Керамический материал

 

Изобретение касается получения полупроводниковых матер>&иалов и может HdtV'TDi применение в полупроводниковой злектро-нике, а также при изготовлении резисторов, варисторрв, потенциометров и т.п. Цель изобретения - получение материала с полупроводниковыми свойствами, стабильными в области температур от (-150) до.(+150)°С и нечувствительными к изменению влажности. Керамический материал содержит, мас.%: фторид лития основа; поливинилхлорид 0,5-10 или малеиновый ангидрид 7-10. Объемное удельное сопротивление полученного материала В-10^-7-10'' О М'ом(при 20 ± 5)''С; ТКС в обл. (-150)-(+150)"Ссоставляет 2-10'^ -2-10*^ л/°С; плотность 2.1-2.5 г/см"^. 1 табл.:Изобретение относится к получению полупроводниковых материалов и может найти применение в полупроводниковой электронике, а также при изготовлении резисторов, варисторов. потенциометро'в' и т.п.Цель изобретения - получение материала с полупроводниковыми свойствами» стабильными в широкой области температур 6т -150 до+150°С и нечувствительными к изменению влажности.Образцы получали следующим образом.Монокристаллический фтористый литий диспергировали совместное поливи1:гипхло- РИДОМ или малеиновым ангидридом ^дo удельной поверхности «^ 10 м^/г в шаровой вибромельнице. Затем прессовали таблетки размером 30x12x1 мм при давлении 0,2-О,3 кбар и отжигали их при 800-820°С в течение 3-4 в вакууме ~ 10 торр., ..Конкретные составы материала и его свойства представлены в таблице.^ Сопротивление состава прототипа при влажности от О до 10% составляет 10° - 10^*^ . Ом'См и монотонно уменьшается с ростом влажности, достигая величины 10^-10 Ом»хсм при влажности 80-100%,Фррмула и зобретени я Керамический материал, содержащий фторидлития, отличаю щи йся тем, что, с целью получения материала с полупроводниковыми свойствами, стабильными в области температур от -150 до +150'*С и нечувствительными к изменению влажности, ри дополнительно содержит полйвинилхлорид или малеиновый ангидрид при следующем соотношении компонентов. мас.%: фторид лития основа; поливинилхлоридО,5"-10 или малеиновый ангидрид 7- , 10.,СОсюW^ о

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„, SU,, 1712340 А1 (505 С 04 В 35/00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

Оп И САН И Е И ЗОБ РЕТЕ Н ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ1 2 (2:1) 4492703/33 нике, а также при изготовлении резисторов, .(22).10.10.88 .: -....: варисторов, потенциометров и т.п, Цель (46) 15.02.92. Бюл. bh 6;: - изобретения — получение материала с полу(71) Институт физической"химии Ан СССР проводниковыми свойствами, стабильными . (72) А.Г.Липсон, В.А.Кузнецов, ДУЛ;Сакоа:, . в области температур от (-150) до.(+150) С и

Ю.П.Топоров, IO.Ñ. Симаков, И.А.Гагина и: нечувствительными к изменению влажноE.C.Påâèíà: ..:. сти. Керамйческий материал содержит, (53) 666,738 (088.8) мас. : фторид лития основа; поливинилхло(56) Заявка Японии М 53-37555, .: рид 0,5 — 10 или малеиновый ангидрид 7-10. кл. 62а, 1978. . Объемное.удельное сопоотивление пол-. (54) КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ .: -: ученного. материала 5 10 -7 10 Ом ом(при

20 1 5)" С; ТКС в обл. (-150)-(+150)"С состав(57).Изобретение касается получения По4у- ляет 2 10 — 2 10 л/ С; плотность 2,1-2.5 проводниковых материалов и может. найти г/см . 1 табл. применение в полупроводниковой злектро-..

° 4$

Изобретение относится к получению по- . Конкретные составы материала и его, лупроводниковых материалов и может май-. свойства представлены в таблице. ти применение в полупроводниковой: Сопротивление состава прототипа при злектронике, а также при изготовлении:ре-- влажности от 0 до 10 5 составляет 10 — 10 зисторов, варисторов, потенциометров и Ом. см и монотонно уменьшается с ростом т.п. влажности, достигая величины 10 -10 Ом

1Цель изобретения — получение матери-. см при влажности 80-100 g,. алас полупроводниковыми.свойствами;стабильными в широкой области температур от . Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я

-150 до+150 С и нечувствительными к-изме- Керамический материал, содержащий нению влажности. фторид лития, отличающийся тем, что, Образцы получали следующий: 06ра- с целью получения материала с полупроводзом. никовыми свойствами, стабильными в облаМонокристаллическийфтористййлитйй сти температур от -150 до +150 С и диспергировали совместно с поливйнипхло- нечувствительными к изменению влажноридом или малеиновым ангидридом до сти, он дополнительно содержит поливиудельной поверхности 10 м /г в шаровой нилхлорид или малеиновый ангидрид при вибромельнице, Затем прессовалй таблеткй следующем соотношении компонентов, размером 30х12х1мм при давлении О, "2 -03: мас.,ь: фторид лития основа; поливинилхкбари отжигали их пои 800-.820 С втечение . лорид 0,5-10 или малеиновый ангидрид 7-, 3-4 в вакууме 10 торр. 10.

Составитель В.Вахутинский

Редактор Н.Киштулинец Техред М.Моргентал Корректор Н.Ревская

Заказ 506 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при,ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,. 4/Б

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101