Способ получения кристаллического карбина

 

Использование: в микроэлектронике в качестве материала для фоторезисторов и сенсоров. Сущность изобретения: получение кристаллического карбина путем дегидрофторирования при 18-20°С поливинилиденфторидной пленки толщио ной 300-500 А в течение 10-20 мин обработкой смесью этанольного раствора алкоголята калия и ацетона при их массовом соотношении 10:90 с последующим отжигом в вакууме при 380-400°С. 3 ил,

СОК)З СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (и)з С 08 F 8/26

ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ПАТЕНТУ (CH2 СР2)п—

=t С= Cjо =1 (21) 4886184/05 (22) 29.10..90 (46) 23.03.93. Бюл. Q 11 (71) Институт элементоорганических соединений им. А.H.Håñìåÿíoàà и МГУ им, М.В.Ломоносова (72) Ю.П,Кудрявцев, В.Г,Бабаев, М.Б.Гусева, А.Ф.Александров, Н.А.Калашникова и

С.Е. Е всю ко в (73) Институт элементоорганических соединений им. А.Н.Несмеянова АН СССР и МГУ им. М,В.Ломоносова (56) Касаточкин В,И., Сладков А.М., Кудрявцев Ю.П„Попов Н.М., Коршак В.В. Кристаллические формы линейной модификации углерода, ДАН СССР, 1967, т. 177, М 2, с.

358.

Изобретение относится к технической химии, а именно к получению пленок карбина с монокристаллической структурой, и наиболее эффективно может быть использовано в микроэлектронике с применением монокристаллических пленок карбина в качестве материала для фоторезисторов и сенсоров (чувствительных датчиков).

Цель изобретения — повышение технологичности способа, повышение выхода кристаллической фазы карбина в виде пленок, Поставленная цель достигается тем, что в качестве углеродного материала при получении кристаллов карбина используют нанесенные на кристаллическую подложку пленки поливинилиденфторида (ПВДФ) „„ Ж„, 1804467 АЗ (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КАРБИНА (57) Использование: в микроэлектронике в качестве материала для фотореэисторов и сенсоров. Сущность изобретения; получение кристаллического карбина путем дегидрофторирования при 18-20 С поливинилиденфторидной пленки толщио ной 300 — 500 А в течение 10-20 мин обработкой смесью 5-15$ этанольного раствора алкоголята калия и ацетона при их массовом соотношении 10:90 с последующим отжигом в вакууме при 380-400 С. 3 ил, Э о толщиной 300-500 А, термообработанные при 150-200 С в течение 0,5 — 1 ч. проводят дегидрофторирование пленок на подложке при 18 — 20 С в течение 10-20 мин обработкой 5 — 15 -ным раствором алкоголя та калия в этаноле и ацетона при массовом соотношении алкоголята калия и ацетона 10:90

l48c. jp с последующим отжигом в вакууме при 380-400 С в течение 5-10 мин:

КОС2Н5 С2 НБ OH СНЗ CO(1;, 2HF

1804467

Ф о р мул а и э обре те w ия

Составитель Т;Куркина

Техред М.Моргентал Корректор

Редактор

Заказ 3029 Тираж . Подписное

8НИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при I KHT СССР

113035,. Москва, Ж-35, Рэушскэя нэб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r, Ужгород, ул. ; ; 11 ;i, 1() I

Идентификация монокристаллов карбина проводилась с помощью электронной микроскопии. Методом электронной дифракции определяли тип кристаллов и их выход, Пример 1. 0,9 r порошка поливинилиденфторида растворяют в 100 мл диметилформамида, наносят получаемый раствор на свежий скол монокристалла KBr. Препарат прогревают в термическом шкафу при

150оС в течение 1 ч, Полученная пленка, о имеющая толщину 400 А, обрабатываемая

10 j(-ным этанольным раствором алкоголята калия в присутствии ацетона при молярном соотношении раствора алкоголята и ацетона 10. 90 при 20 С в течение 15 мин, отжигается в вакууме при 380 С в течение 5 мин, При этом образуется монокристалли-. ческая пленка. Анализ картины электронной дифракции пленок карбина показал наличие эпитаксиальной монокристаллической фазы карбина гексагонального типа с периодом кристаллической решетки à = 5,05

А, Цепочки карабина располагаются вдоль гексагональной оси С перпендикулярно поверхности (100) подложки КВг. Степень монокристалличности соответствует 99,97.

Пример 2. Процесс проводят по примеру 1, но препарат прогревают при

200оС в течение 30 мин. Полученная пленка, о имеющая толщину 500 А . обрабатываемая

15 -ным этанольным раствором алкоголята калия в присутствии ацетона в массовом

° соотношении 10 90 при 18оС в течение 10 мин, отжигается при 390 С в течение 5 мин, Анализ картины электронной дифракции пленок показал наличие эпитаксиальной монокристаллической фазы карбина гексагонального типа с периодом решетки во

5,05 А. Цепочки карбина располагаются вдоль гексагональной оси С перпендикулярно поверхности (100) подложки KBr. Степень монокристалличности соответствует

99,57.. Совершенство эпитаксиальной пленки несколько хуже, чем в примере 1, о чем свидетельствует размытие дифрэкционных.максимумов.

Пример 3. Процесс проводят по

5 примеру 1, но препарат прогревают при

175оС в течение 45 мин. Полученная пленка, имеющая толщину 300 А, обрабатываемая

5 -ным раствором. алкоголятэ калия в этаноле в присутствии ацетона в массовом со10 отношении 10:90 при 20 С в течение 20 мин, отжигэется в вакууме при 400 С в течение

10 мин. Анализ картины электронной дифракции пленок показал наличие эпитаксиальной монокристаллической фазы карбина гексагонального типа с периодом решетки а о

- 5,05 А. Цепочки карбина располагаются вдоль гексагональной оси С перпендикулярно поверхности (100) подложки KBr. Сте20 пень монокристалличности соответствует

99,2 Полученная эпитаксиальная пленка несколько хуже, чем в примерах 1, 2, о чем свидетельствует размытие дифракционных максимумов.

Способ получения кристаллического

30 карбина, с использованием реакции дегидрирования углеродсодержэщего материала, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности способа и выхода монокристаллической фазы карбина в

35 виде пленок, в качестве углеродосодержа.щего материала используют нанесенные на кристаллическую подложку пленки поливио нилиденфторида толщиной 300-500 А, тер40 мообработанные при 150-200 С в течение

0,5-1 ч, проводят дегидрофторирование пленок на подложке, при 18-20 C в течение

10-20 мин путем обработки смесью 5-15 ного этанольного раствора элкоголята ка45 лия и ацетона при массовом соотношении алкоголята калия и ацетона 10:90 с последующим отжигом в вакууме при 380-400оС в течение 5-10 мин,

Способ получения кристаллического карбина Способ получения кристаллического карбина 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к химии полимеров и позволяет получить ковалентно иммобилизованные бенэокраунэфиры с эффективностью иммобилизации 96-100% по упрощенной технологии

Изобретение относится к способам получения модифицированного хлорированного полиэтилена и может быть использовано для получения из него резинотехнических изделий с пониженной горючестью, стойких к окислению, термостабильных

Изобретение относится к области неорганической химии углерода, конкретно к ультрадисперсным углеродным материалам, и может быть использовано для получения новых композиционных материалов, в частности кристаллического карбина

Изобретение относится к получению сильноосновных анионитов ядерного класса с пониженным содержанием примесей, которые используются в ионообменных фильтрах для очистки конденсата атомных электростанций, в электронной промышленности для получения глубокообессоленной воды
Наверх