Способ контроля однородности фоточувствительности приемников излучения

Авторы патента:

H01L21/66 - испытания или измерения в процессе изготовления или обработки (после изготовления G01R 31/26)

Назначение: изобретение относится к области полупроводниковой техники и фотоэлектроники и может быть использовано для контроля однородности фоточувствительности полупроводниковых пластин. Сущность изобретения: поверхность пластин сканируют лазерным лучом. Модулируют диаметр лазерного луча в процессе сканирования. Регистрируют переменную составляющую фотосигнала, 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

s Н 01 L 21/66

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) Р»" йъ юлю р

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ., ИРа.)

ВЯВЛ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4787565/25 (22) 01.02.90 (46) 30.12.92. Бюл. ¹ 48 (71) Институт радиотехники и электроники

АН СССР (72) А.Г.Ждан, В.В..Рыльков, В.В.Фомин и .

А.Г»Шафран (56) Mc Nan 1Л . Interband Optical Properties

of Ога!и Baundaries in Germanium: Au

Amorphons System. "Rhys. Rev. В.". l969, v, 178, N 3, р. 1328 вЂ” 1336.

Изобретение относится к области полупроводниковой техники и фотоэлектроники и может быть использовано для контроля однородности фоточувствительности полупроводниковых пластин.

Известен способ, включающий сканирование лазерным лучом поверхности образца, регистрацию фотоотклика и суждение об однородности приемника излучения по изменениям фотоотклика. Этот способ имеет недостаточную чувствительность.

Целью изобретения является повышение чувствительности способа контроля однородности фоточувствительности приемников излучения.

Поставленная цель достигается тем, что в способе, включающем сканирование лазерным лучом поверхности образца, регистрацию фотоотклика и суждение об, однородности приемника по изменениям фотоотклика, модулируют диаметр лазерного луча и регистрируют фотоотклик на частоте модуляции лазерного луча. Ж, 1785050 А1 (54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ ОДНОРОДНОСТИ

ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ПРИЕМНИКОВ ИЗЛУЧЕНИЯ (57) Назначение: изобретение относится к области полупроводниковой техники и фотоэлектроники и может быть использовано для контроля однородности фоточувствительности полупроводниковых пластин, Сущность изобретения: поверхность пластин сканируют лазерным лучом, Модулируют диаметр лазерного луча в процессе сканирования, Регистрируют переменную составляющую фотосигнала, 1 ил.

Для осуществления способа используют устройство, изображенное на чертеже, и содержащее. С0-лазер 1 с пьезокорректором, делитель 2 лазерного пучка, модулятор

3 пространственного положения луча, систему 4 автоматической подстройки частоты (АПЧ) СО-лазера, фотоприемник 5 системы

АПЧ, пропускающую линзу 6 на фотоприемник системы АПЧ, поворотное зеркало 7, усилитель 8 мощности, звуковой генератор

9, усилитель 10 мощности, поворотное зеркало 11, прерыватель 12, устройство 13 фокусирующее и перемещающее лазерный пучок по поверхности образца с контролем пространственного положения, модулятор

14 диаметра лазерного пучка, падающего на образец, гелиевый криостат 15 с образцом, двухкоординатный самописец 16, микроЭВМ Электроника ДЗ-28 17, устройство 18 сопряжения с микроЭВМ, цифровой вольтметр 19, синхронный детектор 20 и усили тель 21 напряжения.

Способ осуществляют следующим образом. Лазерное пятно сканируют по поверх1785050

Составитель А.Шафран

Техред M.Mîðãåíòàë Корректор H.Ãóíüêî

Редактор

Заказ 4369 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул.Гагарина, 101 ности приемника при помощи устройства 13, диаметр лазерного пучка моделируют с частотой Q= 10 кГц при помощи модулятора 14, регистрируют отклик фотоприемника на частоте И вольт- 5 метром 19, данные о положении лазерного пятна и величине фотоотклика заносятся в микро-ЭВМ 17 и выводятся О на самописец, по кривой на самописце судят об однородности фоточувстви- 10 тельности приемника.

Формула изобретения

Способ контроля однородности фоточувствительности приемников излучения, включающий сканирование лазерным лучом поверхности образца, регистрацию фотоотклика и суждение об однородности приемника излучения по изменениям фотоотклика, отл ичаю щи йс я тем, что, с целью повышения чувствительности способа, модулируют диаметр лазерного луча и регистрируют фотоотклик по частоте модуляции диаметра лазерного луча.

Способ оценки качества анодного окисла в процессе его выращивания // 1783934

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано при электрохимическом окислении полупроводников

Способ оптического контроля однородности состава твердого раствора на основе полупроводников // 1783933

Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению, в частности к способам определения параметров материалов, используемых в полупроводниковых светофильтрах, лазерных электронно-лучевых трубках, фотодиодах и полупроводниковых лазерах

Измерительный зонд // 1783597

Способ бесконтактного измерения времени жизни неравновесных носителей тока в полупроводниках // 1778821

Способ исследования поверхности твердого тела туннельным микроскопом // 1778820

Способ измерения объемного времени жизни неравновесных носителей заряда в примесных полупроводниках // 1778819

Способ контроля профиля примеси во встроенном канале мдп - транзистора // 1777189

Способ определения профиля подвижности носителей заряда в полупроводниковых слоях // 1775753

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано как неразрушающий способ определения профилей подвижности носителей тока в полупродниковых слоях на полуизолирующих или диэлектрических подложках

Способ определения концентрации носителей заряда в базовой области р-п-перехода // 1774397

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Устройство для измерения толщины плоского изделия и способ его реализации // 2107257

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Способ градуировки резонансного датчика параметров эпитаксиального слоя на проводящей подложке // 2107356

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния // 2110116

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Способ регулирования величины напряжения в открытом состоянии тиристоров и диодов // 2119211

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов

Способ контроля однородности слоев пористого кремния на монокристаллическом кремнии // 2119694

Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния // 2120683

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Способ контроля дефектности пленок диоксида кремния на кремниевых подложках // 2127927

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349