Установка группового ионного легирования полупроводниковых пластин

Авторы патента:

H01L21/265 - с внедрением ионов (трубки с ионным пучком для локальной обработки H01J 37/30)

Использование: технология изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность: установка ионного легирования содержит систему вертикального электростатического сканирования и горизонтально вращающийся барабан, на боковой поверхности которого располагают пластины. Между сканирующим устройством и барабаном расположена маска, имеющая щелевидное окно. Щель имеет переменную в вертикальном направлении ширину. 1 ил.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на основе технологии ионного легирования. Целью изобретения является расширение функциональных возможностей известного устройства для группового ионного легирования полупроводниковых пластин. Легирование полупроводниковой пластины через установленную таким образом на пути ионного пучка щелевую маску переменной ширины позволяет на одной пластине полупроводниковые приборы, различающиеся по классификационному электрическому параметру, зависящему от дозы имплантированных ионов, в несколько раз быстрее при обработке в устройстве. С другой стороны, получение полупроводниковых приборов с различной дозой имплантированных ионов в известном устройстве с использованием щелевой маски переменной ширины расширяет функциональные возможности известного устройства группового ионного легирования полупроводниковых пластин. Суть изобретения поясняется чертежом. На приемном барабане 1 горизонтального вращения укрепляют полупроводниковые пластины 2. Через установленную вертикально щелевую маску 3 переменной ширины, максимальный размер щели которой не превышает диаметр ионного пучка с помощью отклоняющихся пластин 4 системы вертикального электростатического сканирования осуществляют сканирование ионного пучка 5 по поверхности полупроводниковых пластин 2. Таким образом, проводят ионное легирование и на одной пластине получают полупроводниковые приборы с различными классификационными электрическими параметрами, зависящими от дозы имплантированной примеси. П р и м е р. Проводилось ионное легирование полупроводниковых пластин, содержащих полевые транзисторы типа 2П-305. Зависимость сдвига порогового напряжения этих транзисторов от имплантированной в канал дозы ионов фосфора к приведенной в аналоге, составляет примерно 0,43 В на 10¹¹ ион/см². Классификационным параметром, зависящим от дозы легирования, валяется напряжение на затворе, обеспечивающее протекание заданной величины тока в канале при установленном значении напряжения на стоке и "заземленном" истоке. Использование предлагаемого устройства позволило три раза уменьшить число циклов легирования, т.е. сократить трудоемкость изготовления приборов 2П-305.

Формула изобретения

УСТАНОВКА ГРУППОВОГО ИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН, содержащая систему вертикального электростатического сканирования ионного пучка, барабан для размещения полупроводниковых пластин на его боковой поверхности, установленной с возможностью вращения вокруг своей оси и маску с окном, расположенную между системой вертикального сканирования и боковой поверхностью барабана, отличающаяся тем, что, с целью расширения области применения, окно в маске выполнено в виде щели, имеющей переменную в вертикальном направлении ширину.

РИСУНКИ

Рисунок 1

Способ изготовления полупроводниковых структур // 1813303

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления интегральных схем, имеющих элемент памяти с затвором из поликристаллического кремния

Способ изготовления кремниевых эпитаксиальных структур с внутренним геттером // 1797403

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления эпитаксиальных структур и полупроводниковых приборов

Способ получения мезотаксиальных слоев дисилицида кобальта в кремнии // 1795821

Изобретение относится к радиационной физике твердого тела, микроэлектронике, в частности к способам получения заглубленных эпитаксиальных (мезотаксиальных) тонкопленочных слоев в полупроводниках

Способ изготовления прибора с переносом заряда с областью виртуальной фазы // 1782139

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, в частности к оптоэлектронике, и может быть использовано в производстве интегральных схем и полупроводниковых приборов различного назначения

Способ изготовления контактов интегральных схем // 1766208

Способ изготовления приборов с зарядовой связью // 1766207

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности, к способам производства интегральных схем и полупроводниковых приборов, и может быть использовано в производстве интегральных схем и полупроводниковых приборов различного назначения

Способ создания профилей ионной повреждаемости материалов // 1758710

Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных схем // 1694015

Способ изготовления контактов шоттки // 1683449

Способ геттерирующей обработки подложек кремния // 2134467

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии изготовления дискретных приборов и интегральных схем для очистки (геттерирования) исходных подложек и структур на основе монокристаллического кремния от фоновых примесей и дефектов

Способ формирования твердотельных наноструктур // 2141699

Изобретение относится к методам формирования твердотельных наноструктур, в частности полупроводниковых и оптических, и может быть использовано при создании приборов нового поколения в микроэлектронике, а также в оптическом приборостроении

Установка для формирования наноструктур на поверхности полупроводниковых пластин ионными пучками // 2164718

Изобретение относится к электронной и вакуумной технике

Способ образования кремниевой наноструктуры, решетки кремниевых квантовых проводков и основанных на них устройств // 2173003

Изобретение относится к способам образования квазиодномерных твердых кремниевых наноструктур

Способ получения кремниевых наноструктур // 2192689

Способ ионного легирования твердых тел // 2193080

Изобретение относится к области легирования твердых тел путем облучения ионами фазообразующих элементов и может быть использовано для ионной модификации структуры и физико-механических свойств металлов, полупроводников и сверхпроводников

Способ формирования нанорельефа на поверхности пленок // 2204179

Способ ионно-лучевого легирования кристаллов // 2258977

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии для формирования в кристаллах областей с различным типом и величиной электропроводности с помощью имплантации ионов средних (10-5000 кэВ) энергий

Способ формирования высокосовершенных кремниевых эпитаксиальных структур со скрытыми n+-слоями // 2265912

Изобретение относится к области микроэлектроники

Способ многоэлементной ионной имплантации (варианты) // 2285069

Изобретение относится к области легирования твердых тел путем их облучения пучком ионов из фазообразующих атомов и может быть использовано для структурно-фазовой модификации твердых тел, например для улучшения их физико-механических, коррозионных и других практически важных свойств