Способ изготовления p-n-переходов в монокристаллах cdxhg 1-xte с x = 0,200 - 0,225

 

Способ изготовления p-n-переходов в монокристаллах Cd_xHg_1-xTe с х = 0,200 - 0,225, включающий помещение исходного кристалла n-типа проводимости с концентрацией носителей 10¹⁴ - 10¹⁶ см^-3 в замкнутый объем, нагрев до выбранной температуры и последующий отжиг при постоянстве температуры в течение времени необходимого для создания на поверхности слоя p-типа проводимости заданной толщины, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества изготавливаемых переходов за счет повышения времени жизни носителей заряда, исходный кристалл помещают в замкнутый объем, заполненный деионизованной водой, а отжиг проводят при 170 - 220^oC в течение 5 - 15 мин.