оксид кремния, и, последним, этап проецирования луча эксимерного лазера на слой аморфного кремния через слой оксида кремния, чтобы преобразовать слой аморфного кремния в тонкую пленку низкотемпературного поликристаллического кремния.
Изобретение относится к микроэлектронике. .
Изобретение относится к способу перекристаллизации для получения самоподдерживающихся кристаллических кремниевых лент с размером зерна более 1 мм. .
Способ термической обработки пластин сапфира // 2419177
Изобретение относится к области производства подложек из лейкосапфира для гетероэпитаксии нитридов III группы. .
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления приборных структур. .
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, с пониженной плотностью дефектов. .
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления приборных структур. .
Изобретение относится к полупроводниковой технике. .
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления транзисторов со структурой кремний-на-изоляторе, с пониженной плотностью дефектов.
Способ изготовления гетероструктуры // 2301476
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и направлено на повышение качества гетероструктур, расширение технологической сферы применения способа. .
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для создания современных материалов микроэлектроники. .
Способ изготовления гетероструктуры // 2244984
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для интеграции электронных материалов в полупроводниковой, электронной, сверхпроводниковой, оптической и электротехнической технологиях, для создания современных материалов микроэлектроники, гетероструктур с кристаллическим слоем типа металл-металл, металл-полупроводник, полупроводник-полупроводник, полупроводник-металл, полупроводник-изолятор вне зависимости от структуры подложки, в частности структур кремний-на-изоляторе (КНИ) или полупроводник-на-кремнии (ПНК), для производства многофункциональных устройств микросистемной техники, устройств на основе сверхпроводящих материалов, спиновых транзисторов, современных сверхбольших интегральных схем (СБИС), систем на чипе и других изделий спинотроники, опто- и микроэлектроники.
Установка для диффузионной сварки // 2184406
Изобретение относится к оборудованию для сварки с подогревом и может быть использовано в радиотехнической, электронной и приборостроительной промышленности. .
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегральных схем (ИС). .
Изобретение относится к полупроводниковой технологии, может быть использовано в области создания современных материалов для микроэлектроники, в частности структур кремний-на-изоляторе (КНИ) для производства современных сверхбольших интегральных схем (СБИС) и других изделий микроэлектроники.
Способ изготовления кремниевых структур // 2163410
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых структур, точнее к изготовлению кремниевых структур, содержащих p-слой кремния над и под границей раздела, и может быть использовано для создания приборов сильноточной электроники и микроэлектроники.
Установка для диффузионной сварки // 2111577
Изобретение относится к оборудованию для сварки давлением с подогревом, в частности к установкам для диффузионной сварки полупроводников с диэлектриками, и может быть использовано в радиотехнической, электронной и приборостроительной промышленности.
Способ изготовления интегральных схем // 2109371
Изобретение относится к области изготовления интегральных схем. .
Изобретение относится к электронной техники, а именно к технологии подготовки полупроводниковых материалов и к их промышленному применению для изготовления приборов на их основе. .
Способ изготовления кремниевых структур // 2025826
Способ изготовления кремниевых структур // 1830229
Электрохимическое устройство // 1825250
Способ сушки подложек // 1816331
Изобретение относится к технологии производства интегральных схем (ИС), в частности к способу планаризации изолирующего диэлектрического слоя в ИС при формировании многоуровневой металлизации ИС. .
Изобретение относится к области электронной техники, в частности к технологии оплавления фосфоросиликатного стекла в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. .
Способ изготовления моп-структур // 1575841
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых гетероструктур и может использоваться при изготовлении сверхчистых снальных слоев для полупроводниковых приборов широкого применения, в частности , для приборов интегральной оптоэлектроники и микроэлектроники.
Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на обеспечение высокотемпературной термокомпрессионной попарной сварки полупроводниковых пластин. .
Способ планаризации кремниевых структур // 1515964
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к способам изготовления кремниевых полупроводниковых приборов и интегральных микросхем с улучшенными электрофизическими характеристиками за счет пониженной концентрации генерационно-рекомбинационных центров.
