Устройство для создания высокого или низкого импеданса между двумя выходными клеммами

 

Использование: изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в системах телесвязи. Сущность изобретения - устройство содержит два идентичных переключающих элемента, четыре выходные клеммы, две выходные клеммы блока управления, три биполярных транзистора, четыре МОП-транзистора, два конденсатора и два диода, 5 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я) Н 03

ГОСУДАРСТВЕ ННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ

К ПАТЕНТУ

"4 (Л .

Од ос бд (21) 4027120/21 (22) 17,03.86 (46) 23.10.92. Бюл. N 39 (86) РСТ/EP 84/00282 (13.09.84) (31) 2/60208, 84201211.4 (32) 19.09,83, 22,08.84 (33) BE (71) Алкатель Н.В. (NL) (72) Гвидо Петрус Теофил Констант Реммери и Лук Джозеф Луи Ван Ден Боше (BE) (56) Патент Бельгии 896388. кл. Н 03 К"

17/56, 1983.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в системах телесвязи.

Цель изобретения — повышение надежности работы путем обеспечения регулирования напряжения противоположной полярности между первой и второй клеммами.

На фиг.1 изображена схема предложен-ного устройства, на фиг. 2 — схема устройства со средствами защиты. на фиг. 3— вольт-амперные характеристики (ВАХ) предложенного устройства со срвдствами защиты, на фиг, 4 и фиг. 5 — ВАХ средств защиты (не в масштабе).

Устройство содержит два идентичных переключающих элемента 1 и 2 (только первый представлен подробно).

В зависимости от сигнала управления элемент 1 может представлять либо низкий, либо высокий импеданс между его двумя выходными. клеммами 3 и 4. с которыми соответственно соединены выходные клеммы

5 и 6 элемента 2, причем оба элемента оказываются соединенными встречно-параллельно. Это позволяет работать с ними в

„, 50 „„1771536АЗ (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ СОЗДАНИЯ ВЫСОКОГО ИЛИ НИЗКОГО ИМПЕДАНСА МЕЖДУ ДВУМЯ ВЫХОДНЫМИ КЛЕММАМИ (57) Использование: изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в системах телесвязи. Сущность изобретения — устройство содержит два идентичных переключающих элемента, четыре выходные клеммы, две выходные клеммы блока управления, три биполярных транзистора, четыре MOll-транзистора, два конденсатора и два диода. 5 ил, трех различных режимах: элементы 1 и 2 представляют высокий импеданс между их клеммами, элемент 1 представляет низкий импеданс для напряжения одной полярности на клеммах устройства, тогда как элемент 2 может также представлять этот низкий импеданс, но для другой полярности.

Устройство также содержит блок управления, входы которого подключены к выходным клеммам 3,4 и 5,6, а выходами являются третья 7 и четвертая 8 клеммы.

Каждый переключающий элемент представляет собой тройную МОП-структуру, состоящую по существу из транзистора 9 р-п-.р-типа проводимости, который соединен с транзистором 10 и-р-и-типа проводимости так, что между клеммами 3 и 4 образуется тиристор, Изготовление такого элемента приводит к появлению паразитно- . го тиристора 11 р-п-р-типа, который присоединен параллельно транзисторам 9 и 10.

Комбинация транзисторов 9, 10 и l1 представляет собой тиристор с двумя управляющими электродами. Каждый элемент 1 и 2 содержит также два МОП-транзистора 12 и

13 диффузионного типа, при этом первый и

1771536

30

40

55 второй силовые выводы тиристора соединены с клеммами 3 и 4 соответственно, первый управляющий электрод тиристора соединен со стоком транзистора 12, а второй управляющий электрод — с истоком транзистора 13, затворы транзисторов 12 и 13 объединены и подключены к четвертой клемме 8, а исток транзистора 12 и сток транзистора 13 подключены к клемме 4 для образования емкости между клеммами 4 и 8.

Блок управления содержит третий 14 и четвертый 15 МОП-транзисторы и-канального типа, истоки каждого транзистора 14 и

15 соединены с клеммой 7, сток транзистора

14 и затвор транзистора 15 соединены с клеммой 3 (5), сток транзистора 15 и затвор транзистора 14 соединены с клеммой 4 (6), На фиг, 1 также показаны пунктиром емкости 16,и 17 и диоды 18 и 19.

Устройство на фиг, 2 представляет собой модификацию переключающих элементов 1 и 2, представленных на фиг. 1.

Оставаясь тиристорам тройного МОП-типа, тиристор 20, образованный между клеммами 3 и 4, незначительно отличается от тиристора, представленнога схематически на фиг, 1, тем, что транзистор 9 заменен транзисторам 21 р-п-р-типа, KGTopb)A имеет два отдельных коллектора, соединенных соответственна с базами транзисторов 22 и 23

n-p-n-типа, которые заменяют транзистор

10, причем транзистор 11 не представлен.

Кроме того, с тиристаром 20 связаны индивидуальные средства силовой защиты. Первое средство ограничения мощности содержит первый и второй чувствительные элементы, первый развязывающий элемент и первый регулирующий элемент, при этом первый чувствительный элемент выполнен на первом 24 резисторе, второй чувствительный элемент выполнен на втором 25 и третьем 26 резисторах, которые соединены последовательно, первый развязывающий элемент выполнен на пятом 27 МОП-транзисторе п-канального типа и обеспечивает отключение первого средства ограничения мощности только после установления тиристором 20 высо;;ого импеданса. первый регулирующий элемент выполнен на первом

28 и-р-и-транзисторе и обеспечивает постепенное снижение проходящего через тиристор 20 тока при повышении напряжения на нем.

Второе средство ограничения мощности содержит третий чувствительный элемент, диод, второй развязывающий элемент и второй и третий регулирующие элементы, при этом третий чувствительный элемент выполнен на четвертом 29 резисторе, второй развязыеающий элемент выполнен на шестом 30 МОП-транзисторе и-канального типа и обеспечивает отключение второго средства ограничения мощности только после установления тиристором 20 высокого импеданса, второй и третий регулирующие элементы выполнены на втором 31 и третьем 32 п-р-п-транзисторах, транзистор 31 обеспечивает уменьшение проходящего через тиристор 20 тока с большой скоростью до тех пор, пока напряжение на тиристоре

20 превышает заданную величину.

Переключающие элементы 1 и 2 также содержат управляющий элемент, выполненный на диффузионном МОП-транзисторе 33 и обеспечивающий включение первого и второго средств ограничения мощности и их выключение после того, как тиристор 20 установит высокий импеданс.

При этом клемма 3 соединена с эмиттером транзистора 21 (первый силовой вывод тиристора 20), а клемма 4 — с эмиттером транзистора 22 (вторай силовой вывод тиристара 20) и через резистор 24 — с эмиттером .транзистора 23. База транзистора 22 (второй управляющий электрод тиристора 20) соединена с коллектором.транзистора 31, эмиттер которого соединен с клеммой 4, Клемма 3 соединена q базой транзи "тора 31 через каскадное соединение диода 34, переход коллектор-эмиттер транзистора 32 и резистор 29, катод диода 34 соединен с эмиттером транзистора 23 (дополнительный вывод тиристора 20) через последовательно соединенные резистор 25, переход сток-исток транзистора 27 и резистор 26. точка соединения резистора.26 и истока транзисгора 27 соединена с базой ранзистора 28, коллектор которого соединен с базой транзистора 23 (первый управляющий вывод тиристара 20), а эмиттер — с клеммой 4. Катод диода 34 также соединен со стоком транзистора 30, исток которого соединен с базой транзистора 32, которая подключена к детекторной выходной клемме

35, затворы транзисторов 27 и 30 соединены со стоком транзистора 33, исток которого подключен к клемме 8, а затвор — к клемме

4.

Работает устройство следующим образом

Предполагая, что емкость 16 заряжена положительна.на своих выводах, соединенных с обоими затворами транзисторов 12 и

13, по отношению к клемме 4, и что, с другой стороны, напряжение на клемме 3 является более положительным, чем напряжение на клемме 4, транзистор 12 становится проводящим, что приводит к появлению тока от клеммы 3 к клемме 4 через транзистор 9 за счет короткого замыкания транзистора 12 па его каналу сток-исток на базу транзисто1771536 ра 9. с которой соединен этот сток, причем эмиттер транзистора 9 соединен с клеммой

3, Последствием этой проводимости транзистора 9 является накачка тока в базу транзистора 10, которая непосредственно соединена с коллектором транзистора 9 так, что транзистор 10 начинает накачивать ток в базу транзистора 9, которая непосредственно соединена с коллектором транзистора 10. эмиттер которого прямо соединен с клеммой 4. При этом за счет этого кумулятивного действия оба транзистора 9 и 10 входят в режим насыщения, создавая низкий импеданс между клеммами 3 и 4. Транзистор 11 р-п-р-типа, как и транзистор 9, причем базы и эмиттеры транзисторов 9 и

11 соответственно взаимосвязаны, тогда как коллектор транзистора 11 соединен с клеммой 4, становится также проводящим, но при этом появляется паразитный элемент, не влияющий на основную работу устройства.

Переключающий элемент 1, создающий малое сопротивление между клеммами 4 и

3, может быть переведен обратно в режим высокого импенданса с помощью отрицательного заряда на емкости 16, причем отрицательный потенциал на затворах транзисторов 12 и 13 относительно клеммы

4 создает условия работы р-канального рлОП-транзистора 13. В то время, как сток и-канального МОП-транзистора 12 соединен с базой транзистора 9 и исток транзистора 13 соединен с коллектором транзистора 9 так; что на транзистор 13 идет ток от коллектора транзистора 9. так что ток базы транзистора 10 становится недостаточным для поддержания проводимости транзистора 10, который посредством кумулятивного эффекта блокируется, как и транзисторы 9 и 11, а комбинация транзисторов

9, 10 становится непроводящей.

Переключающий элемент 2 работает, как и элемент 1, но только под управлением положительного или отрицательного заряда на емкости 17, в частности на клемме 8 по отношению к клемме 6. Но эти операции элемента 2 проводятся, когда полярность на клемме 6 является положительной по отношению к полярности на клемме 5.

Емкости 16 и 17 могут быть обусловлены паразитными емкостями, в частности теми, которые возникают на затворах транзисторов 12 и 13 для емкости 16, Емкости 16, как и 17 могут заряжаться в заданной полярности с помощью отдельного блока управления, подключенного к клеммам 7 и 8, На транзисторах 14 и 15 получается, что если, например, потенциал на клемме 3 выше, чем потенциал на клемме 4, то потенци5

55 ал на клемме 7 не может быть вне э ого диапазона. и транзисторы 14 и 15 являются проводящими и соотвегственно заблокированными, что выражается в том, что клемма

7 практически (0,7 В) оказывается соединенной с клеммой 4. Паразитные диоды 18 и 19 между истоком и стоком транзисторов 14 и

15, как показано на фиг. 1, смещены так, что они играют аналогичную роль. позволяя клемме 7 выравняться по потенциалу с клеммой 4, когда этот последний является менее положительным, чем потенциал на клемме 3.

Конечно, ввиду симметрии блока управления, составленного из транзисторов 14 и

15, когда потенциал на клемме 4 выше, чем потенциал на клемме 3, режимы инвертируются вслед за проводимостью транзистора

14 диода 18, клемма 7 оказывается практически подсоединенной к клемме 5, так что именно емкость 17 действительно соединена с клеммами 7 и 8.

При этом отдельный блок управления может автоматически замыкать или размыкать элементы 1 или 2 в зависимости от полярности напряжения, поданного между клеммами 3 (4) с одной стороны и 4 (3) с другой стороны.

Тиристор 20 включается и выключается с помощью МОП-транзисторов, соответствующих транзисторам 12 и 13, управляемым от клеммы 8. Переключающие элементы 1 и

2 содержат средства силовой защиты, которые также могут управлять тиристором 20, Тиристор 20 связан с двумя отдельными средствами силовой защиты, Первое средство силовой защиты содержит элементы

34, 25,27,28.26 и 24, второе — элементы

34,30,32,29 и 31 и в частности ограничивает ток через тиристор 20, когда напряжение на элементе 1 превышает заданную величину.

Необходимо отметить, что в последующем описании работы средств защиты предполагается, что напряжение на клемме

3 является положительным по отношению к напряжению на клемме 4, так что диод 34 смещен вперед. То же функционирование действительно для элемента 2 в случае, когда напряжение на клемме 5 является положительным Ilo отношению к напряжению на клемме 6.

Первое и второе средства защиты вводятся и выводятся из работы МОП-транзисторами 27 и 30 и-канального типа, которые сами управляются диффузионным МОПтранзистором 33, Когда тиристор 20 находится в положении "ВКЛ", положительное управляющее напряжение порядка +20 В, поданное на клемму 8, передается на затворы транзисторов 27 и 30 через паразитный

1771536 диод транзистора 33, В результате этого транзисторы 27 и 30 оказываются проводящими, и средства защиты включаются в работу. Для выключения тиристора 20 управляющее напряжение на клемме 8 снижается с его положительной величины порядка +20 В до отрицательной величины порядка -20 В. При таком перепаде напряжения тиристор 20 выключается, когда напряжение на клемме 8 доходит до -3 В, пока средства защиты остаются в работе, даже если заперт паразитный диод диффузионного МОП-транзистора 33. Действительно, MOll-транзисторы и-канального типа и mrда еще являются проводящими ввиду положительного напряжения, удерживаемого емкостью их затвора. Когда напряжение на клемме 8 доходит до величины около -8 В, транзистор 33 становится проводящим, так что это отрицательное управляющее напряжение подается на затворы транзисторов 27 и 30 и запирает их. Тогда средства силовой защиты оказываются вне работы, Транзистор 33 соединен с емкостями затвора транзисторов 27 и 30, тем самым обуславливая наличие схемы задержки, которая выводит из работы средства защиты через некоторое время после запирания тиристора 20. Таким ос разом. защита устройства остается в рабочем состоянии, пока тиристор 20 находится в состоянии "ВКЛ".

Когда тиристор находится в состоянии

"ВКЛ", через второе средство силовой защиты ток не идет. Но напряжение на элементе 1 не превысит величину, примерно равную величине падения напряжения на трех диодах. Этими тремя диодами являются диод 34, переход база-эмиттер транзистора 32 и переход база-эмиттер транзистора 31. Необходимо отметить, что ток, текущий через второе средство силовой защиты, является столь небольшим, что падением напряжения на резисторе 29 можно пренебречь, и можно также пренебречь падением напряжения на переходах сток-исток проводящего транзистора 30, поскольку оно пропорционально току базы транзистора 32. который ьсе еще заперт. Когда возрастает напряжение на элементе 1, транзистор 31 становится проводящим и его коллекторный ток идет с базы транзистора

22 на клемму 4. Как только ток базы транзистора 22 снизился, его коллекторный ток и, следовательно. ток базы транзистора 21 также понижается. B результате этого часть

21 (22) тиристора 20 выключается, тогда как его часть 21 (23) может оставаться в состоянии "ВКЛ". Во время этой операции основной ток в транзисторе 31 ограничивается

15 так что тиристор 20 выключается и следует

25

30 пряжению UL (70 В), когда нагрузка разомкнута, Эта линия пересекает часть 36

ВАХ переключающего элемента 1 в устойчи35

50 ся 250 B схемой защиты от перенапряже55 ния, так что рабочая точка располагается в

45 резистором 29 и транзистором 32, который сам управляется транзистором 30.

При рассмотрении только части 21 (23) тиристора 20 надо принимать во внимание

ВАХ переключающего элемента 1, представленную на фиг. 3, где часть 36 является нормальной BAX прямосмещенного тиристора 20, Как видно, напряжение растет до максимального напряжения OD, равного падению напряжения на трех диодах (й 2,1 В) и соответствующего максимальному току

136 (32 Ом), Отсюда следует, что транзистор

31 становится 8KrNBHblt4 ApN MBKGMI48ëüH0M напряжении UQ, соответствующем току l36, по части 37 ВАХ. Ток в тиристоре 20, а поэ- . тому и в переключающем элементе 1, по существу становится равным нулю, какое бы ни было напряжение на этом элементе. так что при этом ВАХ почти совпадает с осью напряжений для напряжений, превышающих UD, Необходимо отметить, что эта ВАХ действительная для тиристора 20, а также для переключающего элемента 1

Линия 38 нагрузки переключающего элемента 1 определяется двумя точками, соответствующими максимальному току lt (7

Ом) в нагрузке, когда последняя оказывается короткозамкнутой, и максимальному навой рабочей точке 39, Когда нежелательные аномальные сигналы подаются на нагрузку. они добавляются к нормальным сигналам, так что линия нагрузки движется по графику ВИХ на фиг, 3, Такие аномальные сигналы могут иметь различное происхождение, например, это могут быть всплески из-за включения освещения или случайно попавшее на нагрузку напряжение главного источника питания.

Тогда рабочая точка перемещается вдоль части 36 ВАХ. Когда эти нежелательные аномальные сигналы становятся очень большими, линия 38 нагрузки может переместиться так, что рабочая точка дойдет до верхнего конца части 36 BRX. Затем эта рабочая точка становится неустойчивой и перемещается к более высоким напряжениям до тех пор, пока тиристор 20 не выключится (часть 37).

Однако максимальное напряжение UM на переключающем элементе 2 ограничиваетточке UM на оси напряжений.

Когда. аномальные сигналы пропадают. линия 38 нагрузки сдвигается обратно в положение, указанное на фиг, 3, а рабочая точка перемещается из Ом (250 В) в UL (70

1771536

В, где часть ВАХ тиристора 20, которая совпадает с осью напряжений, пересекает линию 38 нагрузки, Таким образом, рабоая точка становится устойчивой при напряжении U! и, поскольку затем второе средство силовой защиты снова становится активным, невозможно включить тиристор 20.

Чтобы он снова включился, часть 37 и часть

ВАХ переключающего элемента 1. совпадающая с осью напряжений, не должны пересекать пинию 38 нагрузки. так что между 0у и нормальной рабочей точкой 39 не должно быть устойчивой рабочей точки 01. Решение содержится в использовании первого средства силовой защиты.

Если рассматривать только эту часть силовой защиты, то когда переключающий элемент 1 находится в состоя нии "В КЛ", ток течет от клеммы 3 к клемме 4 не только через тиристор 20, но также и через диод 34, резистор 25, переход сток-исток МОП-транзистора 27 и резисторы 26 и 24, соединенные последовательно. Пока напряжение между клеммами 3 и 4 является относительно небольшим, так что падение напряжения, создаваемое токами на резисторах 24 и 26, соединенных последовательно, меньше чем напряжение 0Бэ насыщения на переходе база-эмиттер транзистора 28, последний остается запертым, огда ток l, текущий через тиристор 20, изменяется в зависимости от напряжения, измеренного на переключающем элементе в соответствии с частью 40

ВАХ, показанной на фиг, 4. В соответствии с величинами резисторов ток 1, текущий че- рез тиристор 20, оказывается много больше. чем ток, текущий через первое средство защиты. Следовательно, ток может рассматриваться как ток, текущий через переключающий элемент 1, и ВАХ на фиг, 4 действительна для тиристора 20, а также для переключающего элемента !. Когда напряжение между клеммами 3 и 4 является таким большим, что падение напряжения, создаваемое на резисторах 24 и 26 указанными токами, становится больше 0Бэ на тоанзисторе 28, последний становится проводящим и за счет этого создает шунтирующий переход к клемме 3 для коллекторного тока через транзистор 21. Таким образом; базовый ток транзистора 23 уменьшается, в результате чего растет импеданс тиристора

20, так что ток 1, текущий через него, изменяется в зависимости от напряжения так, как показано частью 41 ВАХ на фиг. 4, Это изменение является функцией мощности, рассеянной на тиристоре 20, потому что падение напряжения, создаваемое на переключа о1цем элементе 1, не только зависит от -":êà, погому что резистор 24 соединен

5

35 последовательно с тиристором 20, но также зависит от напря>кения, поскольку дополнительный ток, являющийся функцией напряжения, течет через резистор 24 с помощью резисторов 25 и 26. Без резисторов 25 и 26 ток останется постоянным и равным максимальному току lz, как показано частью 42

BAX на фиг. 4. В этом случае мощность, рассеянная в переключающем элементе 1, может стать избыточной, поскольку часть 42 пересекает линию 43 максимального рассеивания мощности элемента 1. Исходя из этого, часть 41 ВАХ не должна пересекать линию 38 нагрузки. С другой стороны, поскольку минимальная мощность, рассеянная в переключающем элементе 1, возникает в рабочей точке этого элемента, т,е. в точке пересечения части 40 ВАХ и линии 38 нагрузки, часть 41 ВАХ должна выбираться как можно ближе в линии 38 нагрузки с целью получения минимального рассеивания мощности в переключающем элементе 1. Поэтому наклон части 41 ВАХ выбирается аналогичным наклону линии 38 нагрузки, Этот наклон является функцией отношения R25/R26, Действительно, когда транзистор 28 начинает проводить, его напря><ение 0Бэ насыщения на переходе база"эмиттер может определяться следующим выражением: (0 R24 1)/(Я24+ Я26+ Я25) = (0Бэ — Я24 l)/(R24 + Я26) где U u l — напряжение на переключающем элементе 1 и ток, и>кущий через него. Это выражение сразу приводит к l R24 Я25 = (R24+ Rz6+ Rz5) — (Rz4+ Rz6) в соответствии с величинами сопротивлений R24=7,6 Ом. Я2э=

=500 Ом, Rz5=145 кОм, R26=1 кОм, может быть сделано предположение, чтО R25»

» Я26» R24, тогда окончательное выражениЕ имЕЕт вид! Я24 Я25 = 0БЭ Я25 U Я26, так что ! 1!Бэ — R .0 ) (i i R24 ) .

Rz6

Из этого выражения следует, что ток i зависит от напряжения 0(Я26/R25).

Поскольку часть 41 ВАХ выбирается как можно ближе к линии 38 нагрузки с целью ограничения рассеивания мощности на переключающем элементе 1, максимальный ток lz должен выбираться немного больше

l1, а максимальное напряжение Uz должно выбираться немного больше 01. В данном примере !1=100 мА, а Uz = 100 В. Однако в соответствии с требованиями для систем те"":åcíÿçè схема защиты должна действовать для тока, превышающего 300 мА,.Если, исходя из этого, 12 выбирается больше 300 мА, часть 41 BAX должна сдвигаться вверх и ее

1771536

20 часть может располагаться над линией из максимального рассеивания мощности. В этом случае, когда средства силовой защиты включаются, мощность, рассеянная на элемета 1, может быть такой большой, что последний выходит из строя, Недостатки обоих средств силовой защиты, рассматриваемых отдельно, могут устраняться за счет комбинирования этих двух средств, причем эта комбинация дает всю ВАХ переключающего элемента 1, представленную на фиг. 5. На этой ВАХ есть часть 36 и отчасти часть 37, относящиеся ко второму средству силовой защиты. а также часть 41 ВАХ; относящаяся к первому средству силовой защиты, Из этого графика ясно видно, что ВАХ пересекает линию 38 нагрузки в единственной устойчивой рабочей точке 39 и что мощность, рассеянная на переключающем элементе 1, понижается до минимума, поскольку часть 41 находится очень близко к линии 38 нагрузки.

Формула изобретения

1. Устройство для создания высокого или низкого импеданса между двумя выходными клеммами, содержащее первый переключающий элемент и блок управления, выходами которого являются третья и четвертая клеммы, > rn ич а ю щее с я тем, что, с целью обеспечения регулирования напряжения противоположной полярности, введен второй переключающий элемент, переключающие элеменгы выполнены аналогично и соединены встречно-параллельно, а блок управления включен между двумя выходными клеммами, каждый. переключающий элемент содержит тиристор с двумя управляющими электродами и два МОПтранзистора диффузионного типа, при этом первый и второй силовые выводы тиристора соединены с первой и второй выходными клеммами соответственно, первый управляющий электрод тиристора соединен со стоком первого МОП-транзистора, второй управляющий электрод с истоком второго

МОП-транзистора, затворы которых обьединены и подключены к четвертой клемме, а исток первого и сток второго МОП-транзистора подключены к второй выходной клемме для образования емкости между второй выходной клеммой и четвертой клеммой.

2. Устройство по и. 1, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что блок управления содержит третий и четвертый МОП-транзисторы п-канального типа, при этом истоки каждого

МОП-транзистора соединены с третьей клеммой, сток третьего и затвор четвертого

МОП-транзистора соединены с первой выходкой клеммой, сток четвертого и затвор

55 третьего MOll-транзистора соединены с второй выходной клеммой, 3. Устройство по и. 1, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что каждый переключающий элемент содержит первое средство ограниче,ния мощности, выполненное на первом и втором чувствительных элементах, первом развязывающем элементе и первом регулирующем элементе.

4. Устройство по п,3, отл и ча ю щеес я тем, что первый чувствительный элемент выполнен а первом резисторе, второй чувствительный элемент выполнен по меньшей мере на втором и третьем резисторах, которые соединены последовательно, первый развязывающий элемент выголнен на пятом MOfl-транзисторе п-канального типа и обеспечивает отключение первого средства ограничения мощности только после установления тиристором высокого импеданса, первый регулирующий элемент выполнен на первом и-р-и-транзисторе и обеспечивает постепенное снижение проходящего через тиристор тока при повышении напряжения на нем, 5. Устройство по п. 1, о.т л и ч а ю щ е ес я тем, что каждый переключающий элемент содержит второе средство ограничения мощности, выполненное на третьем чувствительном элементе, диоде, втором развязывающем элементе и втором и третьем регулирующих элементах.

6. Устройство по и, 5, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что третий чувствительный элемент выполнен на четвертом резисторе, второй развязывающий элемент выполнен на шестом МОП-транзисторе и-канального типа и обеспечивает отключение второго средства ограничения мощности только после установления тиристором высокого импеданса, второй и третий регулирующие элементы выполнены на втором и третьем и-р-и-транзисторах, второй регулирующий элемент обеспечивает уменьшение проходящего через тиристор тока с большой скоростью до тех пор, пока напряжение на тиристоре превышает заданную величину, 7. Устройство по п,.1, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что каждый переключающий элемент содержит управляющий элемент, выполненный на диффузионном МОП-транзисторе и обеспечивающий включение первого и второго средств ограничения мощности и их выключение после того, как тиристор установит высокий импеданс.

8. Устройство по пп. 3-7, о т л и ч а ю щ ее с я тем. что первая выходная клемма соединена с базой второго п-р-и-транзистора через каскадное соединение диода. переход коллектор-эмиттер третьего п-р-и-транзистора и

1771536

14 четвертого резистора, коллектор второго ир-и-транзистора соединен с вторым управляющим электродом тиристора, а эмиттер— с второй выходной клеммой, катод диода соединен с дополнительным выводом тиристора через последовательное соединение второго резистора, переход сток-исток пятого МОП-транзистора и третьего резистора, дополнительный вывод тиристора соединен с вторым силовым выводом этого же тиристора через первый резистор, точка соединения третьего резистора и истока пятого МОП-тразистора соединена с базой первого п-р-п-транзистора, коллектор которого соединен с первым управляющим электродом тиристора, а эмиттер — c второй выходной клеммой. катод диода также сое5 динен со стоком шестого МОП-транзистора, исток которого соединен с базой третьего п-р-п-транзистора, которая соединена с детекторной выходной клеммой, затворы пятого и шестого MOll-транзисторов

10 соединены со стоком диффузионного MQllтранзистора, исток которого подключен к четвертой клемме. а затвор — к второй выходной клемме.

1771536

177153б

Iq

У "2 М

Напряжение у

Составитель С. Козак

Редактор Т.Шарганова Техред M.Ìîðãåíòàë Корректор E.Папп

Заказ 3757 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 10"