Нелинейный резистор

 

О П И С А Н И Е В8436

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Сооетских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 06Х1.1966 (№1080970/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 28.VI.1967. Бюллетень № 14

Дата опубликования описания 28ХП.1967

Кл. 21с, 55/01

МПК Н Olc

УДК 621.316,86(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

Х. С. Валеев, В. А. Князев и Е. С. Пиханова

Заявитель

Государственный научно-исследовательский электрокерамический институт

НЕЛИНЕЙНЫЙ РЕЗИСТОР

Известные нелинейные резисторы, изготовленные из смеси (в вес. %) ZnO 10 — 35 и

ZnTiO<, ZnSnO<, ZnAI O< или ZrO 65 — 90 имеют относительно большую собственную емкость.

Описываемый резистор отличается тем, что в исходную смесь вводят 0,25 — 2 (в вес. %) борной кислоты (НзВОз) или 1 — 10 пятиокиси ванадия (V20,-).

Синтезируют исходную смесь при 1280—

1320 С, измельчают синтезированный материал, вводят в него борную кислоту или пятиокись ванадия, а затем подвергают его обжигу при 1300 — 1340 С.

Введение борной кислоты или пятиокиси ванадия позволяют в 3,5 — 8 раз (в зависимости от номинального значения сопротивления резистора) снизить собственную емкость ре5 зистора.

Предмет изобретения

Нелинейный резистор, изготовленный из смеси (в вес. %) 10 — 35 ZnO и 65 — 90 Zn.TIO„

10 ZnqSnO<, ZnAI 04 или ZrO, от,гачающггй ся тем, что, с целью уменьшения величины собственной емкости резистора, в исходную смесь вводят (в вес. %) 0,25 — 2 борной кислоты (НзВОз) или 1 — 10 пятиокиси ванадия 13<>O:).