Способ изготовления металлополупроводниковых узлов
Способ изготовления металлополупроводниковых узлов, при котором металлические детали устанавливают на полупроводниковой пластине и приваривают к ней, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и упрощения технологии, в металлических деталях предварительно выполняют сквозные отверстия, оси которых располагают на расстоянии большем диаметра отверстий, а сварку осуществляют лазерным лучом, который вводят в каждое из упомянутых отверстий, оплавляя пластину, стенку отверстия и соответствующую деталь.
Похожие патенты:
Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к созданию карбидкремниевых р-п-структур, которые используют для создания высокотемпературных приборов: выпрямительных диодов, стабилитронов, полевых транзисторов с управляющим р-п-переходом, и позволяет повысить выход годных структур
Способ получения ориентированных пленок кремния на окисленном кремнии методом боковой эпитаксии // 1724744
Изобретение относится к выращиванию пленок кремния, может быть использовано в электронной технике для производства полупроводниковых интегральных схем или чувствительных элементовтензопреобразователей на базе структур кремний на диэлектрике и позволяет повысить выход годных пленок за счет устранения пирамид роста на подложке
Способ изготовления кремниевого узла прибора // 1691908
Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано при изготовлении микроприборов, содержащих кремниевые узлы, в частности полупроводниковых датчиков неэлектрических величин
Изобретение относится к технологии полупроводников, в частности к технологии выращивания полупроводниковых гетероструктур методом жидкофазной эпитаксии, и может быть использовано для получения квантово-размерных периодических структур с супертонкими активными слоями с целью создания на их основе, например, температурно-стабильных лазеров, быстродействующих транзисторов и т.д
Изобретение относится к технике и технологии обработки микроструктур и может быть применено в производстве изделий микроэлектроники
Способ получения пленок оксида кадмия // 1649956
Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии получения пленок оксида кадмия на инородных подложках, и может быть использовано при формировании структур, содержащих тонкие слои полупроводниковых материалов с широкой запрещенной зоной в оптоэлектронике
Способ ионной обработки изделий // 1632088
Изобретение относится к газоразрядной электронике и электровакуумной технике, а более конкретно - к способам ионной обработки материалов и может применяться для нанесения пленок и травления материалов в микроэлектронике, металлургии и т
Способ изготовления мдп-транзисторов // 1597018
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов, в частности МДП - транзисторов на подложке арсенида галлия
Способ лазерной обработки материалов // 1743090
Изобретение относится к лазерной обработке материалов, конкретно к газолазерной резке металлов и неметаллов в импульсном и непрерывном режимах работы технологическими лазерами
Устройство для лазерной обработки материалов // 1738559
Устройство для лазерной обработки // 1722751
Изобретение относится к лазерной обработке и может быть использовано в машиностроении
Изобретение относится к технологии и оборудованию для лазерной сварки
Изобретение относится к технологии и оборудованию для лазерной пробивки отверстий
Изобретение относится к сварке, а именно к устройствам для манипулирования деталями при обработке, преимущественно для упрочнения деталей типа кольца с фасками
