Шихта для изготовления высокочастотных термокомпенсирующих конденсаторов

 

Использование: получение керамического материала для высокочастотных термокомпенсирующих конденсаторов. Сущность изобретения: шихта содержит 47-59,48 мас.% СаТЮз, 38.40-45,80 мас.% ЗгТЮз, 2-7 мас.% NbzOs и 0,12-0,2 мас.% МпСОз. Положительный эффект: температурный коэффициент диэлектрической проницаемости снижен на 15-20%, себестоимость - на 30-35%. выход годных изделий повышен на 15-20%. 1 табл.

СОЮЭ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (si)s С 04 В 35/46

ГОСУДАРСТВЕН.ЮЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ПАТЕНТУ з." М

i. ЖМ

47 — 59,48

38,4 — 45,8

2-7

0,12 — 0,2 (21) 5012087/33 (22) 15.08.91 (46) 30.06.93. Бюл. М 24 (71) Витебское производственное объединение "Монолит" им. 60-летия Великого Октября (72) Л.А. Голубцова, В.С. Костомаров и В.В. Самойлов (73) Витебское производственное объединение "Монолит" им. 60-летия Великого Октября (56) Авторское свидетельство СССР

М 1446130, кл, С 04 В 35/46, Н 01 G 4/12, 1987.

Изобретение относится к области радиоэлектронной техники, в частности к составам керамических диэлектриков для изготовления высокочастотных термокомпенсирующих конденсаторов, и является усовершенствованием известной шихты керамического материала.

Цель изобретения — снижение температурного коэффициента диэлектрической проницаемости и повышение технологичности, снижение себестоимости изготовления керамики на основе заявляемой шихты, В заявляемой шихте керамического материала для высокочастотных термокомпенсирующих конденсаторов, содержащей

ЯГТ!Оэ, СаТ!Оз, МпСОэ и МЬ205, поставленная цель достигается тем, что она содержит исходные компоненты в следующем соотношении, мас, ь:

СаТ!Оз

ЯгТ! Оэ

МЬ205

Мп СОЭ

„„. Ы „„1825353 А3 (54) ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ТЕРМОКОМПЕНСИРУЮЩИХ КОНДЕНСАТОРОВ (57) Использование: получение керамического материала для высокочастотных термокомпенсирующих конденсаторов.

Сущность изобретения: шихта содержит

47-59,48 мас,g СаТ!Оэ, 38.40-45,80 мас.$

ЯгТ! Оз, 2-7 мас. $ Nb205 и О, 12 — 0,2 м ас. $

МпСОЭ, Положительный эффект: температурный коэффициент диэлектрической проницаемости снижен на 15-20, себестоимость — на 30-35, выход годных иэделий повышен на 15 — 20 (,. 1 табл.

В данном случае положительный эффект, соответствующий цели изобретения, обеспечивается тем, что в результате нового соотношения компонентов снижается концентрация

Sr в твердых растворах Са>-к5гкТ10э, легированных оксидами ниобия и марганца, до величины Х< 0,4, что способствует снижению величины ТКЕ до величины — (1300 — 1500) 10

-б

1/ С при сохранении оптимально высокой величины е (не менее 210). При этом увеличение концентрации МпСОэ до 0,12 — 0,2 мас,ф, при снижении количества ЯГТ!Оэ на 8-12$ позволяет ограничить количестьо дорогос1оящей добавки МЬ205 до 2 — 7 мас. при сохранении высоких электроизоляционных свойств. Одновременно достигается улучшение спекания материала, увеличение относительной плотности и снижение разброса ТКЕ в пределах 100 10" 1/ С, что способствуе1 улучшению технологичности, а снижение количества

$гТ!Оэ и МЬ205 способствует сникению себестоимости изготовления материала.!

00 3

Ul (л)

Ul (л)

1() 1825353

Предлагаемую шихту керамического материала получают следующим образом.

Предварительно известными в керамическом производстве способами получают спеки титвнэта кальция и титанвта стронция, котерые синтезируют при 12201300 С, а затем измельчают до удельной поверхности 4000-5000 см /г. Измельченные спеки, взятые в заданном соотношении, смешмавют с требуемым количеством

МпСбэ и йЬ 05, измельчают до 5000-10000 см /г и используют для получения диэлектрика конденсаторов по принятой в керамическом конденсаторостроении технологии, например по пленочной технологии с обжигом заготовок конденсаторов при 12201280ОC.

Конкретными примерами заявляемой шихты керамического материала для высокочастотных термокомпенсирующих конденсаторов являются следующие ее составы, мас.

Состав 1 Состав 2 Состав 3

СаТ102 47 53,25 59,48

3гТ! Оз 45,8 43 38,4

Nb?0g 7 3,6 2

МпСОз 0,2 0,15 0,12

Свойства керамического материала на основе предложенной шихты подтверждаются результатами испытаний, данные о которых приведены в таблице.

Как следует иэ табл. 1, предлагаемая усовершенствованная шихта керамического материала практически при совпадающих значениях диэлектрической проницаемости (е) и диэлектрических потерях (щ д) удельного обьемного сопротивления при температуре

155 С (pv) керамики на ее основе позволяет снизить ТКЕ до требуемой по ОСТ В.11-003084 величины (-1300 -1500) 1/ С. себестоимость на 30-35ф„технологический цикл нэ

50-60 и повысить выход годных материала на 15-207, в сравнении с известной, что свидетельствует о повышении технического и экономического эффекта от использования усовершенствованной шихты.

Оптимальность содержания компонентов и их соотношения подтверждается тем, 10 что при введении в состав шихты СаТЮз менее минимального количества 47 мас.Q (выход эа состав 1) возрастает количество дорогостоящих 8 TI03 и ЙЬ205, повышается

ТКЕ и себестоимость материала, а при введе15 нии СаТ10з более максимального количества

59,48 мэс. (выход эа состав 3) снижается себестоимость, но и диэлектрическая проницаемость,что нецелесообразно.

В настоящее время усовершенствован20 ная шихта внедряется в производство керамических монолитных конденсаторов по гр.

М1500 с использованием автоматизированного технологического оборудования и серийно выпускаемых сырьевых материалов.

Формула изобретения

Шихта для изготовления высокочастотных термокомпенсирующих конденсаторов, содержащая СвТ10з, $гТ!Оз. NbzOs u

МпСОз, отличающаяся тем, что, с

ЗО целью снижения температурного коэффициента диэлектрической проницаемости, повышения технологичности и снижения себестоимости изготовления керамики, она содержит указанные компоненты в следую35 щем соотношении, мас.ф>.

СаТ10з 47,00-59,48

ЗгТ10з 38,40 — 45,80

ЙЬ205 2,00-7,00

МпСОз 0,12-0,20

1825353

Составитель В.Окунев

Техред М.Моргентал Корректор В.Петраш

Редактор

У вЂ” Д вЂ” — ——

Проиэводственно-иэдательский комбинат "Патент", r, Ужгород, ул.Гагарина, 101

Закаэ 2231 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035 Москва Ж-35 Ра шская наб. 4/5