Способ подключения резервирующих цепей

 

1. Способ подключения резервирующих цепей по авт. св. 1667604, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, уровень трансформирующего тока выбирают в интервале между минимальным током, приводящим к возникновению скрытых дефектов кристаллической решетки полупроводникового материала, вызывающих необратимый термоэлектрический пробой p-n-перехода, и уровнем обязательной его трансформации первым импульсом коммутируемого тока.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что уровень минимального тока выбирают в соответствии с экспериментально снятой зависимостью N = f(I), где N - максимальное число операций, реализуемых полупроводниковым ключом с трансформируемой структурой, I - величина коммутируемого тока.

3. Способ по п.1, отличающийся тем, что уровень минимального тока определяют по возникновению в ключе первичных обратимых пробоев ("проколов").

4. Способ по п.1, отличающийся тем, что уровень минимального тока определяют по возникновению эффекта шунтирования тока в полупроводниковом кристалле.