Способ контроля адгезии тонких металлических пленок к диэлектрической подложке

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 G 01 N 19/04

ГОСУДАРСТВЕ IHblЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР."", 0 k J c g

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИ4ЕТЕЛЬСТВУ

4 Ч

С) (! (21) 4815809/28 (22) 19,04.90 (46) 15.04,92. Бюл, N. 14 (71) Московский авиационный технологический институт им. К,Э.Циолковского (72) Г,Н.Архипова, А.И.Гуров, О.П.Глудкин, А.Г.Назаренко и И.Г.Конюхова (53) 620.179.4 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

N. 491085, кл. G 01 N 19/04, 1973, Авторское свидетельство СССР

N 506789, кл. G 01 N 19/04, 1973.

Авторское свидетельство СССР

N- 1000861, кл. G 01 N 19/04, 1981.

Изобретение относится к способам испытания материалов и может быть использовано для определения и контроля адгезии тонких металлических пленок, нанесенных на диэлектрические подложки.

Известен способ определения адгезии электропроводящего материала к диэлектрику, заключающийся в том, что образец подключают к источнику постоянного напряжения на время, достаточное для зарядки образца до заданного напряжения, . производят его разрядку и затем измеряют восстановленное на образце напряжение, по величине которого судят об адгезии материалов, Недостаток этого способа — невозможность бесконтактного контроля адгезии.

„„. Ж ÄÄ 1727040 А1 (54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ АДГЕЗИИ ТОНКИХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК К ДИЭЛ Е КТРИЧ ЕС КОЙ ПОДЛОЖКЕ (57) Изобретение относится к способам испытания материалов и может быть использовано для определения и контроля адгезии тонких металлических пленок, нанесенных на диэлектрические подложки. Целью изобретения является расширение диапазона толщин контролируемых пленок. На планку с подложкой одновременно воздействуют сверхвысокочастотным электромагнитным и постоянным магнитным полями. Увеличивают мощность сверхвысокочастотного электромагнитного поля и по ее уровню в момент отслоения покрытия судят об адгезии.

Известен также способ определения адгезии, заключающийся в том, что исследуемый образец размещают в магнитном поле, пропускают через пленку электрический ток, увеличивают напряженность магнитного поля, регистрируют ток и напряженность магнитного поля и определяют адгезию по величине этих параметров в момент нарушения адгезии.

Недостатком этого способа также является невозможность бесконтактного определения адгезии.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к. предлагаемому техническому рЕшению является способ контроля адгезии тонких металлических пленок к диэлектрическому основанию, заключающийся в том, что пленку, 1727040

40

50

Составитель И.Конюхова

Техред M.Ìoðãåíòàë Корректор Н.Ревская

Редактор В.Трубченко

Заказ 1275 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r Ужгород, ул.Гагарина, 101 нанесенную на диэлектрическое основание, помещают в электромагнитное поле сверхвысокой частоты, увеличивают мощность поля и определяют адгезию по уровню мощности поля в момент отслаивания пленки.

Недостатком прототипа является то, что данным способом возможно контролировать металлические пленки толщиной до 0,5 мкм, Цель изобретения — расширение диапазона толщин контролируемых пленок.

Указанная цель достигается тем, что на пленку с подложкой. помещенную.в сверхвысокочастотное электромагнитное поле, одновременно со сверхвысокочастотным электромагнитным полем дополнительно воздействуют постоянным магнитным полем.

Предлагаемый способ осуществляется следующим образом.

Пленку с диэлектрической подложкой помещают в сверхвысокочастотное электромагнитное поле. Одновременно воздействуют на пленку постоянным магнитным полем. Мощность СВЧ-поля увеличивают до отслаивания пленки от подложки и по уровню СВЧ-поля в момент отслаивания определяют адгезию по составленным номограммам, связывающим величину адгезии с уровнем СВЧ-мощности и электрофизическими параметрами пленки.

Примеры конкретного выполнения.

Ситалловая подложка СТ вЂ” 1 (а= 1,52), пленка меди (j=1,5 мкм, без наложения магнитного поля отрыва пленки не наблюдалось при помещении в изменяющееся электромагнитное поле 60-500 Вт. При наложении постоянного магнитного поля

5 напряженностью 0,7 Т произошел отрыв металлической пленки с указанными параметрами при мощности СВЧ-поля 240 Вт, что позволило определить адгезию пленки по номограммам.

10 Ситалловая подложка СТ-1 (e=1,57) пленка алюминия б=1,8 мкм, без наложения магнитного поля отрыва пленки не наблюдалось при помещении в изменяющееся электромагнитное поле 60-500 Вт. При воз15 действии постоянного магнитного поля напряженностью 0,7 Т произошел отрыв металлической пленки с указанными параметрами при мощности СВЧ-поля 220 Вт, что позволило определить адгезию пленки по номограммам.

20 Формула изобретения

Способ контроля адгезии тонких металлических пленок к диэлектрической подложке, заключающийся в том, что пленку с подложкой помещают в сверхвысокочастот25 ное электромагнитное поле, увеличивают мощность поля и по уровню мощности в момент отслоения пленки судят об адгезии, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона толщин контролиру30 емых пленок, на пленку одновременно со сверхвысокочастотным электромагнитным воздействуют постоянным магнитным полем.