Способ для лазерно-стимулированного травления фосфида индия

Авторы патента:

H01L21/306 - обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для образования диэлектрических пленок H01L 21/31; последующая обработка диэлектрических пленок H01L 21/3105)

Состав для лазерно-стимулированного травления фосфида индия, содержащий водный раствор плавиковой кислоты, отличающийся тем, что, с целью снижения мощности стимулирующего излучения при одновременном повышении скорости травления, состав дополнительно содержит бромат калия при следующем количественном содержании компонентов, моль/л: Плавиковая кислота - 0,045 - 18 Бромат калия - 0,0008 - 0,32

Способ приготовления раствора для полирования антимонида индия // 1669337

Изобретение относится к полупроводниковой технологии н может быть использовано при необходимости прецизионной обработки жидкостными травителями структур антнмоннда индия для оптоэлектронных приборов

Способ плазмохимического удаления пленок фоторезиста // 1653484

Устройство для удаления ионов загрязнения с поверхности полупроводниковых структур // 1623498

Изобретение относится к технологии очистки полупроводниковых структур от загрязнений ионами реагентов при их обработке Устройство может быть использовано в электронной промышленности при пленарной технологии изготовления полупро оодниковых приборов Целью изобретения является экономия воды и электроэнергии при одновременном повышении качества очистки Цель изобретения достигается тем, что устройство содержит камеру с деионизованной водой, одна из стенок которой выполнена в виде ионоселективной мембраны с внешней стороны которой вплотную к ней размерен перфорированный электрод, при этом вторым электродом является очищаемая структура размещенная в камере

Способ создания многоуровневых межсоединений интегральных схем // 1616439

Изобретение относится к полупроводниковому производству и может быть использовано в технологии изготовления БИС и СБИС с двумя и более уровнями межсоединений, увеличенной плотностью упаковки и малым шагом межсоединений

Раствор для локального травления поликристаллического кремния // 1604094

Изобретение относится к полупроводниковой технологии

Способ предэпитаксиальной очистки пластин арсенида галлия // 1593513

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано в процессах молекулярно-лучевой эпитаксии

Способ создания интегральных микросхем с диодами шоттки, имеющими различную высоту потенциального барьера // 1589932

Изобретение относится к полупроводниковому производству

Способ межоперационной консервации пластин арсенида галлия // 1582921

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при разработке технологии производства полупроводниковых приборов

Способ очистки поверхности арсенида галлия // 1559980

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к получению поверхностей арсенида галлия без углеродсодержащих загрязнений

Процесс плазмохимического травления поликремния до кремния // 2110114

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно технологии изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах, изготовленных по самосовмещенной технологии (ССТ) с двумя слоями поликремния

Способ непрерывной жидкостной химической очистки поверхности, преимущественно полупроводниковых пластин // 2118013

Изобретение относится к технологии жидкостной химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, и может быть использовано в электронной промышленности

Устройство для микроволновой вакуумно-плазменной с электронно-циклотронным резонансом обработки конденсированных сред // 2120681

Состав разбавителя для смывания ненужного фоторезиста на пластине в процессе изготовления полупроводниковых устройств (варианты) и способ смывания ненужного фоторезиста (варианты) // 2126567

Устройство для шлюзования // 2133521

Способ электрохимической обработки полупроводниковых пластин // 2133997

Изобретение относится к электронной технике, а именно к процессам электрохимической обработки полупроводниковых пластин, в частности к операциям электрополировки и утонения пластин, формирования анодных окисных пленок и слоев пористого кремния (формирование пористого кремния включает в себя несколько одновременно протекающих процессов - электрохимического травления и полирования, а также анодного окисления)

Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур // 2133998

Способ непрерывного жидкостного химического снятия слоев полимеров с поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // 2139593

Установка для химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // 2139594

Способ просушивания кремния // 2141700

Изобретение относится к способу просушивания с соблюдением чистоты поверхностей таких материалов, как полупроводники, керамика, металлы, стекло, пластмассы и, в частности, кремниевые пластины и лазерные диски, у которых подложка погружена в жидкую ванну, а поверхности просушиваются по мере отделения от жидкости, например, путем продувки газа над поверхностью жидкости, причем газ может растворяться в жидкости и снижает поверхностное натяжение жидкости