Устройство для эпитаксиального наращивания пленок карбида кремния

 

Союз Советскик

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 15.Х11.1962 (№ 807946/22-28) Кл. 40d, 3/00 с присоединением заявки №

МПК С 221

Приоритет

Опубликовано 25Х.1966. Бюллете ь № 11

Дата опубликования описания 20Л П.1966

Комитет оо делан изобретений и открытиЯ лри Совете Министров

СССР

УДК 669 172 002 5 (088.8) Авторы изобретения

Г. Ф. Лымарь и Ю. В. Поликано

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО НАРАЩИВАНИЯ

ПЛЕНОК КАРБИДА КРЕМНИЯ

В известных устройствах для эпитаксиальцого наращивания пленок карбида кремния испаряемое вещество и подложка находятся в полости тигля, помещенного в цилиндрический нагреватель.

Описываемое устройство отличается тем. что нагревательный элемент выполнен из двух горизонтально расположенных параллельных пластин, имеющих различную температуру, на нижней из которых установлен кристаллодержатель с подложками и помещен испаряемый материал. Это обеспечивает оптимальный градиент температуры между испаряемым веществом и подложками, свободный газообмен между рабочим объемом и объемом печи, что облегчает получение легированных пленок и р — и-переходов и малую тепловую инерцию устройства. Более высокая производительность этого устройства достигается благодаря тому, что кристаллодержатель выполнен в виде линейки, состоящей из последовательно соединенных отдельных держателей, поочередно выдвигаемых в рабочий объем нагревателя.

На фиг, 1 схематически изображено описываемое устройство в общем виде; на фиг. 2— то же, в плане (при снятой верхней пластине нагревателя).

Нагреватель выполнен из двух параллельных графитовых пластин: верхней 1 и нижней

2 площадью порядка 50Х16 лтлт - каждая. Зазор между ними составляет 10 ллт. Нижняя пластина имеет более высокую температуру, чем верхняя. Испаряемый материал > помещен на пластине 2; здесь же установлен дер>катель 4 с подложками 5. Сбоку на некотором расстоянии от пластин нагревателя рас10 положены графитовые экраны (на черте>1.е не показаны), не препятствующие свободному газообмену в рабочем объеме. Меняя расстояние между экраном и подложками, можно регулировать температуру подложек.

15 Крнсталлодержатель б выполнен в виде линейки с последовательно соединенными отдельными держателями 4.

Разогрев устройства до температуры порядка 2500 С длится 30 — 50 сек; на поддер20 жание в рабочем объеме температуры в пределах 2000 — 2400 С расходуется мощность

5 — 6 квт.

В устройстве производили наращивание пленок SiC на подложки из 1 — SiC размером

25 около ЗХЗ ялама в атмосфере очищенного аргона при давлении 50 — 400 лтл рт. ст. Скорость наращивания составляла 10 — 60 лк/час.

При наращивании пленок и-типа на подло>кки р-типа были получены р — и-переходы

30 с обратными токами 1 л а при папряжешш

182336

Фиг. 1

Составитель Г. Фирсова

Редактор Л. М. Струве Техред Г. Е. Петровская Корректоры; Л. Е. Марисии и Е. М. Коврижкииа

Заказ 1945/!1 Тираж 900 Формат бум. 60+90 /8 Объем О,!6 изд. л. Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, д. 2

100 в и плотности тока 10 а/сиз, причем пря-. мое падение составляло 3 в.

Предмет изобретения !. Устройство для эпитаксиального наращивания пленок карбида кремния, состоящее из нагревателя, тигля с испаряемым материалом, кристаллодержателя с подложками и экранов, отличающееся тем, что, с целью обеспечения оптимального градиента температуры между испаряемым веществом и подложками, свободного газообмена между рабсчим объемом и объемом печи и малой тепловой инерции устройства, нагревательный элемент выполнен из двух горизонтально расположенных параллельных пластин, на нижней из которых установлен кристаллодержатель с подложками и помещен испаряемый материал.

2. Устройство по п. 1, отличглощееся тем, что, с целью повышения производительности устройства, кристаллодержатель выполнен в

10 виде линейки, состоящей из последовательно соединенных отдельных держателей, nooseредно вдвигаемых в рабочий объем нагревателя.