Способ определения профиля поля скоростей текучей среды и устройство для его осуществления

 

СОЮЗ СОВЕТСК Х социАлистических

РЕСПУБЛИК (5t)5 G 01 P. Б/12

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

K АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4932051/10 (22) 05.05.91 (46) 07.01.93. Бюл. ¹ 1 (71) Ленинградский технологический институт холодильной промышленности и Киевский технологический институт легкой промышленности (72) 10,А.Ñêðèïíèê, В,A.Áàëàáàø, В,Н.Замарашкина и А.В.Алексашин (56) Коротков П.А, и др. Динамические контактные измерения тепловых величин. Л,:

Машиностроение, 1974, с. 105.

: Спектор С.А, Электрические измерения физических величин. Jl.: Энергоатомиздат, 1987, с. 246-247.

Зайцев Ю.B. и др. Полупроводниковые .термоэлектрические преобразователи. M.:

Радио и связь. 1985. с. 107-110, (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРОФИЛЯ

ПОЛЯ СКОРОСТЕЙ ТЕКУЧЕЙ СРЕДЫ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ (57) Использование: определенйе профиля поля скоростей стационарных потоков при оптимизации размеров и конфигурации су. шильных и холодильных камер и рабочих объектов других технслогических аппаратов. Сущность изобретения: Бескорпусные транзисторы, расположенные в заданных . точках текучей среды, поочередно подклюИзобретение относится к области изме- рения линейных. скоростей воздушных и

>кидкостн ых потоков подо гревн ыми термо" датчиками и может быть использовано для определения профиля поля скоростей ста- ., БЦ,, l78644G Al

2 чаются к источнику постоянного напря>кения через калиброванный нагрузочный резистор, в результате чего происходит нагревание транзисторов до температуры, превышающей температуру окружающей средьь Регистрируют падения напряжений на открытых переходах транзисторов до дости>кения установившегося нагрева и определяю г среднеквадратическое отклонение падения напряжения на одном из транзи- сторов. Изменяют калиброванное сопротивление источника питания до достижения значения, при котором устайовившиеся падения напряжений на открытых переходах транзисторов превышают ранее установленные на величину, равную 10 — 20 значениям среднеквадратического отклонения.

Регистрируют вторые значения падений напряжений на транзисторах. Измеряют TGMпературу окружающей транзисторы текучейсреды, а локальные скорости, определяющие профиль поля скоростей для газовой . или жидкой среды, определяют из соответствующих соотношений, При этом исключаются и о греш ности, связанные c: неидентичностью и нестабильностью параметров ряда используемых транзисторов, 1 ил. 1 ционарных потоков при оптимизации размеров и конфигурации сушильных и холодйльных камер и рабочих обьемов других технологических an паратов.

1786440

Извесген способ определения локальных скоростей текучей среды, основанный на измерении температуры нагретых термодатчиков, установленных в ряде точек движущегося потока. При помещении в движущуюся жидкую или газовую среду нагреваемых электрическим током термодатчиков конвективный снос тепла потоком является основным фактором, определяющим температуру их нагрева, по которым судят о локальных скоростях движущейся среды.

Недостатком способа определения локальных скоростей по температурам нагрева термодатчиков является низкая точность из-за непостоянства электрической мощности, рассеиваемой каждым датчиком в движущуюся среду и локальных изменений физико-химических параметров среды в точках контроля при значительных перегревах датчиков.

- Известен способ определения локальных скоростей текучей среды, основанный на измерении электрических сопротивлений термодатчиков, работающих в режиме заданной температуры. Благодаря уравновешивающему преобразованию каждого датчика локальные скорости определяются по значениям. электрических токов, которые питают самобалансирующиеся мосты с термодатчиком в одном из его плеч. При этом температуры нагрева датчиков остаются практически постоянными, а профиль поля скоростей определяется по разности нагревающих электрических токов, Однако и этот способ не обеспечивает высокой точности определения локальных скоростей в месте установки полупроводниковых датчиков из-за нестабильности их параметров во времени и нелинейной зависимости от протекающего тока.

Наряду с металлическими и полупроводниковыми терм оп реобразователями в технике измерения скоростей стали применять также транзисторные термодатчики, в которых температурная зависимость напряжения смещения на базе Uo транзистора при низком уровне инжекции имеет линейный характер. Избыточная температура Лt, равная разности между температурой нагретого датчика и среды, является функцией скорости движения среды V, т. 8. .

I где à — площадь поверхности термодатчика, участвующая в теплообмене.

Величину Л t определя1от по величин»

Ue при стабилизации тока коллектора.

Наиболее близким по технической сугцности и достигаемому результату к предла5 гаемому является способ определения локальных скоростей текучей среды (см.

Зайцев Ю.B. и др. Полупроводниковые термоэлектрические преобразователи.— M.: Радиосвязь, 1985, с. 107-110), основанный на

10 том, что бескорпусные транзисторы располагают в заданных тачках исследуемой среды, пропускают через открытые р — n-переходы транзисторов токи, которыми нагревают транзисторы до значения темпе15 ратуры выше температуры исследуемой среды, измеряют падения напряжений на открытых переходах транзисторов, а также температуру исследуемой текучей среды, определяют коэффициенты теплоотдэчи

20 транзисторов, по значениям которых судят о локальных скоростях в точках расположения транзисторов.

Коэффициенты теплоотдачи транзисторов, зависящие от локальных скоростей сре25 ды в точках их расположения, определяют по формуле:

Un n г п —

30 где йп — коэффициент теплоатдачи в и-й точке, Un — падения напряжения на п-м открытом р — n-переходе, п — ток, протекающий через р-и-переход, Л Тп — перегрев, транзистора относительно среды в и-й точке, F — поверхность теплообмена транзи40 стара, Зависимость коэффициента теплоотдачи а от скорости текучей среды определяют в процессе калибровки для конкретных теплофизических параметров исследуемого по45 тока жидкости или газа, устройство для измерения профиля поля скоростей текучей среды, выбранной в качестве прототипа; содержит источник постоянного напряжения, к выходу которого через калиброванный нагрузочный резистор подключен инвертирующим входом операционный усилитель, в цепь обратной связи которого включен транзисторный термодатчик, а к выходу операционного усилителя подключен отсчетно-регистрирующий прибор;

Недостатком известного способа и устройства является невысокая точнос1ь иэме рения скорости в ряде точек из-зл

1786440 неидентичности параметров датчиков транзисторов, обусловленных технологическим разбросом. Предварительная калибровка каждого транзисторного датчика не гарантирует высокой точности в определении профиля поля скоростей текучей среды изза временной и температурной нестабильности параметров транзисторов, вызываемой физико-химическими процессами износа и старения переходов полупроводниковой структуры, особенно при использовании датчиков в агрессивных средах.

Целью предполагаемого изобретения является повышение точности определения локальных скоростей текучей среды за счет исключения погрешностей, возникающих из-за неидентичности и нестабильности параметров ряда используемых транзисторов.

Поставленная цель достигается тем, что в способ определения профиля поля скоростей текучей среды, включающий размещение в заданных точках текучей среды бескорпусных транзисторов, нагрев транзисторов до температуры, превышающей температуру исследуемой среды путем пропускания через открытые р — n-переходы транзисторов тока, регистрацию падений напря>кений на открытых переходах транзисторов, измерение температуры текучей среды и определение коэффициентов теплоотдачи транзисторов, по значениям кото° рых судят о локальных скоростях в точках расположения транзисторов, дополйительно введены новые операции йоочередного подключения транзйсторов к одному источнику постоянного напряжения через калиброванный резистор с сопротивлением R>, регистрации падений напряжения Uf на

I транзисторах после достижения установившегося нагрева, определения среднеквадратического отклонения падения напряжения на одном из транзисторов, изменения калиброванного сопротивления нагрузки источника питания до значения Rz, при котором установившиеся падения напряжений превышают ранее установленные значения на величину, равную 10 — 20 значениям среднеквадратического отклонения, регистрации падений напряжений U на транзисторах, определения локальных скоростей газовой V„, и жидкой Чп < сред из соотношений;

hr

3 лж где i — кинематическая вязкость среды, X — теплопроводность среды, d — диаметр бескорпусного транзистора, 10 с — коэффициент, зависящий от числа

Рейнольдса, а — температуропроводность среды, m — коэффициент, зависящий от числа

П ра ндтля, F — поверхность теплообмена бескорпусного транзистора, . Uo — напряжение питания, смещающее р — и-переход транзисторов в прямом направлении, 20

То — температура текучей среды, q — заряд электрона, К вЂ” постоянная Больцмана.

Поставленная цель в предлагаемом уст- ройстве достигается тем, что в устройство для определения профиля поля скоростей текучей среды, содер>кащее источник постоянного напряжения, калиброванный резистор и операционный усилитель, в цепь сторный термодатчик, дополнительно введены новые блоки: аналого-цифровой преобразователь, второй калиброванный резистор, двухпозиционный переключа35 тель, два цифроуправляемых коммутаторов и микро-ЭВМ, а транзисторный термодатчик выполнен в виде полупроводниковой матрицы, узлы которой соединены через бескорпусные транзисторы в диодном

40 включении, при этом входы цифроуправляемых коммутаторов соединены с ортогональными проводниками матрицы, выход первого цифроуправляемого коммутатора соединен с инвертирующим входом операционного усилителя, выход операционного

45 усилителя соединен с выходом второго цифроуправляемого коммутатора и входом аналого-цифрового преобразователя, выход которого соединен с шиной данных микро50 ЭВМ, управляющие входы коммутаторов и управляющий вход двухпозиционного переключателя подключены через порты вводавывода данных к общей шине микро-ЭВМ, а выход источника постоянного напряжения подключен через параллельно соединенные калиброванные резисторы и двухпозиционный переключатель к инвертирующему вхо-.

55 ду операционного усилителя.

30 обратной связи которого включен транзи1786440

-в/т викт (2) KT,.ln (I/lp)+ КВ

g (3)

U1 Uo аR F"

02 Оо 2 1F (8) 50

U3 UO T1 — Я

Сущность предлагаемого способа заключается в следующем.

Бескорпусные транзисторы располагаются в заданных точках текучей среды. Поочередно к электродам транзисторов подключают источник постоянного напряжения, смещающий р — и-переход в прямом направлении. Связь между током 1 через р — п-переход и падением напряжения U на нем определяется уравнением вольтамперной характеристики;

О е — В/т(ецИкт 1) (1) где Ioå в/ — ток насыщения, зависящий от абсолютной температуры Т, о — ток насыщения при Т -+ co.

 — коэффициент, имеющий размерность температуры и зависящий от ширины зоны перехода, q — заряд электрона, - К вЂ” постоянная Больцмана..

Учитывая, что при температуре Т 300

К значение КТ/q 26 м В, можно уравнение (1) представить в упрощенном виде:

Из уравнения (2) падение напряжения на открытом р — n-переходе будет иметь вид:

Учитывая, что ток насыщения lp» 1, падение напряжения представим выражением:

U = — — — In(Ip/!)T, (4)

КВ К

Ц Ц. из которого видно, что падение напряжения на открытой р-и- переходе линейно зависит от температуры Т и уменьшается с увеличением температуры, Силу тока через переход задают последовательно включенным резистором, сопротивление которого выбирают из условия нагрева транзистора относительно неподвижной среды на (5 — 7) К. В этом случае падение напряжения на переходе определится температурой исследуемой среды То и перегревом транзистора ЛT под действием тока )< = 0о/R>

U = — — — ln U о+оТ, (5) где Uo — напряжение источника питания, смещающее р-п-переход транзистора в прямом направлении, R> — сопротивление нагрузки в цепи пи5 тания транзистора, При поочередном подключении транзисторов, расположенных в точках контроля локальных скоростей текучей среды, через нагрузочный резистор к источнику питания

10 получаем: где В1, B2, ..., Bn и l01, аког, ..., Ipn — параметры

20 транзисторов, характеризующие их индивидуальные свойства и зависящие от степени их технологического разброса, Регистрируют после нагрева транзисто/ / ров падения напряжений U>, Uz, ..., Ur u

25 изменяют ток через транзисторы до значе/ /. ния Iz = Uo /Rz, при котором устанавливаются новые значения перегревов и соответствующие им падения напряжений: о

?от 14

ll, = — -- Еп — (Т,+ат,1

U, P)

° \ ° с \ а °

35 „ 8 Z p о где Ry. — второе значение сопротивления резистора в цепи транзисторов.

40 Если мощность, рассеиваемую транзистором, выразить через произведение тока перехода и падения напряжения на нем, то для небольших перегревов (Л Т <(8 — 10) К) имеем

45 а измененные перегревы соответственно

1786Ф!0

ЛТ "—

ГХп Р2 F где ai, а2,,.. % — коэффициенты тепло- 5 отдачи транзисторов, F — поверхность теплообмена выбранного типа транзисторов.

Различия между перегревами АТ> и !

А Т,, Л Т2 и A T2,,;„Л Т!! и ЛТ!! TBM 10 меньше, чем меньше различия. между.нагревающими токами )1 и Iz, Силу тока изменяют в минимальных пределах, но настолько, чтобы возникающее падение напряжейия на переходе было 15 достаточно различимо с предыдущим на фоне помех от флюктуаций локальных скоростей и шумов транзистора, При нормальном распределении- случайных отклонений напряжения относительно среднего значения 2р падения напряжения максимальная случайная погрешйость измерения не может быть больше среднеквадратйческого отклонения при вероятности P = 0,997 более, чем в 3 раза. Поэтому разность падений напряжений, например, в первой точке должно удовлетворять условию

K Йг

U> — U> = — In — х

q К1)

30 х(ЛТ1" — ЛТ1 ) ае(лб, (10) где у Л U — среднеквадратическое откло- ) 2 нение регистрируемого напряжения, E — i коэффициент запаса.

При выборе коэффициента e = 10-20 падейия напряжения 01, Uz!...., 0п можно зарегистрировать с малой систематической погрешностью, прис ущей цифровым милливольметрам или ЭВМ с аналого-цифровыми преобразователями.

Определяют иэ ряда йзмерений падений напряжений;значение среднеквадратического отклонейия, например, в первой точке, и выбирают значение сопротивления йг, удовлетворяющее условию(1 О). При этом 45 можно считать, что перегревы от токов I> и

1г одного перехода мало отличаются друг от друга, т.е.

AT< =- ЛТ1"; АТг — = ЛТа";

ЛТ„ = АТ,". (1 1)

В соответствии с соотношением (11) перегревы ЛТ1, ЛТг, ..., ЛТ„ в выражении (6) и перегревы

ЛТ1", ЛТ2", ... ЛТв" в выражении (7) можно заменить средними negeerea аТ КТ О, дТ,= — — = +К, R„RgF

к к % Р )

° ° ° ! tl !!

А4л I!Tn "n 0 Uo

Ь҄— 1— 2 о aF

Тогда с учетом средних перегревов иэ (12) выражение (6) представим s виде:

ro! R!

u =- --е. " т.!!т)

Ф Ч а ) о

0 = — -.— п (,Т!)+6 Гд о ! 4 к Io R — (Т, ЬТ„) и !! о в р а выражение (7) соответственно

« 6 К TК, !!, — - — En " )(т,+ат,), О о,= — — — en(" )(т.„.,1, «» кв, к ц.,g, .0 = — — en n 0 Т. АТ„., Определяют разности падений напряжений на каждом транзисторе при двух значениях сопротивления в нагрузке источника питания

,» ТО+ Т ) Ь ! !!,"-!!, = " ь(—",), ° ° ° \ ° ° ° ,!! !. R(T. Тj 0

U-u,=- " 8в —, ф Rg

° Ъ

Из соотношения (15) с учетом (12) находят средние перегревы транзисторов: и иО U. i(u, -й (R, Кj 2о4Р k n(< (0 ) ®

11 1786440 12 л

Решая уравнения (16) относительно ко- gq y g ю j о,4 (ц >р эффициентов теплоотдачи транзисторов, — — Un z) о получают (и ) г Я д1 (u, fR, + u, /Р,1Ц 5 . Ken(R,JR )

Ы,—

) Р ("- «.1

Из полученных уравнений (20) и (21) опЯ. (Р (R fg ) òî ределяют значения локальных скоростей V1, (Д) V2, ..., V текучей среды по зарегистрирован(и „Iu, + u „„ fa„f и, ным значениям падений напряжений на транзисторах (U>, Uz, ..., U> и U<, Ua; ..., " uen(u,

Коэффициенты теплоотдачи каждого . ц. у Р ц к.)

«ранзистора:зависят от локальных скоро-. 5 g(0 ", - 0„1 стей текучей среды. Так, если бескорпусной с " < ° о

КЕл(Р,, Rz— транзистор, имеющий форму цилиндра, расположен поперек потока, что коэффициенты теплоотдачи для газов и жидкостей соответственно определяются по формулам:

1 лг

20 ) в с д с Ч4 с

1Г С1 ) cA V

ОС = — -R

2r q - egg

c9. (с

ИГ- —,, я

= — — = — е

ЗО с9 ун ОФ

З5 „ " (u„fR, u„ (R, JU„ ЪЬ" п 1 55 " ке(к,(а ) Л а для жидкостных потоков

C9, "и ОФ п х ел Р 7 где %, Vz, ..., /и — локальные скорости, Л и v — соответственно теплопроводность и кинематическая вязкость среды, d — диаметр бескорпусного трайзистора, с и m — коэффициенты, зависящие от 45 числа Рейнольдса Ren =- Vnd/v и числа Прандтля Pr = Р /а, зависящего от кинематической . вязкости среды и ее температуропроводности а.

Приравняв выражения (18) и (19) с (17), SO получим для газовых потоков

Устройство для определения профиля поля скоростей текучей среды (см. чертеж ) содержит источник 1 постоянного напряжения,. к выходу которого через калиброванные резисторы 2 и 3 и переключатель 4 подключен инвертирующим входом опЕрационный усилитель 5, в цепь обратной связи которого поочередно через коммутаторы 6 и

7 включаются транзисторы 8, 9, „„10, расположенные в узлах проводниковой матрицы 11, и калиброванный резистор 12 в одном из узлов матрицы. К выходу операционного усилителя 5 подключен аналого-Цифровой преобразователь (АЦП) 13, кодовые выходы которого подключены к шине дан ных микро-3ВМ414. Через порты ввода-вывода данных к общей шине микро-3ВМ 14 подключены управляющие входы переключателя 4 и коммутаторов 6 и 7, а также дис- . плей 15, клавиатура 16 и цифропечатаю1цее ,устройство 17.

Устройство работает следующим о6разом, По команде микро-3ВМ 14 переключатель 4 устанавливается в верхнем положении, а коммутаторы 6 и 7 включают в Цепь обратной связи операционного усилителя 5 калиброван н ый резистор 12. Напряжение источника питания 1 через резистор 2 С сопротивлением Я1 поступает на инверти )ующий вход операционного усилителя 5.

Благодаря глубокой отрицательной обратной связи через резистор 12 с сопротивле кием Rz, равным примерно сопротивленик

1786110

20

1, Способ определения профиля поля скоростей текучей среды, включающий размещение в заданных точках текучей среды

30 бескорпусных транзисторов, нагрев транзисторов до температуры, превышающей температуру исследуемой среды, г утем пропускания через открытые р-и-переходы транзисторов тока, регистрацию падений напряжений на открытых переходах транзисторов, измерение температуры текучей среды и определение коэффициентовтеплоотдачи транзисторов, по значениям которых судят о локальных скоростях B точках расположения транзисторов, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения точности, транзисторы подключают поочередно к одному источнику постоянного напряжения через калиброванный резистор с сопротивлением R„, регистрируют падения напряже45 ния 11 на транзисторах после достижения установившегося нагрева, определяют среднеквадратическое отклонение падения напряжения на одном из транзисторов, изменяют калиброванное сопротивление на5р грузки источника питания до значения Rz при котором установившиеся падения напряжений превышают ранее установленные значения на величину, равную 10-20 значениям среднеквадратического отклоне5 ния, регистрируют вторые значения падений напряжений И„на транзисто/! рах, а локальные скорости газовой Vnj u жидкой Vnw сред определяк из сооТНс шений

Использование транзисторов 8, 9..., 10 в других узлах матрицы 11, включенных по схеме общей базы (диодное включение), позволяет исключить влияние базового сопротивления транзистора на вид его вольтамперной характеристики р-и-перехода, а, следовательно, уменьшить различие вольт-амперных характеристик используемых транзисторов по динамическому сопротивлению ю. открытого р--n-перехода транзистора, входное напряжение усилителя близко к нулю, а его выходное напряжение не зависит от его коэффициента усиления и пропорционально напряжению источника питания Up (U„b,„„-.= (Вз/Ко)0о). Выходное напряжение усилителя 5 преобразуется с помощью АЦП 13 в цифровой код, который вводится в память микро-3BIVI 14. Затем по команде микроЭВМ 14 коммутаторы 6 и 7 включают в цепь обратной связи усилителя 5 транзистор 8, расположенный в и-й точке контролируемой среды, Из-за глубокой обратной связи через р — и-переход транзистора 8 входное напря>кение усилителя 5 также устанавливается близким к нулю и разогревающий ток задается напряжением источника питания 1 и калиброванным резистором 2 (1) = UO/Rl).

Выходное напря>кение операционного усилителя 5 равно падению напряжения на ри-переходе транзистора 8 с обратным знаком и также не зависит от коэффициента усиления самого усилителя (UBblx = Un ).

Поскольку значение тока через р-и-переход транзистора задается калиброванным резистором 2 и стабильным источником питания 1, то выходное напря>кение усилителя 5 является функцией температуры нагрева перехода, которая в свою очередь определяется ) окальнои скоростью среды в контролируемой точке. Соответствующее значение кода вводится в память микро-ЭВМ 14. В последующих положениях коммутатора регистрируются и запоминаются коды падение напряжений на транзисторах 9.„10, расположенных в других точках исследуемой среды, соответствующих узлам матрицы 11.

Далее по команде от микро-3ВМ 14 переключатель 4 подключает ко входу операционного усилителя 5 калиброванный резистор 3 с сопротивлением Рр, которое выбирают из соотношения (10). Разогревающий ток через переходы транзисторов изменяется и становится равным Iz = Uo/R2, Коды падений напря>каспий на транзисторах, включаемых коммутаторами 6 и 7, поочередно вводятся в пгмягь микро-ЭВМ 14

И ff If (U1, U2, ..., Un), где фик<.ируются. По результатам двух измерений гадений нзпряжений.! л на переходах каждого транзисто >а (Un и 0п) включаемых матрицей 11, и значениям калиброванных резисторов (Ri и Й2, и Вз) по алгоритму решения уравнения (22) или (23) определяются локальные скорости потоков в контролируемых точках, результаты которых выводятся на дисплей 15 и цифропечать

17. В память микро-3ВМ 14 с пульта 16 вводятся значения температуры текучей среды ),, ее теплолроводность Я, кинематическая вязкость v, температуропроводность а для жидких сред, а также параметры, характеризующие геометрические размеры транзисторов (d, F) и физические константы (K, q). По введенным данным микро-ЭВМ 14 рассчитывает значения чисел Рейнольдса и

Прандтля, по которым в оперативную память микро-ЭВМ 14 вводятся коэффициенты с и m по таблицам соответствия, записанным в ПЗУ микро-ЭВМ 14.

Формула изобретения

К Ь (R, IRij где м — кинематическая вязкость среды;

Л- теплопроводность среды;

d — диаметр бескорпусногб транзистора; с — коэффйциент, зависящий от числа

Рейнольдса; а -- гемпера-гуропроводность среды;

rn — - коэффициент, зависящйй от числа

Пран дтля;

F — - поверхность теплообмена бескор г усного т"ранзи.стора;

U6-- напряжение питания, смещающее р - и-переход транзисторов в прямом наи"рай лен ии", To — температура текучей среды;

q — заряд злектройа;

К- постоянная Больцмана, .

2, Устройство для определения профиля поля скоростей текучей среды, содержащее источйик постоянного напряжения, калибДбвййййй резистор и операционный усили786440 16 тель, в цепь обратной связи которого включен транзисторный термодатчик, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повыше-.1 ния точности, в него введены аналого-циф-. ровой преобразователь, второй калиброванный резистор, двухпозиционный переключатель, два цифроуправляемых коммутатора и микроЭВМ, а транзисторный термодатчик выполнен в виде проводниковой матрицы, узлы которой соединены через бескорпусные транзисторы в диодном включении, при атом входы цифроуправляемых коммутаторов соединены с ортогональными проводниками матрицы, выход первого цифроуправляемого коммутатора соединен с инвертирующим входом операциойного усилителя, выход операционного усилйтеля соединен с выходом второго цифроуправляемого коммутатора и входом ана лого-цифровогс преобразователя, выход которого соединен с шиной данных микроЭВМ, управляющие входы коммутаторов и уп равляющий вход двухпозицион ного и ереключателя подключены через порты вводавывода данных к общей шине микроЭВМ, а выход источника постоянного напря>кения подключейчерез параллельно соединенные калиброванные резисторь1 и двухпозиционный переключатель к инвертирующему вхоЖ ду операционного усилителя.