Патент ссср 193157
ОП КСАН И Е
Союз Советскиа
Сациалистическив
Республик Ъ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидетельства №
Заяв.пено 05.11.1966 (№ 1055018/26-24) Кл. 42m, 14
21ат, 37/52 с !!рисосд!!нс!!Ием заявки ¹
МПК G 061
Н 03k
УДК 681.142.07:621.383..5 (088.8) Приоритет
Опубликовано 02,111.1967, Б!ол.!степь ¹ 6
Дата опубликования описания 3. у 11.1967
Комитет оо делам изаоретеиий и открытий ори Совете Министров
СССР
i4aq,.;
Авторы изобретения
Х. Э. Азимходжаев, О. В. Снитко и М. К. Шей.Б!!ь ."1. 0. д
Заявители Институт полупроводников AH УССР и Физико-техни скии инстйп т
АН УЗССР
ЗЛЕМЕНТ ПАМЯТИ С УПРАВЛЯЕМЫМ ВРЕМЕНЕМ
ЗА ПОМИ НАН ИЯ
Известны элементы памяти с управляемым врез енем запоминания, содержащие подложку, выполненную из диэлектрика, пластину фоточувствительного полупроводника с электродами, помещенную на подложке.
Предложенный элемент отличается тем, что, с целью повышения надежности и обеспечения устойчивой работы при наличии внешних электромагнитных полей, он содержит до.толнительную пластину диэлектрика и пластину полупрозрачного металла, помещенну!о на д !по-:íèòåëüíóþ пластину диэлектрика, которая расположена на пластине полупроводника
На фиг. 1 приведена электрическая схема элемента памяти; на фиг. 2 - — монтажная схема элемента памяти; на фиг. 3 — зависимость напряжения U на полевом электроде и тока 1 через полупроводник.
В описании приняты следующие обозначения:
1 — монокристалл СЙ$; 2 — полевой электрод; 8 — источник напряжения; 4 — нагрузочное сопротивление; б — вход схемы, на которую подается запоминаемый сигнал; б— выход схемы; 7 — монокристалл Сд$; 8— диэлектрик (слюда); 9 — полевой полупрозрачный электрод из Pt или Ag; 10 — токовые электроды из In, нанесе!нные па одну поверхность монокристалла CdS (7); 11 — сл!одяная .тодложка.
Интенсивность подсветки L управляет д,пительностью запоминания т,.
Пршщпп работы элемента заключается в следующем.
На вход схемы подается запоминаемый импульс постоянного электрического напряжения (длительностью порядка миллисекунд и больше и амплитудой порядка 100 в и выше).
Полярность импульса должна обеспечивать режим обогащения r эффекте поля на основные носители тока (отрицательный потенциал на электроннопроводящем CdS).
Индуцированньш полем заряд быстро (3a несколько миллисекунд) захватывается поверхностными и приповерхностными уровнями, и изменение проводимости в этом режиме невелико (экранировка объема CdS поверхностнымн уровнями). Однако после выключения обогащающего импульса и закорачивания полевого электрода с одним из токовых электродов происходит резкое уменьшение проводимости CdS на несколько порядков величины (эффектзапирания тока). Оно обусловлено полем накопленного на поверхностных уровях индуцированного (отрицательного) заряда, ко!орый теперь создает в объеме режим обеднения на основные свободные носители
30 тока.
193157
Составитель В. М. Щеглов
Редактор А. Можаров Техред Л. Бриккер Корректоры: М. П. Ромашова и Г. E. Опарина
Заказ 1935/19 Тираж 535 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Центр, пр. Серова, д. 1
Типография, пр. Сапунова, д. 2
При амплитудах входного сигнала, превышающих некоторую критическую величину
U„ð, происходит истощение объема кристалла на все свободные носители тока и наблюдается запирание тока в течение некоторого промежутка времени т,. Таким образом, запоминаемый сигнал поступает в элемент в виде импульса электрического напряжения, и отсутствие стационарного тока в цепи соответствует запоминанию сигнала в элемецте, а наличие тока — его отсутствию, что значительно упрощает операцию опроса. Длительность непроводящего состояния тв и определяет время запоминания импульса — сигнала и намного превышает длительность самого импульса. Например, при комнатной температуре т, достигало десятков минут и часов. Отпирание тока через кристалл (стирание сигнала) обусловлено восстановлением равновесия в объеме и на поверхности CdS зависит от ряда факторов. Так, увеличение интенсивности света приводит к резкому уменьшению т„а увеличение амплитуды сигнала увеличивает т, . Таким образом, варьируя величину интенсивности и амплитуды импульса напряжения можно изменять т,. При этом изменять (управлять) т, можно, изменяя интенсивность освещения при неизменной величине подобранного напряжения, Резко возрастает т, с понижением температуры. Хранение образцов в течение нескольких месяцев при комнатной температуре приводило к заметному увеличению времени запоминания т,.
Стирание информации с элемента памяти (отпирание тока) легко достигается подачей либо отрицательного импульса напряжения, либо включением светового импульса (по интенсивности в несколько раз превышающего стационарную подсветку). Использованпс вместо слюды более топких диэлектриков (например, напыленных пленок SiO и др.) позволит уменьшить величину критического EIа пряжения до нескольких вольт.
Предмет изобретения
Элемент памяти с управляемым временем запоминания, содержащий подложку, выполненную из диэлектрика, пластину фоточувствительного полупроводника с электродами, помещенную на подложку, отличагощийся тем, что, с целью повышения надежности и обеспечения устойчивой работы при наличии внешних электромагнитных полей, он содерiKIiT дополнительную пластину диэлектрика Ji пластину полупрозрачного металла, помещенную на дополнительную пластину диэлектрика, которая расположена на пластине полупроводника.
