Ключевой генератор

 

Изобретение относится к импульсной технике и предназначено для использоеа- .ния в качестве мощных В Ч генераторов радиопередающих устройств и технологических установок. Цель изобретения - повышение надежности - достигается за счет того, что сток первого МДП-транзистора 2 соединен с первой шиной 9 питания устройства , а его исток - с анодом первого диода 3, катод которого соединен с анодом второго диода 7. а анод третьего диода 8 соединен со стоком второго МДП-транэистора 6, 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11} (51)5 Н 03 К 3/353, 17/687

ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4840043/21 (22) 15.06.9.0 (46) 15.03.92. Бюл. Ра 10 (71) Ленинградский электротехнический институт связи им. проф. M.À. Бонч-Бруевича (72) В.А. Галахов, В.Г, Моисеев. В.А. Чернуха (53) 621.382 (088,8) (56) Патент Великобритании hb 1516529, кл. Н 03 F 3/16, 1978.

Расчет мощного усилителя на MOH tlT, Дэнки Гаккай ромбунси, Trans Inst Eng Jap„

1986, 106, Ю 2, 17-24 (прототип). (54) КЛЮЧЕВОЙ ГЕНЕРАТОР (57) Изобретение относится к импульсной технике и предназначено для использова.ния в качестве мощных ВЧ генераторов радиопередающих устройств и технологических установок. Цель изобретения — повышение надежности — достигается эа счет того, что сток первого МДП-транзистора 2 . соединен с первой шиной 9 питания устройства, а его исток — с анодом первого диода

3, катод которого соединен с анодом второго диода 7, а анод третьего диода 8 соединен со стоком второго МДП-транзистора 6, 1 ил.

1720148

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в качестве мощных ВЧ генераторов радиопередающих и других устройств.

Цель изобретения — повышение надежности ключевого генератора.

Указанная цель достигается тем, что в ключевом генераторе, содержащем первый и второй МДП-транзисторы, первый, второй, третий и четвертый диоды и входной трансформатор, первая вторичная обмотка которого включена между затвором и истоком первого МДП-транзистора, а вторая— противофазно первой между затвором и истоком второго МДП-транзистора, исток которого соединен с анодом четвертого диода и второй шиной питания устройства, а сток — c катодам второго диода, анод которого является выходом устройства, причем катод третьего диода соединен с первой шиной питания устройства, а катод четвертого диода — с истоком первого МДПтранзистора, сток первого МДП-транзистора соединен с первой шиной питания устройства, а его исток — с анодом первого диода, катод которого соединен с анодом второго диода, а анод третьего диода соединен со стоком второго МДП-транзистора.

Сущность изобретения состоит в увеличении надежности ключевого генератора за счет ограничения максимальной величины напряжения сток-исток МДПтранзисторов величиной напряжения питания (разностью потенциалов первой и второй шин питания), На чертеже представлена схема предлагаемого устройства.

Устройство содержит входной трансформатор 1, первый вывод первой вторичной обмотки которого соединен с затвором первого МДП-транзистора 2, исток которого соединен с вторым выводом первой вторичной обмотки входного трансформатора 1, анодом первого диода 3 и катодом четвертого диода 4, анод которого соединен с второй шиной 5 питания, первым выводом второй вторичной обмотки входного трансформатора 1 и истоком второго МДП-транзистора 6, затвор которого соединен с вторым выводом второй вторичной обмотки входного трансформатора 1, а сток — с катодом второго диода 7 и анодом третьего диода 8, катод которого соединен с первой шиной 9 питания и стоком первого МДП-транзистора 2. Катод первого диода 3 соединен с анодом второго диода 7 и выходом устройства.

Входной трансформатор 1 предназначен для передачи входного импульсного напряжения на затворы транзисторов. Его вторичные обмотки идентичны друг другу и противофаэно подключаются к затворам

МДП-транзисторов, Диоды 4 и 8- высокочастотные, ймпульсные, например, типа 2Д510, 2Д522 (при необходимости используется параллельное включение диодов). Диоды 3 и 7 — высокочастотные, могут быть низковольтными, например, диоды Шатки.

10 Устройство работает следующим образом.

Устройство при настроенной нагрузке функционирует аналогично устройству-протопу(любой полумостовой схеме ключевого

15 генератора), В случае расстроенной нагрузки диоды 3 и 7 предотвращают протекание обратного тока через МДП-транзисторы (их паразитные диоды), а в качестве обратных диодов выступают последовательно со20 единенные диоды 3 и 4 или 7 и 8. Поскольку в качестве дроздов 3 и 7 используются низковольтные диоды Шотки (падение HBIlpAжения на которых в открытом состоянии составляет обычно 0,3 В), то уменьшение

25 КПД предлагаемого устройства по сравнению с устройством-прототипом пренебрежимо мало.

Поскольку диоды 4 и 8 подключены непосредственно между выводами МДП-тран30 зистора и шинами питания, то напряжение сток-исток каждого МДП-транэисторпа никогда не может превысить разность потенциалов шин питания (напряжения питания).

35 Таким образом, в предлагаемом генераторе обеспечивается ограничение максимального напряжения сток-исток

МДП-транзисторов, что обеспечивает повышение надежности устройства при работе

40 на расстроенную нагрузку. При этом стоимость предлагаемого устройства равна стоимости известного (так как они содержат одинаковые элементы и отличаются только их соединением) при существенном повы45 шении надежности.

Макет устройства мощностью 200 Вт собран на транзисторах 2П922. Экспериментальное исследование подтверждает преимущества предлагаемого технического

50 решения.

Формула изобретения

Ключевой генератор, содержащий первый и второй МДП-транзисторы, первый, второй, третий и четвертый диоды и входной

55 трансформатор, первая вторичная обмотка которого включена между затвором и истоком первого МДП-транзистора. а вторая— противофаэно первой между затвором и истоком второго МДП-транзистора, исток которого соединен с анодом четвертого

1720148

Составитель Д. Иванов

Редактор И. Касарда Техред М.Моргентал Корректор М. Кучерявая

Заказ 776 Тираж Подписное

8НИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035. Москва, Ж-35, Раушская наб.. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 диода и второй шиной питания устройства, а сток — с катодом второго диода, анод которого является выходом устройства, причем катод третьего диода соединен с первой шиной питания устройства, а катод четвертого диода — с истоком первого

МДП-транзистора, отличающийся тем., что, с целью повышения надежности устройства, сток первого МДП-транзистора соединен с первой шиной питания устройства. а его исток — с анодом первого диода, 5 катод которого соединен с анодом второго диода, а анод третьего диода соединен с стоком второго МДП-транзистора.