Устройство для контроля деградации мдп-структур

 

Использование: электронная техника, в частности контроль качества и исследование параметров МДП-структур в процессе производства интегральных схем. Сущность изобретения: расширение функциональных возможностей и повышение быстродействия путем адаптации скорости роста напряжения на МДП-структуре к величине этого напряжения за счет введения блока управления , двух пиковых детекторов и блока задания напряжения. Устройство, содержащее задающий генератор, сумматор, фильтр низких частот, усилитель рассогласования, блок задания тока, клеммы для подключения исследуемой МДП-структуры и регистратор , снабжено также кодоуправляемым масштабным преобразователем, формирователем соотношения амплитуд, аналогоцифровым запоминающим устройством, интегратором, таймером, высоковольтным усилителем постоянного тока, операционным усилителем, конденсатором, образцовым резистором, компаратором и ключом. 1 з.п. ф-лы, 4 ил. (Л С

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

1783454 А1 (si>s G 01 R 31/26

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

/ (21) 4888586/25 (22) 05.12.90 (46) 23.12.92. Бюл. М 47 (71) Пензенский политехнический институт (72) С.Ш,Балтянский, В.В.Зверева, О,В,Карпанин, Л.Г.Лихацкий, А,М.Метальников, К.Н.Чернецов и В.С.Шубин (56) Концевой Ю.А. Кудин В.Д, Методы контроля технологии производства полупроводниковых приборов. М„Энергия, 1973, с.48. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ДЕГРАДАЦИИ МДП-СТРУКТУР (57) Использование: электронная техника, в частности контроль качества и исследование параметров МДП-структур в процессе производства интегральных схем. Сущность изобретения: расширение функциональных

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для проведения контроля качества и исследования параметров МДП-структур в процессе производства интегральных схем.

Метод исследования основан на получении ипоследующем анализе зависимости заряда, захваченного диэлектриком, от заряда, прошедшего через диэлектрик в процессе эксперимента.

Известно устройство для регистрации вольт-,фарадных характеристик, которое может быть использовано для исследования деградации МДП-структур. Устройство содержит генератор синусоидального напряжения, источник смещения, усилитель. к входу которого подключен образцовый резистор, а выход через выпрямитель соедивозможностей и повышение быстродействия путем адаптации скорости роста напряжения на МДП-структуре к величине этого напряжения за счет введения блока управления, двух пиковых детекторов и блока задания напряжения. Устройство, содержащее задающий генератор, сумматор, фильтр низких частот, усилитель рассогласования, блок задания тока, клеммы для подключения исследуемой МДП-структуры и регистратор, снабжено также кодоуправляемым масштабным преобразователем, формирователем соотношения амплитуд, аналогоцифровым запоминающим устройством, интегратором, таймером, высоковольтным усилителем постоянного тока, операционным усилителем, конденсатором, образцовым резистором, компаратором и ключом. 1 з.п. ф-лы, 4 ил. нен с вертикальным входом самописца, горизонтальный вход которого подключен к источнику смещения. Обьект измерения и С© образцовое сопротивление образуют емко- (А) стно-омический делитель для синусоидаль- ф, ного напряжения. В совокупности с (я высоковольтным источником синусоидгль- ф, ного напряжения данное устройство позволяет оценивать заряд, захваченный диэлектриком, по смещению С вЂ” Ч кривой вдоль оси напряжения, Недостаками данного устройства являются ограниченные функциональные возможности и отсутствие информации о значении инжекционного тока, протекающего через диэлектрик.

Известно также устройство, содержащее генератор синусоидального напряже1783454 ния, выход которого через катушку индук- на усилитель рассогласования, на неинвертивности, объект измерения, разделитель- тирующий вход которого поступает напряный конденсатор подключен к образцовому жение от регулируемого источника резистору и вертикальному входу осцилло- опорного напряжения для установки значеграфа, причем к разделительному конденса- 5 ния стабилизирующего инжекционного тотору через фильтр низших частот, ка. Часть заряда, протекающего через состоящий из катушки индуктивности и кон- диэлектрик, захватывается его ловушками, денсатора, подключен вход электрометра. что приводит к ослаблению электрического

Недостатками данного устройСтва явля- поля и инжекцион ного тока. Напряжейие с ются ограниченные функциональные воз- 10 выходаусилителя рассогласования поступаможности, отличие формы напряженйя на " ет на регистратор и через добавочный резиМДП-структуреотсинусойдальнойвследст- стор на объект исследования, При этом вие нелинейности послевней." . : " создается общая отрицательная обратная

Наиболее близким по технической сущ- связь. Йнжекционный постоянный ток соности к изобретению является устройство, 15 храйяет значение, определяемое опорным которое. содержит генератор синусоидаль- напряжением, а изменение напряжения ногонапряженияи усилительрассогласова - плоских зон регистрируется как функция ния,"вьбоды ко "о"рых через СуММатор, времени. состоящий из "первого разделительного . Основными непдостатками данного усконденсатора и резистора, катушку индук- 20 тройства являются: необходимость вручную тивности, объект йзмерения второй разде- и Очень точно уСтанавлиВать "амПлитуду нал йтел ьн ый кбнденсатор пОдключен f< пряжения генаратора, соответствующуЮ заобразцовому" резистору и вертикальному данному значениЮ инжекционного тока; входу осциллографа. К второмУ раздели- отсутствие" возмбжности воздействовать на тельному конденсaтopy через фильтр низ- 25 МДП-структуру"сигналами, имеющими форких частот подключен вход эле1<трометра, му, отличную от синусоидальной; и частоту, выход которого соединен с первым входом" ." не равную резонансной частоте последоваусилйтеля рассогласования, второй входко- тельного.. колебательнбго контура, состояторого подключен к источнику опорного на- щего из катушки индуктивности и пряжения, а выход соединей с входом 30 МДП-структуры; отличие формы напря>керегиотратора,-.-:;: .- ..:.:...,: - ния на МДП-структуре от синусоидальной

Устройство работает следующим обра- вследствие нелинейности последней; высозом, Генератор синусоидальйого напряже- кие"требования к стабильности частоты зания вырабатывает сигнал с частотой,: даюЩего генератора, так как малейшие равной резонансной частоте последова- 35 изменения частоты генератора или парательного колебательного контура, образо- метров колебательного контура приводят к ванного .катушкой индуктивности и значительному изменению напря>кения на емкостью МДП-структурь!. Напряженйе на . МДП-структуре; отсутствие возможности

МДП-структуре равняется добротности ка- воздействовать на МДП-структуру сигнатушки индуктивности, умноженной на на- 40 лом, имеющим амплитуду одной из полпряжение генератора. Когда напряжение на уволн (выводящей структуру в режим

МПД-структуренедостаточнодлявозникно-; аккумуляции) значительно меньшую, чем вения инжекции горячих носителей, через амплитуда другой полуволны (стимулируюнее протекает только ток смещения;-созда- щей инжекционный ток) для предотвращеющий на образцовом резисторе падение 45 ния пробоя; отсутствие информации о . напряжения, пропорциОHальйoe этомутоку. точном значении напряжения на МДПТак как сопротивление образцового рези- структуре, посколькуоно определяется косстора небольшое, а емкость разделитель- венно по добротности контура, одним из ных конденсаторов значительно превышает - элементов которого, является собственно емкость МДП-структуры, то значительная 50 МДП-структура. часть прилох<енного переменного поля вы- . Цель изобретения — расширение функделяется на МДП-структуре. При дальней- цйональных возможностей и йовышение шем увеличении амплитуды напряжения быстродействия. возникает инжекционная составляющая то- Поставленная цель достигается тем, что ка, которая через фильтр нижних частот, 55 устройство, содер>кащее задающий генеразначительно ослабляющий переменйую c0- тор, сумматор, фильтр низких частот, усили-.. ставляющую напряжения, поступает на тель рассогласования, блок задания тока, вход электрометра, Напряжение, пропор- первую и вторую клелмы для подключения циональное среднему за период току ин- исследуемойМДП-структуры ирегистратор, жекции, с выхода электрометра поступает снабжено .кодоуправляемым масштабным

1783454 преобразователем, формирователем соотношения амплитуд, высоковольтным усилителем постоянного тока, операционным усилителем, конденсатором, образцовым резистором, компаратором, ключом, интегратором, аналого-цифровым запоминающим устройством, первым и вторым пиковыми детекторами, блоком управления, блоком задания напряжений и таймером, причем сигнальный и управляющий входы кодоуправляемого масштабного преобразователя подключены соответственно к выходу задающего генератора и к выходу блока упрарления, а его выход подключен к входу формирователя соотношения амплитуд, подключенного к первому входу сумматора, выход которого подключен через высоковольтный усилитель постоянного тока к входам первого и второго пиковых детекторов и к первей клемме для подключения исследуемой МДП-структуры, вторая клемма для подключения исследуемой

МДП-структуры подсоединена через параллельно соединенные операционный усилитель, конденсатор и образцовый резистор к входу фильтра низких частот, выход которого подключен одновременно к входу интегратора и первым входам усилителя рассогласования и компаратора, вторые входы которых связаны с блоком задания тока, выход усилителя рассогласования подключен к сигнальному входу ключа, выход которого подключен одновременно к второму входу суматора, первому входу регистратора и сигнальному входу аналого-цифрового запоминающего устройства, выход последнего подключен к третьему входу сумматора, выход компаратора подключен одновременно к управляющему входу ключа, первому входу блока управления, второму входу регистратора и входу таймера, выход которого подключен одновременно к управляющему входу аналого-цифрового запоминающего устройства и второму входу блока управления, третий, четвертый и пятый входы которого подключены соответственно к блоку задания напряжения и к выходам первого и второго пиковых детекторов.

При этом формирователь соотношения амплитуд содержит операционный усилитель, резистор, два диода, потенциометр и сумматор, причем первый вывод резистора является входом формирователя соотношения амплитуд, а второй вывод подключен одновременно к инвертирующему входу операционного усилителя и подвижному контакту потенциометра, первый вывод токопроводящего элемента которого подключен к катоду первого диода и первому входу ние между амплитудой отрицательной и положительной полуволн напряжения на

МДП-структуре для предотвращения пробоя. Введение высоковольтного УПТ позво20 ляет получить на МДП-структуре напря5

45 сумматора, второй вывод токопроводящего элемента подключен к аноду второго диода и второму входу сумматора, выход операционного усилителя подключен одновременно к аноду первого диода и катоду второго диода, неинвертирующий вход подключен к общему проводу. а выход сумматора является выходом формирователя соотношения амплитуд, Введение кодоуправляемого масштабного преобразователя позволяет " автоматическом режиме управлять амплитудой напряжения на МДП-структуре. Введение формйрователя соотношения амплитуд дает возможность устанавливать соотношежение заданной формы и амплитуды. Введение операционного усилителя с целью отРицательной обратной связи, состоящей иэ резистора В, и конденсатора С, позволяет преобразовывать ток, протекающйй через

МДП-структуру, в напряжение, пропорциональное этому току. Кроме того, из-за близкого к нулю напря>кения на входе этого узла напряжение на МДП-структуре равно напряжению на выходе высоковольтного УПТ, что позволяет измерять это напряжение с высокой точностью.

Введение компаратора и ключа поэволяет включать систему стабилизации инжекционного тока в момент достижения среднего за период значения этого тока эаданной величины.

Введение первого и второго пиковых д-"„текторов позволяет постоянно иметь информацию о точном значении амплитуды положительной и отрицательной полуволн сигнала на МДП-структуре.

Внедение таймера позволяет задавать интервал времени, в течение которого через

МДП-структуру протекает заданный инжекционный ток.

Введение блока управления позволяет в совокупности с таймером, пиковыми детекторами, комг1аратором и блоком задания напряжения: — с высокой скоростью увеличивать напряжение на МДП-структуре до заданного значения, а затем снижать эту скорость для предотвращения перерегулирования, которое может приводить к погрешности установления тока инжекции и к пробою

МДП-структуры; в целом это позволяет уменьшить интервал времени от начала эксперимента до момента стабилизации тока инжекции;

1783454 — останавливать рост напряжения на выхода задающего генератора 1 0 поступаМДП-структуре в момент достижения ин- ет на аналоговый вход КМП 2. При этом жекционного тока заданной величины; напряжение на выходе КМП определяется — устанавливать напряжение на МДП- выражением структуре; равное нулю после окончания 5 Uz = К2 U1, (1) очередного цикла воздействия.:-: где Кг — коэффициент передачи КМП, проБведение интегратора позволяет не- порциональный двоичному коду числа, попосредственно по напряжению с его выхода ступающего-на управляющий вход КМП от отсчитывать величину заряда, протекшего" счетчика 33 блока 12 управления. При почерез дйэлектрик. ".::...,„.. ." ......: 10 ступлении "команды "Пуск" на триггер 36

Введение аналого-цифрового .запоми- счетчик 33 начинает суммировать импульсы нающего устройства позволяет-запоминать . от йервого "гейератора 29 тактовых импульвеличину сдвига йапряжения"плоских зон сов. С приходом очередного тактового имна конец эксперимента и начинать последу- — пульса двоичное число на выходе счетчика: ющий эксперимент на той >ке МДП-структу- l5 33 увеличивается на единицу, Напря>1 ение ре с этого напряжения. При этом сигнал на . с цыхода КМП 2 поступает на вход ФСА 3, МДП-структуре в момент включения систе- Напряжение .на выходе ФСА определяется мы стабйлизации инжекционного тока име- следующим образом: . ет ту >ке форму, что и в момент прекращения предыдущего эксперимента.:.....:: - . 20

На фиг.1 представлена структурная схе,ма ус1.ройства на фиг.2- структурная схема формирователя соотношения амплитуд; на фиг.3"- структурная схема блока управления; на фиг.4 — структурная схема аналого- 25 цифрового запомийающего устройства; " „, - в . — — О2, при отрицательной

R полуволне сигнала

R П вЂ” — 0з; при положительной

R йолуволне сйгнала

УстРойСтва СодеР>кит задающий гейе-" где Ri —,, сопротйвление между

РатоР 1, кодоУпРавлЯемый масштабный :. контактом и первьlM выводомтокопроводя-, преобразователь 2, фоРмиРователь 3 соот- ... щего элемента потенцйометра 25; ношения амплитуд(ФСА), сумматор 4, высо- 30:: ди — сопротивление между подвижным ковольтный yGMilMTehb 5 постояйного тока контактом и вторым выводом токопроводя-, (ВУЩ клеммы 6 для подключенйя исследу-, щего элемента потенциометра 25. емойМДП-структУРы ойерацйойныйУСили- :. : Соотношение амплитудположительной тель 7 (ОУ), конденсатор 8, образцовый и отрицательной полуво н напряжения на

Резистор 9; фильтр 10 низких частот (ФНЧ), 35 вы„оде ФСА равно блок 11 задания напряжения (БЗН), блок 12 управления, первый пиковый, детектор 13 - .:"::: . -: .: — = —;: (3) 4з + R (ПД1); второй пйковый детектор 14 (ПД2), ai anого-цифровое запомийающее устрой- .где О з(+) — амплитуда положи ел ной полство 15 (АЦЗУ); ключ 16, усилитель 17 рис- 40 Уволны апр ж Ha aiixode ФСА; согласования, блок 1g задания тока (БЗТ), УЙТИ вЂ” амплитУда отРицательной полкомпаратор 19, таймер 20, регистратор 21, уволны напряжения на выходе ФСА. интегратор 22. - :::,"::-, : - :" :: :.: - Анализ выражений (2) и (3) показывает, ФСА содержит резистор 23, операцион- " что при nepeмeщeнии подви>кного контакта ныйусилитель24, потенциометр25;первый 45 потенциометра изменяется соотношенйе диод 26, второйдиод27, сумматор28.: " амплитуд поло>кительной и отрицательной

Блок управления содержит"первый re- Aofiyaáëí найряжения на выходе ФСА при нератор 29 тактовых импульсов, второй ге.- неизмейном его размахе. нератор 30 тактовых ймпульсов, второй . Напряжение Оз поступает на первый, . ключ 37, первый коммутатор 32, счетчик 33, 50 вход сумматора 4; На начало эксперимента второй коммутатор 34, второй компаратор ключ 16 разомкнут, а в АЦЗУ 15 записано

35, триггер 36,-: ".. -: —::--: .-..-::: напряжение, равное нулю, йоэтому напря-.

- АЦЗУ содержит первйй инвертор 37, женил 016 и 016, поступающие саответстаналого-цифровой преобразователь 38, за- венно на третий и второй входы сумматора, поминающий регистр 39, цифроаналоговый 55 Ра ы нулю. Напря>кение на выходе суммапреобразователь 40, третий коммутатор 41, тора определяется выражением второй инвертор 42, четвертый коммутатор

43, анализатор полярйости 44. U = К 0з+ К4 (Uis+ 0ы), . (4)

Устройство работает следующим обра- где 4 — коэффициент передачи сумматора зом. Напряжение синусоидальной формы с по первому входу;

1783454

К4 — коэффициент передачи сумматора

ll по второму и третьему входам.

Напряжение U4 поступает на вход ВУПТ

6 — нелинейная активная проводимость исследуемой МДП-структуры, вызванная эффектом горячих носителей.

Эквивалентная емкость МДП-структуры

5 определяется согласно выражению

С +С где Ci — емкость диэлектрика;

Сd — нелинейная емкость полупровод5, напряжение на выходе которого определяется выражением

05 = К5 U4 (5) где К5 — коэффициент усиления ВУПТ.

Напряжение U5 поступает одновременно на входы первого 13 и второго 14 пиковых CO

IG = IGo + g ав соз и с0 1 + л — 1

+ Bnstnп юк. детекторов и исследуемую МДП-структуру. 10 ника, Напряжение йа выходе ПД1 равно ": Подставляя выражения (9). (10), (11) в

01з = К1з Um5(+), (6) фоРмУлУ (8), имеют где К1з — коэффициент передачи ПД1; " .. : С1 С

Um5(+) — амплитудное значение напря- . жения положительной полуволны сигнала 15 7 5, 1+) о>(, р . U5: .: .: .Напряженйе Uy поступает йа вход ФНЧ

Напряжение на выходе ПД2 Равно 10, имеющего частоту среза гл,р Q Q й), HaV14 = K14 Vm5(-) Р) ПряжЕНИЕ На ВЫХОдв ФНЧ где К14 — коэффициент передачи ПД2;-:- ;;.;," К1о Uy, N < аср . Ц 5 -1 — амплитудное значение напря- .20 1О 0 в >в жения отрицательной полуволны сигнала где K1l>- коэффициент передачи ФНЧ в поЬ::,-: .лосе пропускания.

Второй компаратор 35, находящийся в: .:. Преобразователь ток-Hallpяжение на блоке управления 12, сравнивает напРяже- - - QY 7 является линейньщ устройством, сле- нйе U11, поступающее с выхода БЗН 11, с 25 довательно, можно рассматриватьего реакнапряжениемО1З или U14, вэавИСиМОС>1йОТ циЮ на ток Смвщвния И тОк иНжекЦИи иэ полярности полуволны напряжения воздей-.. принципа суперпозиции. Когда напряженствия. Полярность определяется типом про ность электрического поля в МДП-структуре водимости подложки и устанавливается. недостаточна для возникновения инжекцивторым коммутатором 34, Как только напря- 30 онного тока, 6 = 0, протекает только"реакжение на первом входе второго компарато . тивный ток смещения. В общем случае ра 35 превысит напряжение на его втоРОМ напряжение U5, поступающее на МДПвходе, первый компаратор 32 йереключает- . Сгруктуру, не симметрично, т.е. имеет йосто-ся во второе положение. При этом счетнь и "янную составляющую. Тем не менее, вход счетчика 33 подключается к вйходУ 35 постоянная составляющая напряжения Uy второго генератора 30 тактовых импульсов ;:.::" будет- равна нано (в чем легко убедиться," частота следования импульсов на выходе;::.: разложив 05 в ряд Фурье и подставив в которого меньше частоты сигнала на выхОде выражения (12) а = О), т.е, независимо от первого генератора 29 тактовых импульсо>в. " формы воздействующего на МДП-структуру

Это приводит к снижению скорости Роста .40 напряжения до возникновения тока инжекнапряжения на МДП-структуре. - . - ции постоянная составляющая напряжения

Напря>кение U5 воздействует на nfl-: на выходе Оу будет отсутствовать. структуру, подключенную к входу ОУ 7, в:: При дальнейшем увеличении напряжецепь отрицательной обратной связи (ООС).: ния на МДП-структуре возникает активный которого включены резистор В>и конденса-. 45 ток инжекции, т,к, 6 Ф 0, Составляющая тор Со, При этом напряжение на выходе ОУ: напряжения Uy на выходе ОУ, вызванная

07= ц5 o . (8),,, ТОКОМ ИН>КЕКЦИИ IG, РаВНа о х,- ..-,-, . - - U56Ro где Zоo- сопротивление цепи ООС; ::" : 7(. ) .t +j +Cо ро

Zx — сопротивление МДП-структуры. 50 При этом ток инжекции определяется

В свою очередь, выражением, .Z = Рo " . (9) iG=U5 6, (15)

" +) < Со Ro . „:.. Разложив ток инжекции s ряд Фурье, где и - круговая частота сигнала задающе- имеют

ro Генератора 1; 55 х =, (10)

j NСз+6 где С вЂ” эквивалентная емкость МДП-структу р ы (1t>) 1783454

12 где lao — постоянная составляющая тока инжекции;

an, Ьп — коэффициенты Фурье.

Постоянная составляющая тока инжекции является средним за период значением 5 тока инжекции: 2Л/ф () .()

2л о

Используя свойства выражения (13), подставляя в него значение 07 из формулы (14) и, в свою очередь, используя равенства (15), (16} и (17), определяют значение напряжения на выходе ФНЧ 10: 274/И

0jo = -К1о Ro ./ 1сз(t) dt. (18)

2к о

Таким образом, гармонические составляющие тока инжекции, включая основную частоту в; задерживает ФНЧ.

Как видно из формулы (18), напряжение 20

U>o пропорционально среднему за период току инжекции, протекающему через МДПструктуру.

При дальнейшем увеличении напряжения на МДП-структуре возникаеттокинжек- 25 ции, а следовательно, и U

Urp поступает на вход интегратора 22 и на первые входы усилителя 17 рассогласования и компаратора 19, на вторые входы которых поступает напряжение 01а с БЗТ 18. 30

Как только 0щ > 01з, срабатывает компаратор 19, размыкается второй ключ в блоке 12 управления, при этом прекращается поступление тактовых импульсов на счетчик 33, что приводит к прекращению раста напряже- 3 -> ния на МДП-структуре. Одновременно к этим таймер 20 начинает отсчет заданного времени эксперимента; запускается блок временной развертки регистратора 21, замыкается ключ 16. 40

Напряжение на выходе усилителя 17 рассогласования определяется выражением

0п = (U

В момент замыкания ключа 16 0д = О, . так как Uo, которое поступает на второй вход сумматора, тем самым изменяя напряжение на МДП-структуре так, чтобы средний за период ток инжекции был равен значению, определяемому напряжением

0щ. Напряжение U

По истечении заданного времени эксперимента на выходе таймера 20 вырабатывается импульс напряжения, по которому в

АЦЗУ 15 записывается значение напряжения 0 о, соответствующее сдвигу напряжения плоских зон за время эксперимента.

Одновременно происходит сброс в нулевое состояние счетчика 33 блока 12 упоавления, что в свою очередь приводит к сбросу напряжения на МДП-структуре.

Напряжение на выходе интегратора 22 определяется выражением

t o

022 = K22 Go dt (20) о где K22 — коэффициент передачи интегратора:

t — общее время эксперимента.

Таким образом, U22 пропорционально заряду, протекшему через диэлектрик. Последующий эксперимент на той же МДП. структуре начинается с напряжения, записанного в АЦЗУ 15, которое поступает на третий вход сумматора 4.

Формула изобретения

1. Устройство для контроля деградации

МДП-структур, содержащее задающий ге нератор, сумматор, фильтр низких частот, усилитель рассогласования, блок задания тока, первую и вторую клеммы для подключения исследуемой МДП-структуры и регистратор, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и повышения быстродействия, оно снабжено кодоуправляемым масштабным преобразователем, формирователем соотношения амплитуд, высоковольтным усилителем постоянного тока, операционным усилителем, конденсатором, образцовым резистором, компаратором, ключом, интегратором, аналого-цифровым запоминающим устройством, первым и вторым пиковыми детекторами, блоком управления, блоком задания напряжений и таймером, причем сигнальный и управляющий входы кодоуправляемого масштабного преобразователя подключены соответственно к выходу задающего генератора и к выходу блока управления, а его выход подключен к входу формирователя соотношения амплитуд, подключенного к первому входу сумматора, выход которого подключен через высоковольтный усилитель постоянного тока к входам первого и вто рого пиковых детекторов и первой клемме для подключения исследуемой МДП-структуры, вторая клемма для подключения исследуемой МДП1783454

14 структуры подсоединена через параллельно задания напряжения и к выходам первого и соединенные операционный усилитель, второго пиковых детекторов, конденсатор и образцовый резистор к входу 2, Устройство по п.1, о т л и ч а ю щ е ефильтра низких частот, выход которого под- с я тем, что, с целью расширения функциключен одновременно к входу интегратора 5 ональных возможностей, формирователь и первым входам усилителя рассогласова- соотношения амплитуд снабжен операциния и компаратора, вторые входы которых онным усилителем, резистором, двумя диосвязаны с блоком задания тока, выход уси- дами, потенциометром и сумматором, лителя-рассогласования подключен к сиг- причем первый вывод резистора является нальному входу ключа, выход которого 10 входом формирователя соотношения амподключен одновременно к второму входу плитуд, а второй вывод подключен односумматора, первому входу регистра и к сиг- временно к инвертирующему входу нальному входу аналого-цифрового запоми- операционного усилителя и подвижному коннающего устройства, выход последнего тактуйотенциометра, первыйвыводтокопроподключен к третьему входу сумматора, вы - 15 водящего элемента которого подключен к ход компаратора подключен одновременно катоду первого диода и первому входу суммак управляющему входу ключа, первому вхо- тора, второй выводтокопроводящего элеменду блока управления, второму входу регист- та подключен к аноду второго диода и ратора и входу таймера, выход которого второму входу сумматора, выходоперационподключен одновременно к управляющему 20 ного усилителя подключен одновременно к входу аналого-цифрового запоминающего аноду первого диода и катоду второго диода,. устройства и второму входу блока управле- а неинвертирующий вход подключен к общения, третий; четвертый и пятый входы кото- му проводу, выход сумматора является выхорого подключейы соответственно к блоку дом формирователя соотношенияампАитуд.

1783454

Составитель О.Карпанин

Техред М.Моргентал Корректор М.Максимишинец

Редактор Г.Бельская

Производственно-издательский комбинат Патент". r. Ужгород, ул.Гагарина. 101

Заказ 4513 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Устройство для контроля деградации мдп-структур Устройство для контроля деградации мдп-структур Устройство для контроля деградации мдп-структур Устройство для контроля деградации мдп-структур Устройство для контроля деградации мдп-структур Устройство для контроля деградации мдп-структур Устройство для контроля деградации мдп-структур Устройство для контроля деградации мдп-структур 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля схем коммутационной аппаратуры

Изобретение относится к СВЧ-технике и может быть использовано для измерения параметров лавинно-пролетных диодов Цель изобретения - повышение точности Поставленная цель достигается тем, что в способе определения малосигнального импеданса Л ПД, основанном на измерении параметров измерительной камеры совместно с ЛПД, производят измерение резонансной частоты КСВН в момент резонанса измерительной камеры с диодом при четырех величинах расстояния от оси ЛДП до короткозамкнутой торцовой стенки измерительной камеры и по полученным значениям резонансных частот, КСВН и расстояния вычисляют искомые параметры

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в сейсмическом приборостроении

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для ускоренной оценки показателей долговечности конденсаторов, в частности их у-процентного ресурса

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх