Устройство для получения нитевидных монокристаллов

 

Изобретение относится к технике получения искусственных кристаллов и обеспечивает повышение качества монокристаллов Устройство содержит камеру роста с тиглем для расплава, формообразоватепь и средство перемещения затравкодержателя Средство выполнено в форме двух коаксиально размещенных барабанов, консольно установленных на валах с возможностью вращения и осевого перемещения На внешней поверхности наружного барабана выполнена винтовая нарезка а к внутреннему барабану с помощью гибкого элемента прикреплен затравкодержатель Получена монокристаллическая нить сапфира диаметром 0.3 мм. длиной 20 м повышенного качества 1 табл 3 ил

fgh

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК

ГОсудАРстветт НОе пАтептнОе

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕПТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4796852/26 (22) 05.01 90 (46) 15.12,93 Бюл. Ия 45-46 (71) Научно-производственное объединение "Монокристаллореактив" (72) Литвинов ЛА; Литичевский М.И.; Пйщик В.В,;

Апилат.В.Я. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ НИТЕВИДНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ (57) Изобретение относится к технике получения искусственных кристаллов и обеспечивает повыше.ние качества монокристаллов. Устройство содер(в) ЯУ (и) 1736209 Л1 (51) 5 СЗОВ15 34 жит камеру роста с тиглем дпя расплава. формообразоватепь и средство перемещения затравкодержателя. Средство выполнено в форме двух коаксиально размещенных барабанов, консольно установленных на валах с возможностью вращения и осевого перемещения. На внешней поверхности наружного барабана выполнена винтовая нарезка, а к внутреннему барабану с .помощью гибкого элемента прикреплен затравкодержатепь. Получена монокристаллическая нить сапфира диаметром 0,3 мм. длиной 20 м повышенного качества. 1 табл. 3 ил.

1736209

Изобретение относится к устройствам для выращивания нитевидных монокристаллов.

Наиболее близким к предлагаемому устройству являе-,"я устройство для выращивания волокон тугоплавких окислов, принятое. за прототип.

Устройство содержит установленные в камере лодочку для расплава, нагреватель, формообразователь и"окружающие их экраны, установленные над формообразователем два охлаждаемых элемента и роликовый механизм.

В предлагаемом устройстве выращивание волокон осуществляют с выводом их из камеры через щель в верхней крышке.

Недостатками устройства являются необходимость проведения процесса в протоке газа при избыточном давлении и подача его через камеру с относительно большим расходом для предотвращения попадания воздуха в камеру; кроме того, из-за возникающего противотока газов в камеру попадает кислород, усиливающий взаимодействие материала контейнера с расплавом и, как следствие, загрязняющего расплав.

При этом ухудшается качество кристалла и его прочностные характеристики, что выражается в неравномерности скорости вытягивания из-за применения фрикционного роликового механизма, снижающей качество выращиваемых нитей.

Цель изобретения — повышение качества монокристаллов.

Поставленная цель достигается тем, что устройство для получения нитевидных монокристаллов из расплава методом Степанова, содержащее ростовую камеру, установленные в ней тигель для расплава с формообразователем, нагреватель тигля, экраны, затравкодержатель и средство его перемещения, снабжено направляющим элементом, расположенным на расстоянии над формообразователем, средство перемещения установлено над направляющим элементом и выполнено в виде двух коаксиально расположенных барабанов, консольно закрепленных на валах, установленных с воэможностью вращения и осевого перемещения. внутренний барабан связан с приво- дом и снабжен гибким элементом для закрепления затравкодержателя, наружный барабан имеет прорезь, соответствующую размерам затравкодержателя, и винтовую канавку для нитевидного монокристалла, выполненную на его внешней поверхности, а вал содержит винтовую пару, шаг совпадает с шагом канавки.

Выполнение средства перемещения в виде двух коаксиально расположенных барабанов, из которых один консольно присоединен к приводу вращения, а второй — к винтовой паре, шаг которой совпадает с нарезанной на наружном барабане винтовой канавкой для наматывания монокристаллической нити, позволяет при совместном вращении барабанов перемещать их в осевом

10 направлении в процессе вытягивания так, что ось растущей нити всегда совпадает.с отверстием в формообразователе, а это исключает вибрацию нити и обеспечивает высокое ее качество.

15 Наличие затравкодержателя с затравкой, укрепленного к внутреннему барабану при помощи гибкого элемента, позволяет производить затравливание и начальное вытягивание нити, не сбивая ее с оси роста

20 и не сдвигая с этой оси отьюстированный наружный барабан с нарезанной канавкой, а после сцепления затравкодержателя с наружным барабаном и совмещения оси роста с канавкой на барабане соединяет для со2б вместного вращения и осевого перемещения внутренний и наружный барабаны, что обеспечивает стабильность оси роста и в то же время наматывание нити на барабан.

Такая связь барабанов позволяет про30 изводить затравливание, рост и наматывание нити на барабан в герметически закрытом объеме, что гарантирует высокое качество ее.

Наличие направляющего элемента иск35 лючает вибрацию нити на участке от формообразователя до барабана и возникающие от этого нарушения монокристаллической структуры, следовательно, устранение вибрации улучшает структурное совершенство

40 нитей.

На фиг,1 изображен общий вид устройства; на фиг.2- разрез А-А на фиг.1; на фиг.3 изображены барабаны в разобранном виде при замене нарезанной части наружного a4S рабана.

Устройство содержит ростовую герметичную камеру 1, установленные в ней тигель 2 для расплава, снабженный нагревателем тигля 3 и формообразовате50 лем 4 с охлаждающими элементами; к камере 1 присоединен герметично корпус 5 со съемной крышкой 6, в котором размещено средство перемещения, Средство перемещения выполнено в виде двух коаксиально. расположенных барабанов. На валу 7 консольно укреплен внутренний барабан 8, связанный с приводом 9 вращения и осевого перемещения, а на валу 10 в винтовой паре

11 установлен наружный барабан, выполненный из двух частей 12 и t3, отъемная

173Г) 209 часть которого 13 фиксируется к остальной части 12 стопором 14 и имеет винтовую канавку 15 (фиг.3), шаг которой совпадает с. шагом шарико-винтовой пары 11, и прорезь

16. Внутренний барабан 8 имеет две коль- 5 цевые канавки, в которых помещен гибкий элемент — тросы 17, на концах которых укреплен затравкодержатель 18 с затравкой

19 (фиг.3), имеющий форму и размеры, точно совпадающие с прорезью 16 на наруж- 10 ном барабане 12.

Внутри корпуса 1 установлен направляющий элемент 20, имеющий концентрические канавки 21 и систему управления 22, выведенную наружу. Для защиты от излуче- 15 ния барабаны ограждены экранами 23.

Работает устройство следующим образом; . В камере 1 устанавливают тигель с шихтой 2, помещают ее в нагреватель 3 и снаб- 20 жают формообразователем 4, при этом крышка 6 открыта. Вращением вала 10 в шарико-винтовой паре 11 выводят наружный барабан 12 в правое крайнее положение, осевым перемещением .вала 7 вводят 25 внутренний барабан 8 в наружный 12 до упора так, чтобы затравкодержатель 18 вошел в прорезь 16 и был сцеплен с наружным барабаном 12. Вращением вала 10 опускают эатравкодержатель 18 до совмещения 30 укрепленной на нем затравки 19.с отверстием в формообразователе 4, юстируя при этом формообразователь, после чего направляющий элемент 20 устанавливают по вертикально расположенному тросу 17 (от- 35 весу), фиксируют это положение направляющего элемента в системе управления 22 и отводят элемент 20 на определенную величину для пропуска затравкодержателя 18.

При проведении этих операций наруж- 40 ный барабан 12 остается неподвижным.

После этого камеру 1 и 5 герметизируют, включают нагреватель 3, приготавливая расплав, производят затравливание и вытягивание нити. После прохождения затравка- 45 держателя 18 выше направляющего элемента 20 последний устанавливают в по. ложение, при котором нить ограничена его канавкой, и включают привод вращения 9.

После совмещения затравкодержателя 18 с 50 прорезью 16 наружный барабан 12, увлекаемый затравкодержателем 18, начинает вращаться совместно с внутренним барабаном,,а так как опорой вала 10 является шарико-винтовая пара 11, то совместное 55 вращение сопровождается совместным осевым перемещением и происходит синхронное наматывание нити на винтовую канавку

15 барабана 13. Процесс заканчиваегся после заполнения нарезанной отъемной части

13 выращиваемой нитью кристалла.

После этого нагреватель отключают. камеру разгерметизируют, открывают крышку

6, фиксируют края нити, разводят барабаны

8 и 12 в крайние противоположные стороны, отпускают стопор 14 и производят съем отьемной части 13 с намотанной нитью и замену ее на новую.

Далее процесс повторяют, Пример выращивания сапфировой нити диаметром 0,3 мм, Для выращивания использовалась ростовая камера модернизированной серийной установки

"Кристалл-606", в которой было смонтировано предлагаемое устройство.

Выращивание осуществлялось из тигля размером 80х80 с использованием вольфрамовых капилляров диаметром 0,3 мм. После выполнения Ъпераций по юстировке ба рабанов и формообразователя кристаллизационную камеру герметизируют, откачивают до 2 10 мм рт.ст„заполняют аргоном до давления 0,005 мПа, включают нагрев и доводят температуру тигля до расплавления сырья, Производят затравливание и вытягивание нити, После прохождения эатравкодержателя 18 выше направляющего элемент 20 последний устанавливают в положение, при котором перемещение нити ограничено его канавкой, и включают привод 9.

Процесс оканчивается после выращивания 20 мм нити, После этого нить отрывают от формообразователя повышением скорости, затем скорость снижают до О.

Камеру разгерметизируют, открывают крышку 6, фиксируют края нити, разводят барабаны 8 и 12 в крайние противоположные стороны, отпускают стопор 14 и осуществляют съем выращенной нити.

Сравнительные данные по качеству и стоимости выращиваемых нитей приведены в таблице.

Как видно из таблицы, предлагаемое устройство обеспечивает улучшение качества монокристаллических нитей по сравнению с и рототипом. (56) Авторское свидетельство СССР

N 736424, кл, С 30 В 15/34, 1978, 1736209

* При подсчете относительнои стоимости учтено только увеличение стойкости технологической оснастки за счет бескислородной среды и резкое сокращение расхода аргона марки "особой частоты".

=I

Формула изобретения

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ НИ-, ТЕВИДНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ из рас. плава методом Степанова, содержащее ростовую камеру с установленными в ней тиглем для расплава с формообрэзователем, нагреватель тигля, экраны, затравкодержатель и средство его перемещения, отличающееся тем, что, с целью повышения качества монокристаллов, устройство снабжено направляющим элементом, расположенным на расстоянии над формообразователем, средство перемещения установлено над направляющим элемен, том и выполнено в виде двух коаксиально расположенных барабанов, консольно закрепленных на валах, установленных с возможностью вращения и осевого перемещения, внутренний барабан связан с приводом и снабжен гибким элементом для закрепления затравкодержателя, наружный барабан имеет прорезь, соответствующую размерам затравкодержэтеля, и винтовую канавку для нитевидного монокристалла, выполненную на его внешней поверхности, а вал содержит винтовую пару, шаг которой совпадает с шагом канав, ки.

1736209

Фиг.2

6ЬГ с7

Составитель К.Давыдова

Техред М.Моргентал

Корректор А.Мотыль

Редактор Н.Козлова

Тираж Подписное

Н ПО "Поиск" Роспатента.

113035, Москва, Ж-35, Раушская на5., 4/5

Заказ 3354

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Устройство для получения нитевидных монокристаллов Устройство для получения нитевидных монокристаллов Устройство для получения нитевидных монокристаллов Устройство для получения нитевидных монокристаллов Устройство для получения нитевидных монокристаллов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии выращивания профилированных кристаллов вытягиванием из расплава с поверхности формообразователя

Изобретение относится к технике выращивания профилированных кристаллов сложных окислов из расплава и может быть использовано для получения кристаллов LiNbOs и Gda(Mo04)3

Изобретение относится к технологии вытягивания кристаллов из смачиваемого расплавом формообразователя и обеспечивает улучшение макрострук туры боковой поверхности кристалла

Изобретение относится к технологии получения кристаллических изделий методом Степанова, обеспечивает увеличение прочностных и оптических характеристик монокристаллов в виде изделий, имеющих неправильную, геометрическую форму с удлиненными выступами

Изобретение относится к технологии получения кристаллов вытягиванием из расплава

Изобретение относится к способам затравления при выращивании профилированных монокристаллов корунда методом Степанова и способствует повышению их структурного совершенства

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов пытягиванием из расплава

Изобретение относится к технологии получения профилированных кристаллов вытягиванием из расплава и обеспечивает упрощение затравления и повышение выхода годных кристаллов

Изобретение относится к области получения монокристаллов вытягиванием из расплава с применением формообразователей и позволяет улучшить качество кристаллов за счет уменьшения асимметрии теплового поля

Изобретение относится к элект- ipoHHoft технике, производству специальных материалов для изготовления диэлектрических подложек

Изобретение относится к технике выращивания профилированных кристаллов тугоплавких оксидов для конструкционных узлов и изделий

Изобретение относится к выращиванию кристаллов заданной формы из расплава, в частности кристаллов тугоплавких соединений, например лейкосапфира, рубина, алюмоториевого граната и т.п., которые могут быть использованы в приборостроении, электронной и химической промышленности

Изобретение относится к технике выращивания профилированных кристаллов вытягиванием их из расплава с вращением с применением формообразователей и может быть использовано для получения монокристаллических труб и стержней с периодически изменяющимся содержанием примеси по длине кристалла

Изобретение относится к устройствам выращивания профилированных монокристаллов из расплавов на затравочном кристалле, например, сапфира, по методам Чохральского, Киропулоса

Изобретение относится к устройствам выращивания крупногабаритных объемных профилированных монокристаллов из расплавов, например, сапфира по методам Чохральского, Киропулоса

Изобретение относится к технологии выращивания калиброванных профилированных объемных монокристаллов из расплавов тугоплавких оксидов методом Степанова

Изобретение относится к производству монокристаллов и может быть использовано в технологии выращивания монокристаллов из вязких расплавов тугоплавких оксидов методом Степанова для получения объемных профилированных калиброванных монокристаллов больших диаметров с высокой степенью совершенства структуры

Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов монокристаллов сапфира методом кристаллизации из расплава

Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов монокристаллов сапфира и направлено на совершенствование тепловой защиты системы

Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов объемных монокристаллов сапфира и направлено на повышение срока службы элементов конструкции
Наверх