Светодиод торцового типа

Авторы патента:

H01L33 - Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, предназначенные для светового излучения, например инфракрасного; специальные способы или устройства для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов (соединение световодов с оптоэлектронными элементами G02B 6/42; полупроводниковые лазеры H01S 5/00; электролюминесцентные источники H05B 33/00)

Светодиод торцового типа, содержащий двойную гетероструктуру, расположенную на непоглощающей подложке, контакты к поверхности подложки и эмиттерному слою гетероструктуры, отличающийся тем, что, с целью повышения мощности излучения и его внешнего квантового выхода, поверхность подложки с контактом выполнена под углом () к плоскости излучающего торца, а величина угла удовлетворяет условию где D - максимальная толщина подложки; L - длина светодиода в направлении выхода излучения; - угол полного внутреннего отражения.

Туннельный светодиод // 1732402

Изобретение относится к оптоэлектронике и квантовой электронике, в частности к тонкопленочным электролюминесцентным приборам, и может быть использовано в схемах передачи и обработки оптической информации

Полупроводниковый источник света // 1499652

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может найти применение в оптоэлектронике, например в качестве индикатора

Светоизлучающий инжекционный полупроводниковый прибор // 1493034

Светодиод торцового типа // 1455373

Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано в качестве источников ИК-излучения в волоконно-оптических системах

Светоизлучающий диод // 1428141

Изобретение относится к оптоэлектронике, а именно к полупроводниковым приборам, преобразующим электрическую энергию в когерентное излучение

Излучательная многопроходная гетероструктура // 1387821

Двойная гетероструктура для излучающих приборов // 1358017

Изобретение относится к полупроводниковым устройствам для генерирования , усиления, непосредственной модуляции излучения и может быть использовано при создании излучателей различных типов (лазеров, суперлюминесцентных диодов, светодиодов)

Способ изготовления монолитных матриц излучающих диодов с х- у-адресацией // 1347831

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано при производстве как отдельных полупроводниковых приборов, так и монолитных интегральных схем на основе полупроводниковых соединений А3 В5

Излучательная полупроводниковая многопроходная гетероструктура // 1163777

Светоизлучающий диод // 2114492

Светодиодное устройство // 2133068

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к полупроводниковым приборам, содержащим несколько элементов, сформированных на общей подложке, а именно к светодиодным устройствам, и может найти применение в полупроводниковой промышленности при разработке и производстве светодиодных устройств, используемых в энергетике, железнодорожном транспорте, черной металлургии, химической, тяжелой и в других отраслях промышленности

Светодиодное устройство // 2134000

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к полупроводниковым приборам, содержащим несколько элементов, сформированных на общей подложке, а именно к светодиодным устройствам, и может найти применение в полупроводниковой промышленности при разработке и производстве светодиодных устройств, используемых в энергетике и в других отраслях промышленности, а также в сигнальных осветительных устройствах на автомобильном, железнодорожном, морском и других видах транспорта

Источник света // 2142176

Изобретение относится к области полупроводниковой оптоэлектроники, а именно к твердотельным источникам света

Инжекционный некогерентный излучатель // 2142661

Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к эффективным, мощным, сверхярким и компактным полупроводниковым диодным источникам спонтанного излучения с узкой диаграммой направленности, которые применяются в устройствах отображения информации: световых указателях, светофорных приборах, полноцветных дисплеях, экранах и проекционных бытовых телевизорах; волоконно-оптических системах связи и передачи информации; при создании медицинской аппаратуры, для накачки твердотельных и волоконных лазеров и усилителей, а также как светодиоды белого освещения взамен вакуумных ламп накаливания и электролюминесцентных ламп

Способ изготовления омического контактного слоя и полупроводниковое устройство ii-vi групп // 2151457

Изобретение относится к области технической физики

Полупроводниковый источник инфракрасного излучения (варианты) // 2154324

Изобретение относится к полупроводниковой оптоэлектронике и может найти применение в приборах газового анализа, спектрометрах, системах связи

Способ изготовления кристалла с односторонними контактами для мощного светодиода // 2156015

Изобретение относится к способам изготовления или обработки полупроводниковых приборов

Эпитаксиальная полупроводниковая структура нитридов элементов группы а3 // 2159483

Изобретение относится к элементам полупроводниковых приборов и может быть использовано в светодиодах, лазерных диодах, биполярных транзисторах и т.д

Прицельное устройство, способ изготовления светоизлучающего диода и способ изготовления оптической асферической поверхности // 2165580