Патент ссср 207485

 

О П И С А Н И Е 207486

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советскнк

Социал истнческнк

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 23.Х1I.1966 (№ 1120703/26-24) Кл. 42m, 14

21а1, 37 42 с присоединением заявки №

Комитет по делам изобретений н открытий при Совете Министров

СССР

Приоритет

Опубликовано 22.XII.1967. Бюллетень ¹ 2

Дата опубликования описа ния 22.II.1968

iV!rjK 6 06i

Н 03h

УДК 681.327.2 (088.8) Автор изобретения

В. Г. Рыгалин

Заявитель

ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ

Предмет изобретения

Уже известны элементы памяти, содержащие параметрические преобразователи.

Цель изобретения — увеличить информационную емкость. Достигается что тем, что предложенный элемент содержит замедляющую коаксиальную структуру, например диафрагмированный коаксиальный кабель, соединяющую выход преобразователя, выполненного, например, на нелинейном сопротивлении, со входом преобразователя, выполненного, например, на нелинейной емкости.

На чертеже показан элемент памяти, Он состоит из двух Т-образных мостов А и Б, соединенных волноводом накачки. Мост А представляет собой повышающий параметрический преобразователь на нелинейной емкости, мост Б — понижающий преобразователь на нелинейном сопротивлении. Повышающий преобразователь А имеет два входа: волноводный I для ввода сигнала накачки и коаксиальный 11 для ввода управляющего сигнала.

В прямоугольном волноводе накачки установлен параметрический полупроводниковый диод НС с нелинейной емкостью р — n перехода, соединенный с центральным проводником коаксиального волновода П. Выходное плечо

III преобразователя А служит входом преобразователя Б, в котором установлен смесительный диод HR.

Выходное плечо IV преобразователя Б через замедляющую коаксиальную структуру

3С, представляющую собой диафрагмированный волновод, соединено с входным плечом

5 II преобразователя А. Фильтры Ф служат для предотвращения прохождения сигнала накачки в плечи Н и IV.

В результате параметрического взаимодействия управляющего сигнала с частотой f, и

10 сигнала накачки с частотой f, íà нелинейной емкости р — n перехода диода НС образуются комбинационные сигналы f u f котооь1е демодулируются в преобразователе Б.

Усиление в преобразователе А превосходиг

15 потери в греобразователе Б. Часть усиленного выходного сигнала с частотой f, поступает через замедляющую коаксиальную структуру

ЗС на вход повышающего преобразователя

А. Таким образом, осуществляется замкнутая

20 цепь циркуляции информации, 25 Элемент памяти, содержащий параметрические преобразователи, отличающийся тем, что, с целью увеличения информационной емкости элемента, он содержит замедляющую коаксиальную структуру, например диафраг30 мированный коаксиальный кабель, соединяю