Способ изготовления металлокерамического корпуса для интегральной микросхемы

 

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов. Цель изобретения - упрощение способа, повышение коррозионной стойкости корпуса. Сущность способа заключается в том, что на одну сторону полосы ковара толщиной 150 мкм холодной прокаткой наносят слой никеля толщиной 20 мкм, из полосы вырубают выводную рамку, затем на металлизированные площадки корпуса помещают медно-серебряный припой марки ПСР-72 и выводы выводной рамки плакированным слоем на припой, устанавливают в конвейерную печь пайки и паяют при 890°С в течение 2 ч.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов. Цель изобретения - упрощение способа и повышение коррозионной стойкости корпуса. Сущность способа заключается в том, что изготавливают основание корпуса с металлизированными площадками и выводной рамкой из железо-никелевого сплава/ нанесение на выводную рамку слоя никеля, холодным плакированием со стороны, обращенной к металлизированным площадкам, совмещением выводов рамки с металлизированными площадками и соединение их пайкой медно-серебряным припоем, при этом толщину слоя никеля устанавливают равной 5-15%, толщины выводов выводной рамки. Гальваническое покрытие выводной рамки никелем не обеспечивает необходимой коррозионной стойкости спаев, которая достигается в предлагаемом способе. Покрытие выводной рамки никелем путем холодного плакирования значительно повышает коррозионную стойкость спаев. Плакирование проводят на поверхности выводов, контактирующих при пайке с металлизированной площадкой, причем слой никеля составляет 5-15% от толщины выводов. Нижний предел толщины плакированного слоя ограничивается техническими возможностями холодного плакирования, которое позволяет наносить на выводную раму слой никеля с наименьшей толщиной 5-15% от толщины рамки, а также тем, что при уменьшении толщины слоя менее 5% проявляется пористость слоя, снижающая его защитные свойства. Верхний предел толщины плакированного слоя определяется тем, что увеличение толщины слоя более чем на 15% от толщины выводной рамки не повышает защитные свойства слоя и ведет к перерасходу никеля. П р и м е р. К корпусам типа "Тир" в количестве 20 штук с предварительно нанесенными металлизированными площадками из вольфрама припаивают металлические выводы. На одну сторону полосы ковра толщиной 150 мкм холодной прокаткой наносят полосу никеля толщиной 20 мкм. Из полученной биметаллической полосы на вырубном штампе вырубают выводную рамку из корпусов "Тир" 20 штук. Затем на металлизированные площадки корпуса помещают припой полосковый ПСР-72 и вывода выводной рамки плакированным слоем на припой, устанавливают в конвейерную печь пайки и паяют при 890оС в течение 2 ч. Испытание корпусов на коррозионную стойкость проводят в камере влажности "Feutron" в течение 56 суток с приложением электрической нагрузки 50 В между соседними выводами. Все корпуса выдержали испытания без каких-либо коррозионных дефектов.

Формула изобретения

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКОГО КОРПУСА ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ, включающий изготовление основания корпуса с металлизированными площадками и выводной рамки из железо-никелевого сплава, нанесение на выводную рамку слоя никеля, совмещение выводов выводной рамки с металлизированными площадками и соединение их пайкой медно-серебряным припоем, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и повышения коррозионной стойкости корпуса, нанесение слоя никеля осуществляют холодным плакированием со стороны, обращенной к металлизированным площадкам, а толщину слоя никеля устанавливают равной 5 - 15% от толщины выводов выводной рамки.

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 31-2000

Извещение опубликовано: 10.11.2000        




 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при сборке полупроводниковых приборов Цель изобретения - повышение выхода годных Способ заключается в том, что кремниевую подложку с нанесенной алюминиевой пленкой толщиной 80-100 нм разогревают до 320°С

Изобретение относится к электронике

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при герметизации полупроводниковых интегральных микросхем пресс-композиций

Изобретение относится к электронной технике, в частности к выводным рамкам для присоединения к кристаллам полупроводниковых приборов СВЧ и КВЧ диапазонов

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов, ИС, БИС и СБИС

Изобретение относится к электронной технике, предназначено для изготовления контактных систем к полупроводниковым приборам с мелкозалегающими р-n переходами

Изобретение относится к электротехнике, в частности предназначено для защиты электронных компонентов, в которых значительная часть не закрыта корпусом

Изобретение относится к области силовой электроники

Изобретение относится к области силовой электроники

Изобретение относится к области силовой электроники
Наверх