Устройство для управления сопротивлением полупроводникового резистора

 

Изобретение относится ц радиоэлектронике и может быть использовано в различных системах автоматики. . Целью изобретения является получение полной развязки входа от выхода при Сохранении диапазонов изменения сопротивления. Устройство содержит полупроводниковый прибор, состоявши из однородной полупроводниковой пластины кремния р-типа проводимости (КДБ) с удельным сопротивлением 0,1 Ом М и-размерами 25x10x0,4 мм, на противоположных сторонах.которой симмет- . рМчно относительно нее расположены два электрода в виде латунных пластин , площадью ЮхЮмм, изолированных от полупроводника полиэтиле- , новыми пленками размером 10x10x0,05 utn За одним из изолированных электродов расположены два металлических заостренных зонда, выполненных из вольфрамовой проволоки диаметром 0,4 мм в плоскости, перпендикулярной изолированным электродам и симметрично оси, проходящей через центр пластины . При этом расстояние х между изолированньм электродом и мetaлличe- скими зондами составляет 3,7 мм, а ра сстояние между зондами ЛЪ «1,8 мм и ,5MM. Указанные расстояния устанавливают с помощью приспособления для перемещения зондов. На изолированные электроды подается синусоидальное электрическое напряжение от генератора электрических сигналов частотой 10 Гц. Сопротивление полупроводника между зондами измеряется с помощью цифрового вольтметра , работавщего в режиме измерения сопротивления. В устройстве для управления резистором вход и эыход полностью развязаны, что. позволяет управлять величиной сопротивлешя сигналами любой необходимой формы и закононерно.стк без применения фильтров и других приспособлений. 2 ил. W со ел ел о CD

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

091 (И) Ъ (51)5 H 01 L 27/10

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

r1O ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

И АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (46) 15. 03. 90. Бюл. Ф 1О (21) 3937196/31-25 . (22) 26.07.85 (71) Рижский институт инженеров гра,;;.данской авиации им. Ленинского комсомола (72) Э.Э.Аболтиньш и X.È.Êóãåëü (53) 62 1.382(088.S) (56) Интегральные схемы на МДП-транзисторах. Перевод с англ. Кармазин= ского А.Н. М,: Мир,, 1975, с.218.

Авторское свидетельство СССР

11 1308119, кл. Н 01 Ь 27/1О, 1985. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ СОПРОTHMEHHEN ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО РЕЗИСТОРА (57) Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано в различных системах автоматики.

Целью изобретения является получение полной развязки входа от выхода при сохранении диапазонов изменения со- противления. Устройство содержит полупроводниковый прибор, состоящий из однородной полупроводниковой пластины кремния р-типа .проводимости (КДБ) с удельным сопротивлением 0,1 Ом.м и размерами 25х10х0,4 мм на противоположных сторонах. которой симметрично относительно нее расположены два электрода в виде латунных пластин, площадью 10x10 мм, изолированных от полупроводника полиэтиле-, новыми пленками размером 1Ох10х0 05 ммзЗа одним иэ изолированных электродов расположены два металлических заостренных зонда, выполненных иэ вольфрамовой проволоки диаметром 0,4 мм в плоскости, перпендикулярной изолированным электродам и симметрично оси, .проходящей через центр пластины. При этом расстояние х между изолированным электродом и металлическими зондами составляет 3,7 мм, а расстояние между зондами 4L< 1,S мм и а1, 2,5 мм. Укаэанные расстояния устанавливают с помощью приспособления для перемещения зондов. На изолированные электроды подается синусоидальное электрическое напряжение от генератора электрических сигналов частотой 10 Гц. Сопротивление полупроводника между зондами измеряется с помощью цифрового вольтметра, работавшего в режиме измере-ния сопротивления. В устройстве для управления резистором вход и выход полностью развязаны, что позволяет управлять величиной сопротивления сигналами любой необходимой формы и закономерности без применения фильтров и других приспособлений. 2 ил.

Изобретение относится к радиоэлектронике и мажет быть использовано в различных системах автоматики.

Цель изобретения . - получение папной развязки входа от выхода при сохранении диапазонов измерения сопротивления.

На фиг,1 изображено устройство для управления сопротивлением полупроводникового резистора; на фиг.2 показано изменение сопротивления от напряжения.

Устройства состоит из полупроводниковой пластины 1, часть которой помещена между обкладками конденсатора 2 и изолирована от нйх диэлектрическими пленками 3. Конденсатор подключается к регулируемому источнику питания 4, а выводы — металлические точечные зонды 5 располагаются на полупроводниковой. пластине в плоскости, перпендикулярной обкладкам конденсатора, симметрично оси, проходящей через центр вдоль полупроводниковой пластины, и подключаются для контроля к измерителю сопротивления

6. Приспособление 7 служит для измерения расстояния между зондами и от зондов да обкладок конденсатора.

Пример реализации устройства. В качеСтве полупроводниковой пла-. стины взят ЩБ с,удельным сопротивлением 0,1 Ом м и размерами 20 х 1О z х 0,4 мм, который помещается между медными обкладками конденсатора площадью 10х10 мм 1. Диэлектрические полиэтиленовые пленки имеют толщину

О, 1 мм. Иеталлические точечные зонды располагают на поверхности полупроводниковой пластины на расстоянии

3,7 мм от обкладок конденсатора и

6 мм одна от другой и симметрично оси, прохбдящей через центр вдоль полупроводниковой пластины, Обкладки конденсатора подключают к генератору электрических сигналов типа ГЗ"7А, работавшему на частоте 10 Гц, а зонды †. к цифровому измерителю сопротивления тиба В7-27А, работавше му в режиме измерения переменного электрического напряжения и к осцил лографу С-1-83. Наличие переменного. электрического напряжения до уровня

5060 2 шумов не фиксируется (ано составляет 2,5х10 X ат подаваемого на изолированные электроды).

Выбор и изменение диапазона со5 противления осуществляется за счет конструктивных особенностей устройства — изменения расстояния между зондами и от зондов до изолированных электродов с помощью приспособлений для перемещения зондов, а также при изменении удельного сопротивления полупроводника.

Сопротивление может изменяться от 6, кОМ до 0,9 ИОМ (см.фиг.2, кривая 8), или от 90 кОМ до 1,75 ИОМ (кривая 9) при изменении напряжения от 0 до 25 В. Кривые 8 и 9 сняты для расстояния между зондами соответст- . венно 1,8 и 2,5 мм.

В данном устройстве управляющий и управляемый электрические сигналы полностью развязаны,что позволяет изменить сопротивление в любой необходимой закономерности.

Формула изобретения

Устройство для управления сопротивлением полупроводникового резистора на основе ИДП-структуры, содержащее регулируемый источник питания, лолупроводниковую пластину с двумя выводами,на одной стороне которой расположен изолированный электрод, отличающее с я тем, что, с целью полной развязки входа от выхода при .сохранении диапазонов изменения сопротивления, на другой стороне пластины, симметрично первому электроду, расположен второй изолированный электрод, а выводы выполнены в виде зондов, расположенных в " плоскости, перпендикулярнсЯ изолиро" ванным электродам симметрично оси, проходящей через центр пластины,причем расстояний х между изолированным электродом и зондами выбрано из соотношения х (2п — 1) М /4, где и = 1, 2, 3,...; Д - длина волны

50 деформации кристаллической решетки . полупроводника, а площадь пластины превышает площадь изолированного электрода.

13550бО

Фиа1

Щ .1$ фиа 2

Составитель Л.Андреева

Техред M.Õîäàíè÷ Корректор В.Гирняк

Редактор Т.Иванова

Заказ 993 и

Тираж 447 Подписное

BHHHIIH Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытиЯ

113035, Иосква, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Произволственно-полиграфическое предприятие, r.Ужгород, ул.Проектная,4