Клеящий состав для крепления полупроводниковых пластин при полировании

 

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для крепления полупроводниковых пластин при полировании. Состав содержит компоненты, мас.%: канифоль 80-85, церезин 15-18; двухромовокислый калий 0,08-0,09; смесь трихлорэтилена с изопропиленом 150-500 Смесь трихлорэтилена с изопропиленом взята в весовом соотношении 70:30. Характеристика состава: при комнатной температуре в жидком состоянии. 1 табл.

СООЗ .СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (® H 01 L 21/302

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМ,Ф ОВИДП ЕЛЬСТВУ (21) 4811273/25 (22) 06.04.90 (46) 07.04.92. Бюл. 1 13 (71) Завод "Квазар" Научно-произ" водственного объединения "Микропроцессор" (72) М.Д.Живов, E.È.Áîãäàíoâ, P.Â.Ët0áàê, В.Я.Вялый и О.С.Иванчич (53) 621 ° 382.002(088,8) (56) Авторское свидетельство СССР

1290955, кл, Н 01 L 21/302, 1985.

Авторское свидетельство СССР

Р 1294215, кл. Н 01 L 21/302, 1984. (54) КЛЕЯЩИЙ СОСТАВ ДЛЯ КРЕПЛЕНИЯ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН ПРИ ПОЛИРОВАНИИ

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых пластин преимущест-. венно при их полировании.

Известен клеящий состав для крепления полупроводниковых пластин при их механической обработке, содержащий канифоль, триглицерид и растворитель, причем каждый состав наносят на столик для закрепления пластин центрифугированием.

Недостатком этого состава явля- ется наличие краевых сколов и трещин на пластинах при их полировании, так как при разогреве полировальника в процессе обработки пластин клеящий состав размягчается, прочность. удержания пластин на столика снижается, происходит их сдвиг на столике, что, „„SU„„1725293 А 1 2 (57) Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для крепления полупроводниковых пластин при полировании.

Состав содержит компоненты, мас.ь: канифоль 80-85; церезин 15-18; двухромовокислый калий 0,08-0,09, смесь трихлорэтилена с изопропиленом 150-500. Смесь трихлорэтилена с изопропиленом взята в весовом соотношении 70:30. Характеристика состава: при комнатной температуре в жидком состоянии. 1 табл. сопровождается скалыванием и растрескиванием пластин. При достаточно сильном размягчении состава возможен срыв пластин со столика и их бой.

Повышение же прочности удержания пластин на столике путем снижения давления на пластины при полировании и температуры полировальника значительно снижает скорость полирования и, соответственно, производительность процесса обработки.

Наиболее близким к предлагаемому является клеящий состав для крепления полупроводниковых пластин при полировании, содержащий канифоль, це" резин и двухромовокислый калий, при" чем отвержденный состав наносят на разогретый столик плавлением.

Недостатком известного состава является большой клин пластин после

172529 полирования, так как нанесение клеящего состава плавлением не обеспечивает -ребуемую точность крепления пластин на столике из-за большого

5 разброса толщины слоя состава под пластинами. Кроме того, при неравномерности нанесения клеящего состава на столик пластины при полировании испытывают повышенные механические нагрузки, что приводит к скалыванию, растрескиванию и бою пластин.

Целью изобретения является улучшение качества и повышение выхода годных пластин. 15

Клеящий соста в для крепления полупроводниковых пластин при полировании, содержащий канифоль, церезин и двухромовокислый калий, дополнительно содержит смесь трихлорэтилена с изопропанолом, взятых в массовом соотношении 70:30, при следующем соотношении компонентов, мас.w.

Канифоль 80-85

Церезин 15-18

Двухромовокислый калий 0,08-0,09

t,месь трихлорэтилена с изопропанолом 150-500

Введением смеси трихпорэтилена ЗО с изопропанолом достигается получением клеящего состава в жидком виде и возможность его нанесения на столик центриФугированием равномерным по толщине слоем. В этом случае обеспечивается минимальный клин (разнотолщинность) пластин и отсутствие скалывания, растрескивания и боя пластин при полировании, так как пластины при высокой точности креп- 40 пения на столике не испытывают повышенных механических нагрузок.

Массовое соотношение трихлорэтилена и изопропанола 70:30 соответствует образованию азеотропной смеси 45 этих растворителей, отличающейся стабильным составом при использовании и высокой растворяющей способностью.. Этим достигается полное растворение канифоли и церезина, пред" 50 ставляющих собой сложные органические соединения, и получение клеящего состава высокой степени однородности без твердых включений. Применение индивидуальных растворителей ипи неазеотропных смесей вызывает лишь частичное растворение твердых компонентов, вследствие чего состав содержит нерастворенные частицы твер3 4 дой фазы. Кроме того, стабильность азеотропной смеси делает возможным проводить регенерацию состава для повторного использования.

При массовом содержании смеси трихлорэтилена с изопропанолом менее 150 мас,,ч., например 120 мас.ч. из-за повышенной вязкости состав наносится на столик неравномерным слоем, точность крепления пластин на столике снижается и клин пластин после полирования увелич,1вается.

При массовом содержании смеси трихлорэтилена с изопропанолом более 500 мас-.ч„, например 530 мас.ч., из-за малой вязкости толщина наносимого на столик состава не првышает 1-2 мкм. В этом случае снижается прочность крепления пластин на столике, что приводит к срыву пластин со столика при полировании.

При массовом содержании канифоли менее 80 мас.ч., например 75 мас ° ч,> и церезина более 18 мас.ч., например 20 мас.ч., клеящий состав характеризуется низкой прочностью крепления пластин на столике в начальный период полирования, когда температура полировальника находится в пределах 293-298 К, в результате происходит самопроизвольный срыв пластин со столика и их бой.

При массовом содержании канифоли более 85 мас.ч., например 90мас.ч. и церезина менее 15 мас.ч., например 12 мас.ч, при температуре полировальника 3 15-316 К клеящий состав размягчается, происходит сдвиг пластин и их скалывание и растрескивание, а при 317-318 К происходит срыв пластин со столика. В то же время при соблюдении рекомендуемого массового соотношения компонентов размягчение состава возможно только при 327-323 К, а срыв пластин - только при 330 К и выше.

При массовом содержании двухромовокислого калия менее 0,08 мас.ч., например 0,05 мас.ч. или более

009 мас. ч.,например 0 12 мас.ч., ухудшается качество отмывки пластин после обработки, Клеящий состав готовят следующим образом.

В кастрюлю из жаростойкого стекла помещают канифоль и добавляют двухромовокислый калий, нагревают до полного расплавления компонентов

172529 и выдерживают при ч83 К в течение 2 ч.

После окончания выдержки в полученную смесь добавляют церезин, перемешивают до получения однородной массы, прекращают нагрев и охлаждают смесь на воздухе до полного затвердевания.

В специальную емкость заливают трихлорэтилен, затем изопропанол и тщательно перемешивают, Отвержденную смесь извлекают из кастрюли и помещают в емкость с растворителями. Крышку емкости герметично закрывают и нагревают содержимое до полного растворения твердой фазы. После этого 15 прекращают нагрев и охлаждают состав до комнатной температуры.

Подготовку столика. и крепление полупроводниковых пластин на столике осуществляют следующим образом. Столик диаметром 350 мм помещают в специальную центрифугу, закрепляют фиксаторами, включают привол вращения центрифуги и подают в центральную часть столика дозированное количество клеящего состава. После полного растекания состава по поверхности столика выключают привод вращения центрифуги и после остановки свобождают столик от фиксаторов. Затем помещают столик на нагревательную плиту и выдерживают при 365 К в течение 5 мин для полного удаления растворителей из слоя клеящего сос= тава.

Кремниевые пластины, например, диаметром 100 мм, прошедшие после резки операции формирования фаски, двустороннего шлифования свободным абразивом и глубокого химического травления в кислотном травителе, раскладывают на столике и помещают под охлаждающий пресс, прижимающий пластины при давлении 2,5 10 Па. Ох5 лаждают, столик с пластинами под пресФормула изобретения

Ю.

Клеящий состав для крепления полуЗО проводниковых пластин при полировании, содержащий канифоль, церезин и двухромовокислый калий, о т л и ч а ю щ и " с я тем, что, с целью . улучшения качества и повышения выхода годных пластин, он дополнительно содержит смесь трихлорэтилена с изопропанолом, взятых в массовом соотношении 70:30 при следующем соотношении компонентов, мас.ч.:

40 Канифоль 80-85

Церезин 15-18

Двухромовокислый калий 0,08-0,09

Смесь трихлорэтилена

45 с изопропанолом 150-500

Брак по сколам трещинам и бою пластин, Ф

Клин пластин по

Пример

Смесь

Двухромовокислый калий

Церезин

Канифоль сле поли" рования, мкм трихлорэтилена с изопропанолом

4,0

5,2

3,7

17 0,083

15 0,08

18 О,ОЭ

500

83

Предлагаемый состав, мас.Ф сом до комнатной температуры.

Закрепленные на столике пластины подвергают химико-механическому полированию. Предлагаемый состав может быть нанесен также непосредственно на нерабочую сторону полупроводниковых пластин.

Примеры использования предлагаемого состава и результаты полирования пластин по сравнению с известным представлены в таблице.

Производительность процесса полирования с использованием предлагаемого состава не уменьшается. Использование клеящего состава для крепления полупроводниковых пластин при полировании позволяет повысить качество пластин, значительно уменьшив их разнотолщинность (клин) в процессе полирования. Выход годных пластин по сравнению с известным увеличивается на 1,0-3,04 и за счет исключения брака по сколам и трещинам, а также раскалывания пластин.

1725293

Продолжение таблицы

При мер

Предлагаемый состав, мас.3

Клин пластин после полиКанифоль

Церезин рования, мкм

199 0,1

15,7

2 5

Составитель О.Бочкин

Техред g,дрык Редактор И.Шулла

Корректор М;Самборская

«««4»«» «» le

Заказ 1180 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета о изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r.Óæãoðîä, ул. Гагарина,101

5 90

6 85

7 80

8 (из- 80 вест ный1

Двухромовокислый калий

««««

20 0,085

12 0,087

l8 0,09

15 0,08

Смесь трихлорэтилена с изопропанолом

530

5,0

4,4

10,3

3,0

Брак по скрлам, трещинам и бою плв» стин, 3

1„8

1,3

1,6

Клеящий состав для крепления полупроводниковых пластин при полировании Клеящий состав для крепления полупроводниковых пластин при полировании Клеящий состав для крепления полупроводниковых пластин при полировании Клеящий состав для крепления полупроводниковых пластин при полировании 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области ионно-плазменной обработки и может найти применение в микроэлектронике при производстве интегральных схем

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в производстве пластин арсенида галлия на стадии финишного копирования

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии изготовления ИС на основе кремния

Изобретение относится к плазменной технике, а более конкретно к СВЧ - плазмотронам, предназначенным для плазменной обработки материалов при давлениях ниже атмосферного, и может быть использовано для проведения процессов травления, очистки, осаждения, формирования собственных диэлектриков (анодирования) на полупроводниках и металлах

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при химико-механическом полировании пластин из полупроводниковых и диэлектричес ких материалов, таких,Как арсенид галлия, индия , ниобат лития

Изобретение относится к технологии очистки полупроводниковых пластин , в частности кремниевых подложек, Устройство позволяет производить двухстороннюю очистку пластин и повысить качество обработки

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение технологичности процессов механической обработки, выхода годных пластин, в частности, из материалов группы A3B5 в случае получения пластин с допуском диаметра 0,3 мм и менее

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности, к технологии изготовления полупроводниковых структур, являющихся элементной базой функциональной микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления интегральных газовых датчиков с тонкими мембранами /1- 5 мкм/, а также мембран для рентгеновских фотошаблонов

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых лазерных диодов и светодиодов

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых структур, получаемых:- путем механического утонения структур с нерабочей стороны структур до фиксированной толщины, например до толщины 6-20 мкм;- путем термического соединения (сварки через окисел) двух пластин разной проводимости, легирования и кристаллографической ориентации и механического утонения одной из пластин до фиксированной толщины, например до толщины 6-10 мкм;- путем механической или химико-механической доводки структур для выравнивания планарного рельефа, удаления дефектов с использованием Stop-процесса

Изобретение относится к способам термохимического травления тугоплавких химически стойких материалов, в частности к методам локального травления их поверхности, например, с использованием локального лазерного облучения

Изобретение относится к технике полупроводникового производства и может быть использовано для формирования многоуровневых межсоединений СБИС, в частности, для планаризации поверхности межслойного диэлектрика, межуровневого диэлектрика, для получения вертикальных проводников, диффузионно-барьерных слоев и адгезионных слоев на операциях подготовки поверхности пластин, например, при химико-механической полировке с последующей отмывкой их (гидромеханической, мегазвуковой и др.)

Изобретение относится к электронной промышленности, а именно к фотошаблонным заготовкам (ФШЗ), предназначенным для формирования рисунка микроизображения при изготовлении интегральных схем

Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано при изготовлении пластин из слитков или булей монокристаллов, например, сапфиров

Изобретение относится к производству изделий электронной техники и может быть использовано, например, на операциях очистки полупроводниковых пластин с помощью щеток и мегазвука
Наверх