Способ микрофотографирования следов заряженных частиц
Использование: экспериментальная ядерная физика, занимающаяся записью и измерениями траекторий ядерных излучений в толстослойных фотоэмульсионных материалах. Сущность изобретения: последовательно экспонируют на один общий снимок несколько обращенных частичных изображений объекта, полученных на различной глубине фокусирования при темнопольном освещении с образованием масок. 4 ил.
Изобретение относится к экспериментальной ядерной физике, занимающейся записью и измерениями траекторий ядерных излучений, преимущественно в толстослойных фотоэмульсиях. Цель изобретения упрощение способа фотографирования путем защиты (маркирования) поля изображения от засветки при многократном экспонировании частичных изображений. Поставленная цель достигается тем, что при микрофотографировании следов заряженных частиц в проявленных толстослойных фотоэмульсиях путем последовательного экспонирования на один общий снимок нескольких частичных изображений объекта, полученных на различной глубине фокусирования, частичные изображения фотографируют обращенными например, при темнопольном освещении. При этом темный фон, окружающий светлые (прозрачные) элементы в частичных изображениях объекта, защищает (маскирует) остальную часть поля изображения от засветки. При каждом перефокусировании объектива контуры темного фона (маски) изменяют в точном соответствии с частичным (маскируемым) изображением в поле зрения. Так как указанное явление возникает автоматически, независимо от наблюдателя, мы назвали его эффектом самомаскирования. Кроме темнопольной системы освещения, для перевода прямых изображений в обращенные, могут быть использованы и другие известные методы (метод фазового и интерференционного контраста, электронно-оптическое преобразование и др.). На фиг. 1 показана схема условного трехмерного объекта (многолучевого события в фотоэмульсии) и несколько горизонтальных сечений эмульсионного слоя в пределах поля микроскопа, соответствующих глубине резкости микрообъектива, где 1 эмульсионный слой, 2 поле зрения микроскопа, 3 многолучевое событие (трехмерное), 4 горизонтальные сечения эмульсии в пределах поля зрения; на фиг. 2 показана схема последовательного фотографирования прямых частичных изображений трехмерного объекта 3 на глубине 5-8; на фиг. 3 то же самое для обращенных изображений; на фиг. 4 показаны результаты последовательного фотографирования обращенных частичных изображений (фиг. 3) с целью их наслаивания на общем снимке, в том числе для глубины сечения 5, для глубины сечения 6 + 6, для глубины сечения 5 + 6 + 7, для глубины сечения 5 + 6 + 7 + 8. Предлагаемый способ микрофотографирования реализуется следующим образом. Микрофотографирование выполняют на микроскопе с фотонасадкой. В конкретном примере использован универсальный микроскоп МБИ-15, позволяющий применять темнопольный и иные методы освещения. Микроскоп должен иметь устройство для прерывания доступа света (затвор) и позволять вести наблюдение за объектом во время фотографирования. Выбирается объект съемки, масштаб увеличения. В поле зрения необходимо выбрать характерный след частицы, проходящей через всю толщину эмульсии и постоянно находящейся в поле зрения микроскопа. По этому тестовому следу удобно контролировать глубину фокусирования и выбор частичных изображений объекта для фотографирования. Количество зон съемки по глубине выбирают в зависимости от толщины эмульсионного слоя, а также от характерных особенностей снимаемого объекта. При перефокусировании на очередную зону съемки необходимо следить за верхней (или нижней) границей соответствующего отрезка тестового следа, чтобы продолжить фотографирование с этого места в следующей зоне. Границу можно отметить подвижной шкалой и т. п. Желательно выполнять всю работу по многослойному фотографированию последовательно по глубине, например, от поверхности эмульсии к стеклянной подложке. Съемка ведется на один и тот же кадр фотопленки без перемотки. В результате получают позитивное изображение объекта, составленное из множества частичных изображений. Если требуется негативное конечное изображение, то фотографирование выполняется на обращенной фотопленке, либо копируют с позитива обычными методами. Всей работе предшествует тщательная настройка темнопольной системы освещения, выполняемая известными методами. Предлагаемый способ микрофотографирования следов частиц (трехмерных микрообъектов) существенно упрощает известные процедуры микрофотографирования подобных объектов. Время, необходимое для получения конечного результата (комбинированного снимка из множества частичных изображений) за счет применения автоматизации маскирования, не менее, чем на порядок быстрее по сравнению с прототипом. Трудоемкая и утомительная операция подбора и установки защитных масок в предлагаемом методе за счет самомаскирования выполняется быстро и в комфортных условиях. Качество полученного изображения достаточно высоко, т. к. отсутствуют характерные для прототипа помеха (засветка, понижение контраста), а также условные искажения и неточности совмещения. Это позволяет, в частности, применять предложенный способ для получения стереофотографий ядерных взаимодействий, ранее невозможных из-за малой глубины резкоизображаемого пространства для однократной экспозиции.
Формула изобретения
СПОСОБ МИКРОФОТОГРАФИРОВАНИЯ СЛЕДОВ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ в проявленных толстослойных фотоэмульсиях путем последовательного экспонирования на один общий снимок нескольких частичных изображений объекта, полученных на различной глубине фокусирования, отличающийся тем, что, с целью его упрощения путем защиты поля изображения от последующих экспозиций, частичные изображения фотографируют обращенными.РИСУНКИ
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4
