Способ очистки триалкилалюминия и триалкилгаллия

 

Изобретение касается металлорганических соединений, в частности способа очистки триалкилалюминия и триалкилгаллия, используемых в качестве полупродуктов при синтезе полупроводниковых соединений. Цель - повышение степени чистоты продукта и упрощение процесса очистки. Процесс ведут ректификацией исходной смеси. Продукт ректификации в парообразном состоянии при температуре на 3 - 5С выше температуры кипения пропускают через смесь сорбентов. Последняя состоит из активированного угля БАУ, пиролитически обработанного анионита АН-221 и гидролизата триалкилгаллия (или триалкилалюминия) при их массовом соотношении (4 - 6) : (3 - 4) : 1. Способ позволяяет получать продукт содержащий, мас. % : примеси металлов 10-6-10-7; сера, селен, теллур 10-6-10-7 галоиды и кремний 10-5, а также увеличить интенсивность процесса в 3 - 4 раза. 2 табл.

Изобретение относится к улучшенному способу очистки триалкилалюминия и триалкилгаллия, используемых в качестве исходных материалов при синтезе полупроводниковых соединений класса АIIIBV. Целью изобретения является повышение степени чистоты продукта и упрощение процесса очистки целевых продуктов. П р и м е р 1. 150 г триметилалюминия, предварительно очищенного ректификацией, подают в куб сорбционной колонны и испаряют в течение 30 мин. Пары пропускают через сорбционную колонну, заполненную смесью сорбентов, состоящей из 6 г активного угля БАУ, 3 г пиролитически обработанного анионита АН-221 и 1 г гидролизата триметилалюминия, при температуре 130оС (температура кипения триметилалюминия 126оС). Пары конденсируют, головную фракцию и десорбированный триметилалюминий направляют в куб ректификационной колонны. Продукт затаривают. Выход очищенного продукта 95% . Качество продукта представлено в табл. 1 и 2. П р и м е р 2. 100 г триметилгаллия, предварительно очищенного ректификацией, подают в куб сорбционной колонны и испаряют его. Пары пропускают через сорбционную колонну, заполненную сорбентом, состоящим из 5 г активного угля БАУ, 3 г пиролитически обработанного анионита АН-221 и 1 г гидролизата триметилгаллия, при температуре 62оС (температура кипения триметилгаллия 56-67оС). Далее по примеру 1. Выход очищенного продукта 92% . П р и м е р 3. Условия процесса по примеру 1, но сорбционную очистку проводили только на активном угле БАУ (8 г). Качество полученного продукта представлено в табл. 1 и 2. П р и м е р 4. Условия эксперимента по примеру 2, но сорбционную очистку проводили на гидролизате триметилгаллия (10 г). Качество полученного продукта представлено в табл. 1 и 2. П р и м е р 5. Условия процесса по примеру 2, но сорбционную очистку проводили на пиролитически обработанном анионите АН-221 (12 г). Качество полученного продукта представлено в табл. 1 и 2. П р и м е р 6. Условия процесса по примеру 1, но температура в сорбционной колонне составляет 120оС. Наблюдалось резкое повышение давления. Процесс прекращен. П р и м е р 7. Условия процесса по примеру 1, но соотношение сорбентов следующее: активный угол БАУ 5 г, пиролитически обработанный анионит АН-221 3 г, гидролизат триметилалюминия 2 г. Качество полученного продукта представлено в табл. 1 и 2. П р и м е р 8. Условия процесса по примеру 2, но соотношение сорбентов следующее: БАУ 5 г, пиролитически обработанный анионит АН-221 0,5 г, гидролизат триметилгаллия 4 г. Качество продукта см. в табл. 1 и 2. П р и м е р 9. Условия процесса по примеру 2, но соотношение сорбентов следующее, г: БАУ 7, пиролитически обработанный анионит АН-221 3, гидролизат триметилгаллия 1. Качество продуктов см. в табл. 1 и 2. При очистке триметилгаллия и триметилалюминия от примесей, влияющих на электрофизические параметры эпитаксиальных покрытий, был испытан ряд сорбентов. Наилучшие результаты по сорбции кремнийсодержащих примесей получены на пиролизованном анионите АН-221. Максимальная адсорбция тетраметилсилана составила 2,5 ммоль/г сухого пиролизованного анионита АН-221. Адсорбция тетраметилсилана другими сорбентами: БАУ, цеолиты NaА, NaX, СаХ, полиамфолиты ПА-1, полисорб-1, включая анионит АН-221, не превышает 0,5-1 ммоль/г, что делает их непригодными для практического использования. Кроме того, преимуществом пиролизованного анионита А-221 является исключение загрязнения сорбатов органическими соединениями за счет собственной растворимости полимерных сорбентов, которая находится на уровне 10-4 мас. % . В отличие от исходного анионита АН-221, содержащего от 5,0 до 7,5 N и имеющего обменную емкость по 0,1 М HCl от 3,0 до 5,0 ммоль/г пиролизованный анионит АН-221 содержит от 4,0 до 6,0% N и имеет обменную емкость по 0,1 М НСl 1,0-1,5 ммоль/г и приобретает обменную емкость по 0,1 М NaOH, которая составляет 1,5-2,0 ммоль/г (исходный анионит обменной емкости по 0,1 М NaОН не имеет). Приведенные данные показывают существенное отличие пиролизованного анионита АН-221 от исходного анионита АН-221, что и обусловливает их различные сорбционные свойства. Комплексный сорбент, состоящий из активного угля БАУ, пиролизованного анионита АН-221 и гидролизата треметилгаллия или триметилалюминия в соотношении 4-6: 3-4: 1 действует следующим образом: очистка триметилгаллия и триметилалюминия от примесей металлов и элементов VII группы происходит на активном угле БАУ, от примесей элементов VI группы - на гидролизате триметилгаллия или триметилалюминия соответственно, от примесей IV группы - на пиролизованном анионите АН-221 (перечислены классы примесей, лимитирующие качество продукта. Таким образом, применение предлагаемого способа позволяет значительно упростить процесс очистки триалкилгаллия или триалкилалюминия, а также контроль режимных параметров. Сорбционная очистка проходит с высокой интенсивностью (в 3-4 раза быстрее, чем в прототипе), что позволяет увеличить производительность процесса. (Продолжительность процесса очистки 15-20 мин/100 г продукта). В результате очистки получают продукт высокой степени чистоты как по примесям металлов (10-6-10-7 мас. % ), так и по примесям серы, селена, теллура (10-6-10-7 мас. % ), галоидов и кремния (10-5 мас. % ). При использовании смеси активного угля БАУ, пиролитически обработанного анионита АН-221 и гидролизата триалкилгаллия (или триалкилалюминия), в массовом соотношении 4-6: 3-4: 1 наблюдается комплексный эффект очистки триалкилгаллия или триалкилалюминия, в то время как каждый сорбент в отдельности обеспечивает очистку лишь от определенного класса примесей. Способ является практически безотходным, поскольку головная фракция и десорбированный триалкилгаллий или триалкилалюминий могут быть ректифицированы с целью получения чистого продукта. (56) Авторское свидетельство СССР N 546617, кл. С 07 F 5/00, 1977. Авторское свидетельство СССР N 417429, кл. С 07 F 5/00, 1972. Патент Японии N 59-148790, кл. С 07 F 5/00, 1983. Авторское свидетельство СССР N 1420902, кл. С 07 F 5/06, 1986.

Формула изобретения

СПОСОБ ОЧИСТКИ ТРИАЛКИЛАЛЮМИНИЯ И ТРИАЛКИЛГАЛЛИЯ путем ректификации, отличающийся тем, что, с целью повышения степени чистоты продукта и упрощения процесса очистки, продукт ректификации в парообразном состоянии при температуре на 3 - 5o выше температуры кипения пропускают через смесь сорбентов, состоящую из активированного угля БАУ, пиролитически обработанного анионита АН-221 и гидролизата триалкилгаллия или триалкилалюминия в массовом соотношении (4 - 6) : (3 - 4) : 1.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 31-2000

Извещение опубликовано: 10.11.2000        




 

Похожие патенты:

Изобретение относится к металлорганическим соединениям, в частности к комплексу - бис-(диэтилалюминийхлорид)метилендимагнийиодиду, который может быть использован в качестве реагента для метиленирования кетонов
Изобретение относится к производству стабильного диметиламинборана (ДМАБ) а, именно к технологии его очистки от побочных продуктов

Изобретение относится к способу получения диалкилфосфонатометилпроизводных фтало- и нафталоцианинов, которые могут быть использованы в качестве катализаторов окисления, оптических и электронных материалов

Изобретение относится к технологии получения диметиламинборана (ДМАБ) по реакции взаимодействия диметиламина с газообразным дибораном
Изобретение относится к технологии получения борорганических соединений, в частности эфиров диалкилборных кислот, а именно диэтилметоксиборана, который может быть использован совместно с боргидридом натрия при диастереоселективном восстановлении -гидроксикетонов до 1,3 - диолов с селективностью выше 98%
Изобретение относится к области получения гранулированных материалов, имеющих низкую температуру плавления и распада, таких как диметиламинборан, являющийся восстановителем, используемым в органическом синтезе и неэлектрической металлизации

Изобретение относится к новым химическим соединениям, обладающим фотосенсибилизирующими свойствами, перспективным для целей фотодинамической диагностики и терапии рака, конкретно к комплексам ацетато (тетра-15-краун-5-фталоцианинатам) лютеция с фенантролином (1) или с 1,8-диазабицикло-(5,4,0) ундец-7-еном (2) общей формулы [LuR4Pc(OAc)L]nL, где R - 15-краун-5, L - фенантролин (Phen) или 1,8 диазабицикло-[5,4,0] ундец-7-ен (DBU); n = 0, 2

Изобретение относится к новому способу получения серосодержащих производных имидазола общей формулы (I), обладающих ценными фармакологическими свойствами, и к новым промежуточным продуктам формулы III, IV и V (I) где R1 - C1-C4-алкил; R2 - алкилтионил, содержащий 1-4 атома углерода, возможно замещенный одним или несколькими заместителями, выбранными из галогена, гидроксила, алкокси, бензилокси, а также означает фенилтио или меркапто; R3 - карбоксил, свободный или превращенный в соль или в сложный эфир с линейным или разветвленным C1-C4-алкилом, или гидроксиалкил; R4 - радикал (CH2)m-SO2-X-R10, где X - NH-, NHCONH-, NHCO-O-; R10-водород или C1-C3-алкил, m = 0, 1; взаимодействием амидазола формулы II (II) с соответствующим галогенпроизводным - соединением формулы III (III) где B - атом бора; X1 и X2 - гидроксил или X1 с X2 образуют вместе с атомом бора, с которым они связаны, цикл с получением соединения IV (IV) которое затем подвергают взаимодействию с соединением формулы V (V) где X4 - атом галогена
Наверх