Индикатор для определения глубины дрейфа лития в кремниевых^? — г — п-детекторах ядерных излучений

 

184980

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советокиз

Социаиистическив

Ресоублик

Зависимое от авт. свидетельства M

Заявлено 26.Х.1964 (№ 926648/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 30.VI I.1966. Бюллетень № 16

Дата опубликования описания 1.Х.1966

Кл. 21я, 11/02

21@, 18/01

МПК Н 011

Н 0511

УДК 621.376.234.083:

669.884 (088.8) Комитет Il0 делам изоОретеииЯ и открытиЯ

При Совете МинИстров

000I

fô(т - . ь

Иностранцы

А. C. Антонов и Л. Г. Юскеселиер (Народная Республика Болгари1т) 7! „-1,/,, — $t I;. > дтг1тл

Авторы изобретений

Заявитель

ИНДИКАТОР ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ГЛУБИНЫ ДРЕЙФА ЛИТИЯ

В КРЕМНИЕВЫХ р — i — n-ДЕТЕКТОРАХ ЯДЕРНЫХ ИЗЛУЧЕНИЙ

Предмет изобретения

Й p —.i ="и -детекторах ядерных излуЧенйй, полученных путем дрейфа лития в кремний р-типа, область собственной проводимости (i-область) один из самых важных параметров, и она же является высокоомной и-областью, т. е. определение глубины дрейфа лития сводится к определению глубины залегания р п-перехода.

Известен способ определения глубины залегания р — а-перехода в кремний с помощью электрофотографических проявителей, например, по электрохимическому отложению меди.

Предлагаемый способ определения глубины дрейфа лития в кремний отличается от известного тем, что р — и-переход проявляют сухими электрофотографичсскими проявителями (ПС-1 и БСТ-3) .

Хорошие границы перехода получаются как на травленой поверхности, так на шлифованной и механически полированной.

Большое влияние на четкость картины оказывает прикладываемое к детектору напряженйе, e его ростом четкость увеличиваетсй, При напряжении ниже 40 в частицы электрофотографических порошков садятся равномерно по всей поверхности в небольшом количест5 ве. При более высоких напряжениях, до 150 в, порошок отлагается на одной стороне перехода.

Детектор сохраняет полностью свои электрические характеристики после стирания по10 рошка.

Этот способ дает возможность получать целостную картину p — n-перехода и может применяться для контроля массового производства как кремниевых, так и германиевых детек15 торов.

Применение сухих электрофотографических

20 проявителей в качестве индикатора для определения глубины дрейфа лития в кремниевых

p — i — n-детекторах ядерного излучения,

Индикатор для определения глубины дрейфа лития в кремниевых^? — г — п-детекторах ядерных излучений 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх