Многовходовое устройство считывания сигналов на приборах с зарядовой связью

 

Многовходовое устройство считывания сигнала на приборах с зарядовой связью, содержащее слой диэлектрика, нанесенного на полупроводниковую подложку с входной и выходной диффузионными областями с противоположным подложке типом проводимости в каждом 1,2 ..., M, (M + 1), ... H-ом канале на приборах с зарядовой связью, на котором расположены последовательно за входной диффузионной областью первый и второй входные затворы, а за ними последовательно затвор переноса, выходная диффузионная область, соединенная с истоком транзистора сброса и затвором электрометрического транзистора, затвор транзистора сброса соединен с первой общей шиной управления, а сток - с шиной питания, к которой подсоединен сток электрометрического транзистора, исток которого соединен со стоком ключевого транзистора, исток которого соединен с первой шиной считывания, и мультиплексор на основе цифрового регистра сдвига, содержащего 1,2 ... M, M + 1, ... H последовательно соединенных ячеек сдвига, каждая M-я ячейка сдвига соединена информационным выходом с M-м каналом, отличающееся тем, что, с целью повышения точности считывания информационного сигнала, введена общая дополнительная шина, дополнительная ячейка сдвига мультиплексора и в каждый M-й канал два МДП-транзистора, при этом сток первого дополнительного транзистора соединен с общей дополнительной шиной, его затвор - с информационным выходом M-й ячейки сдвига мультиплексора, исток соединен со стоком второго дополнительного МДП-транзистора и с затвором ключевого транзистора, исток второго дополнительного МДП-транзистора соединен с подложкой, а его затвор - с информационным выходом (M + 1)-й ячейкой сдвига мультиплексора, а затвор второго дополнительного транзистора H-го канала соединен с информационным выходом (H + 1)-й дополнительно введенной ячейки сдвига мультиплексора, причем (H + 1)-я ячейка мультиплексора последовательно соединена с H-й ячейкой мультиплексора.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к интегральным схемам на КМОП-транэнсторах, Целью изобрете шя является повышение степени интеграции и надез ности функдаопирования в условиях внешних .воздействий интегральной схемы, выполненной в полупроводинковом слое и со-: держащей матрицу ри п-камяльныХ МОП-транаисторов путем устранения утечек исток - сток п-канальных транзисторов и защелкивания в условиях внешних воздействий,

Изобретение относится к полупроводниковой электронике

Изобретение относится к полупроводниковым электронным приборам,действующим по принципу зарядцовой связи, и может быть использовано в фотоэлектрических преобразователях, линиях задержки, фильтрах и других приборах
Нейроскоп // 1366005

Изобретение относится к технике телевидения и может быть использовано при создании формирователей сигналов движущегося изображения на основе ПЗС

Изобретение относится к интегрированным транзисторно/запоминающим структурам

Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и наноэлектроники

Изобретение относится к медицинской технике, а именно к средствам для определения концентрации анализируемого вещества
Наверх