Способ определения температурного коэффициента стабилизации напряжения полупроводниковых

Авторы патента:


 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт, свидетельства №

Заявлено 04.Х1.1963 (№ 864235/26-9) Кл. 21а4, 71 с присоединением заявки №

Приоритет

МПК 6 01г

УДК 621 317 619(088 8) Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР

Опубликовано 27.VI11.1965. Бюллетень Kо 17

Дата опубликования описания 19.Х.1965

Авторы изобретения

Заявитель

Н. Н. Вострокнутов и С. Д. Додик

Всесоюзный научно-исследовательский институт Государственного„ комитета стандартов, мер и измерительных приборов СССР

ЖлЯ =й11 и -. .

":а/,, ; I -", СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕН ИЯ ТЕМПЕРАТУРНОГО КОЭФФ И ЦИ ЕНТА

СТАБИЛИЗАЦИИ НАПРЯЖЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЬ1Х

СТАБИЛ ИТРО НОВ

Предмет изобретения

Подписная группа № 89

При известных способах определения температурного коэффициента стабилизации напряжения полупроводниковых стабилитронов измеряют тепловую составляющую приращения напряжения на стабилитроне по изменению напряжения на нем в зависимости от повышения или понижения температуры окружающей среды. При подобных способах требуется термостатировать стабилитрон, что усложняет процесс измерения.

По предлагаемому способу, с целью упрощения процесса измерения, через стаоилитрон пропускают импульс тока и измеряют приращение напряжения от значения, соответствующего напряжению после прохождения импульса тока, до установившейся величины.

Значение температурного коэффициента напряжения у определяют по формуле

ЛУ

7=

1 стет где: ЛУ вЂ” измеренное приращение напряжения;

Л1 — амплитуда импульса тока;

V„— напряжение стабилизации стабилитрона;

Р, — тепловое сопротивление стабилитрона.

Предлагаемым способом можно также определять температурный коэффициент падения напряжения на р — n-переходах полупроводниковых приборов.

1. Способ определения температурного коэффициента стабилизации напряжения полупроводниковых стабилнтронов, основанный на измерении тепловой составляющей прираще15 ния напряжения на стабилитроне, отлича ои1ийся тем, что, с целью упрощения процесса измерения, через стабилитрон пропускают импульс тока и определяют изменение напряжения на стабилитроне от исходного значения, 20 соответствующего напряжению после скачкообразного изменения тока, до значения, соответствующего установившемуся режиму.

2. Применение способа по п. 1 для определения температурного коэффициента падения

25 напряжения на р — и-переходах полупроводниковых приборов.

Способ определения температурного коэффициента стабилизации напряжения полупроводниковых 

 

Похожие патенты:

Устройство для определения пробивного напряжения полупроводниковых диодовв известных устройствах для определения пробивного напряжения мощных полупроводниковых диодов, содержащих блок ступенчатой регулировки подаваемого на диод напряжения и блок измерения величины производной обратного тока, при испытаниях диодов с жесткими характеристиками и диодов, которые 13 режиме иробоя имеют отрицательное динамическое сопротивление, мощность, выделяемая на р—«-переходе, может превысить допустимое значение, что приводит к выходу диода из строя.в иредложеином устройстве для иредотвращения выхода диодов из строя в процессе измерения последовательно с каждым из сопротивлений блока регулировки напряжения включен стабилитрон, в результате чего нагрузочная кривая цепи, в которую включен диод, приобретает вид гиперболы и незавиеимо от вольтамперной характеристики мощность диода неизменна.схема устройства изображена на чертеже.последовательно с испытуемым диодом 1 включен блок 2 ступенчатой регулировки напряжения, источник которого соединен с зажимами 3. блок 2 содержит сопротивления 4, коммутируемые шаговым искателем 5. к каждому из сопротивлений подключено ио стабилитрону 6, в результате чего напряжение на диоде и ток, протекающий через него, будут определяться точкой пересечения характер]!- стики диода с гиперболой.в ироцесее измерения блок 7 измерения величины пропзводной обратного тока контролирует отношение прпращенпя тока через дпод к приращению напряжения на нем, т. е. величину пропзводной. еели величина пропзводной меньше предельного значенпя, с блока 7 на шаговый пскатель подается управляющпй импульс, и щаговый искатель производит очередное изменение величины соиротивлений. если величииа иропзкодной больше или равиа за-, данному предельному значению, автоматически включается пз^iepитeльный прибор s, ио которому отсчитывается величина пробивного напряжения, и управляемый шаговым искателем индикатор мощности 9 показывает мощность, выделяющуюся на дподе при пробивном напряженпи.предмет изобретен и яустройство для определения пробивного напряжения иолупроводнпковых л,иодов, содержащее подключенные к диоду блок стуиенчатой регулировки подаваемого на дпод напрял\е-25 нпя, снабженный набором коммутируемых сопротивлений, и блок измерений величины производной обратного тока, отличающееся тем, что, с целью предотвращения выхода диода из етроя в процессе измерений, последовательно30 с каждым из сопротивлений блока стуиенчатой регулировки напряженпя включен стабилитрон.101520 // 172374

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности 2013-03-28T11:28:07
Наверх