Элемент памяти на многоотверстной ферритовойпластине

 

ОПИСАН ИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 12.V1.1964 (№ 905871/26-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 07.V11.1965. Бюллетень ¹ 14

Дата опубликования описания 27Х111.1963

Кл. 42m, 14о2

Государственный комитет по делаю изобретений и открытий СССР,ЧПК G 06f

УДК 681.142 — 523.8.07 (088.8) Авторы изобретения

P. А. Лашевский и Н. Г. Тамарченко

Заявитель

ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ НА МНОГООТВЕРСТНОЙ ФЕРРИТОВОЙ

ПЛАСТИНЕ

Подписная группа № 174

Известны элементы памяти на многоотверстной ферритовой пластине с двумя парами отверстий, через которые пропущены разрядный и числовой провода.

Отличием предложенного элемента является то, что числовой и разрядный провода пропущены через одно отверстие каждой пары, а второе отверстие служит только для ограничения магнитного потока. Это позволяет повысить быстродействие элемента и устойчивость его работы.

На чертеже изображены три элемента памяти.

Элементы памяти выполнены на многоотверстной ферритовой пластине 1. Каждый элемент имеет две пары отверстий 2, 3 и 4, 5.

Ширина перемычки между отверстиями 2, 3 (4, 5) определяется необходимой,величиной выходного сигнала. Расстояние между отверстиями 2, 3 элемента и отверстиями 4, 5 . определяется удобством нанесения печатной обмотки. Числовой провод б и разрядный провод 7 пропущены через отверстия 2 и 4 элемента. Отверстия 3 и являются ограничителем магнитного потока.

Предмет изобретения

Элемент памяти на многоотверстной ферритовой пластине с двумя парами отверстий, через которые пропущены разрядный и числовой провода, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия элемента и устойчивости его работы, числовой и разрядный провода пропущены через одно отверстие каждой пары, а второе отверстие служит ограничителем магнитного потока.

)73028

Сосгавитель А. А. Соколов

Техред Л. К. Ткаченко Корректор О, И. Попова

Редактор Н. С. Коган

Типография, пр. Сапунова, д. 2

Заказ 209I/8 Тираж 975 Формат бум. 60X90 /з Объем О,l изд. л. Цена 5 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Элемент памяти на многоотверстной ферритовойпластине Элемент памяти на многоотверстной ферритовойпластине 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания ЭРПЗУ с повышенной информационной плотностью на основе МОНОП-транзисторов, в частности, перепрограммируемых инжекцией горячих носителей заряда
Наверх