Устройство для жидкостной обработки плоских изделий

 

Использование: изобретение относится к обработке материалов, в частности к устройствам для жидкостной обработки фотошаблонных заготовок с использованием центрифугирования, и может Сыть использопзно в полупроводниковом производстве для проявления фоторезиста, травления маскирующего слоя и отмывки фотошаблонов. Сущность изобретения: устройство позволяет получить высокий процент выхода годных изделий за счет одновременного вращения ванны с проявителем (травителем) и держателя изделий. Устройство содержит ванну 1, держатель 2 изделия 3, сборник 13 проявителя (травителя), привод 5 вертикального перемещения держателя 2. А привод вращения ванны 1. 5 ил. 00 ю vj О Ю ND

союз сОВетских

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (л)5 Н 01 L 21/312

ГОСУДАРСТВЕН-ЮЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛ ЬСТВУ ройствам для жидкостной обработки фотошаблонных заготовок с использованием центрифугирова ил, и может быть использовано в полупроводниковом производстве для проявления фоторезиста, травления маскирующего слоя и отмывки фотошаблонов.

Сущность изобретения: устройство позволяет получить высокий процент выхода годных изделий за счет одновременного врашенил ванны с проявителем (травителем) и держателл изделий. Устройство содержит ванну 1, держатель 2 изделия 3, сборник 13 проявителя (травителя), привод

5 вертикального перемещения держателл 2, В лриввд вращения ванны 1. 5 ив.

"2 (21) 4900614/21 (22) 09.01.91 (46) 15.07.93. Бюл. М 26 (71) Научно-исследовательский инсти ут полупроводникового машиностроения (72) В. Н. Комаров и В. Н. Клепиков (56) Патент Японии М 61 — 203639, кл. Н 01 (21/30.

Заявка Японии М 61 — 196535, кл. Н 01 L21/30. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЖИДКОСТНОЙ ОБРАБОТКИ ПЛОСКИХ ИЗДЕЛИЙ (57) Использование: изобретение относится к обработке материалов, в частности к устЯ2 «1827692 А1

1827692

Изобретение относится к обработке материалов, в частности к устройствам для жидкостной обработки плоских изделий с использованием центрифугирования, и может быть использовано в полупроводниковом flроиэводстве для проявления фоторезиста, травления маскирующего слоя и отмывки фотошаблонов.

Цель изобретения — повышение процента выхода годных.

На фиг. 1 представлен общий вид устройства для жидкостной обработки плоских изделий; на фиг, 2 — вид сверху на ванну и средство подьема изделий; на фиг. 3 — 5— вид устройства в определенные моменты обработки (фиг. 3 — проявление, фиг. 4— отмывка, фиг, 5 — сушка).

Устройство для жидкостной обработки плоских иэделий содержит ванну 1, одновременно служащую столиком для изделия (далее подложки), для чего в днище ванны 1 выполнены выступы 3. Держатель установлен с возможностью вращения. Устройство содержит средство 4 подьема иэделия, форсунки 15 для подачи обрабатывающих жидкостей, Крома того, оно снабжено уплотнительной диафрагмой 12. В держателе иэделий 2 выполнены отверстия 9, 10 для слива обрабатывающей жидкости. Держатель установлен под углом к геометрической оси ванны 1, а уплотнительной диафрагмой

12 жестко закреплен между средством 4 подъема изделия и днищем ванны 1. Устройство снабжено сборником 13 обрабатывающей жидкости со сливным патрубком 14, который одновременно служит корпусом, ограничивающим рабочий объем.

Устройство работает следующим образом.

Подложку 2 помещают на выступах 3 в ванне 1, В этот момент средство 4 находится в крайнем нижнем положении, подложка

2 перекрывает сливные отверстия 9, 10 в ванне 1, Иэ форсунки 17 подают заданное количество обрабатывающей жидкости до заполнения ванны 1 таким образом, чтобы покрыть подложку 2 полностью. Осуществляют процесс обработки. При этом ванну 1 средством 4 подьема подложки 2 вначале сунки 15 подают деиониэованную. воду на обе стороны подложки 2. По окончании процесса отмывки прекращается подача воды. ванне 1 и средству 4 подъема сообщают большую скорость вращения для обеспечения сушки подложки, после чего останавливают ванну 1 и средство 4 подъема.

30 Осуществляют выгрузку подложки. Далее процесс повторяется, 5

45 приводят во вращение с незначительной скоростью, а затем по прошествии 1/3 общего времени обработки, приводят в движение привод 5 вертикального перемещения подложки 2. При этом подложка 2 не выходит за рамки ограничивающих выступов ванны 1. Средство 4 подъема поднимает подложку 2, освобождает сливные отверстия 9, 10 в ванне 1, обработанная жидкость удаляется с продуктами проявления. Затем средство 4 посредством привода 5 вертикального перемещения возвращается в исходное положение, снова перекрывая подложкой сливные отверстия 9, 10 в ванне

1. Из форсунки 17 подают обрабатывающую жидкость до уровня В и включают средство

18 контроля. После окончания процесса обработки средство 4 с подложкой 2 поднимается до верхнего положения.

Обрабатывающий раствор сливается через сливные отверстия 9, 10 в сборник 13, откуда удаляются через патрубок 14, а из форФормула изобретения

Устройство для жидкостной обработки плоских изделий, содержащее ванну, держатель иэделия, установленный в ванне с воэможностью вращения, средство подъема иэделия, форсунки для подачи обрабатывающих жидкостей, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения процентов выхода годных, оно снабжено уплотнительной диафрагмой, держатель изделия выполнен в виде емкости с выполненными в днище отверстиями для слива обрабатывающей жидкости, установленной под углом к геометрической оси ванны, а уплотнительная диафрагма жестко закреплена между средством подъема изделия и днищем емкости.! 827692

1827692

Составитель Л.Мануковская

Техред M,Ìîðãåíòàë Корректор С,Лисина

Редактор

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Эаказ 2360 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Устройство для жидкостной обработки плоских изделий Устройство для жидкостной обработки плоских изделий Устройство для жидкостной обработки плоских изделий Устройство для жидкостной обработки плоских изделий 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к технологии производства электронной техники и касается нанесения активного диэлектрика на полупроводниковые подложки

Изобретение относится к электронной технике, более конкретно к технологии производства интегральных схем (ИС), и может быть использовано для повышения воспроизводимости (или стабилизации) технологических процессов, связанных с взаимодействием излучения с М-слойной (М 1, 2,) структурой тонкопленочных покрытий
Изобретение относится к технологии производства электронной техники и касается нанесения активного диэлектрика на полупроводниковые подложки

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых интеградьных микросхем с помощью фотолитографии

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при создании устройств на основе сверхпроводящих материалов

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано на завершающей стадии фотолитографии при удалении задубленного слоя фоторезиста с поверхности полупроводниковых пластин и фотошаблонных заготовок

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для нанесения фоторезиста на пластины и фотошаблоны при фотолитографии

Изобретение относится к технике полупроводникового производства, в частности к рентгенолитографии, и предназначено для использования в установках для совмещения рисунка на маске с рисунком на подложке и экспонирования

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано на литографических операциях при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано на литографических операциях при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в литографических процессах при изготовлении полупроводниковых приборов, интегральных схем и печатных плат

Изобретение относится к устройствам нанесения покрытий посредством центрифугирования и может быть использовано, в частности, для создания светочувствительного слоя на полупроводниковых пластинах и фотошаблонах

Изобретение относится к полупроводниковому производству, в частности к процессам фотолитографии при нанесении фоторезиста на пластины, а также может использоваться при получении других полимерных покрытий центрифугированием

Изобретение относится к чувствительным к излучению композициям с изменяющейся диэлектрической проницаемостью, обеспечивающим модель диэлектрической проницаемости, используемой в качестве изоляционных материалов или конденсатора для схемных плат
Изобретение относится к технологии тонкопленочных приборов
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при создании современных полупроводниковых приборов и структур для микро- и наноэлектроники, в частности, при разработке наноразмерных приборов на основе кремния или структур Si/SiGe/Si с целью обеспечения проводимости тонких (субмикронных) полупроводниковых слоев
Наверх