Интегральная схема
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
208056
Союз Советскив
Социзлистическиз
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Кл. 21а4, 75
Заявлено 02.!Ч.1966 (№ 1065646/26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 29.Х11.1967. Бюллетень № 3
Дата опубликования описания 6.III.1968
МПК Н 01п
УДК 621.3.049.7(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
Авторы изобретения
Н. В. Коротков, Л. М. Кузнецова, И. Г. Матвеева, Н. А. Вайно, М. P. Блумберг, Т. 3. Куусре, М. К. Осипова, E. И. Гальперин и Д. А. Таубкин
Заявитель
ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА
Известны интегральные схемы в виде размещенного в плоском корпусе базового (например, кремниевого) кристалла, снабженного изготовленными по способу планарной технологии компонентами, контактными площадками и схемой коммутации площадок. Однако массовое производство таких схем сопровождается большим процентом брака.
Описываемая интегральная схема отличается тем, что отдельные компоненты схемы имеют взаимократные размеры, контактные площадки расположены по,периферии кри "талла, а центральная схема коммутации контактных площадок снабжена вспомогательными перемычками для получения требуемого варианта функциональной схемы из набора компонентов базового кристалла. Это позволяет увеличить выход годных схем при массовом изготовлении.
На чертеже изображен один из вариантов описываемой интегральной схемы, Отдельные компоненты схемы, например резисторы 1 — 8, конденсаторы 9 — 12, диоды 13—
16 и транзисторы 17 — 20, имеют взаимократные размеры. Контактные площадки 21 — 58 и выводы 54 — 68 расположены по периферии кристалла (не показан на чертеже). После изготовления компонентов, контактных площадок и выводов в зависимости от каче=тва компонентов выбирают одну из центральных схем коммутации, на пример изображенную на чертеже, которую наносят на базовый кристалл.
Если в процессе дальнейших измерений обнаружится, что транзистор 18 коротко замкнут, 5 то, используя вспомогательные перемычки из тонкой проволоки (на чертеже не показаны), получают один из возможных вариантов функциональной схемы (например, триггер с раздельными входами, триггер со счетным выхо10 дом или ждущий мультивибратор) .
Для получения триггера с раздельными входами соединяют перемычками площадки 29, 80 и 31 и вывод 57, площадки 82 и 33, площадку 26 и,вывод 59,,площадку 46 или 47 с
15 площадкой 42 и выводом 61, площадку 24 выводом 55, площадку 85 с выводом 58, площадки 25, 26 и 28 с выводом 56, площадки 87, 38, 39 и 40 с выводом 60 и площадочки 21, 22, 28, 48, 49, 50, 51 и 52 с выводом 68. Вывод 57
20 используют для подачи питания, выводы 54 и
61 — для подключения входных цепей, выводы 55 и 58 — для подключения выходных цепей, а,выводы 56, 60 и 62 заземляют.
Изменяя положение перемычек, можно по25 лучить триггер со счетным входом или жду щий мультивибратор.
Приведенная на чертеже центральная схема коммутации позволяет при использовании тех же компонентов базового кристалла получить, 30 кроме того, элементы типа «НŠ— И» и «НЕ—
208056
Предмет изобретения — 1 е5.» ) ГБ.» З 57
2 29
Составитель Н. Давыдов
Редактор Н. О, Громов Техред Т. П. Курилка Корректоры: Т. П. Лаврухина и С. П. Усова
Заказ 188/10 Тираж 530 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений п открытий при Совете Министров СССР
Москва, Центр, пр. Серова, д. 4
Типография, пр. Сапунова, 2
ИЛИ» на три входа с эмиттерным повторителем, с инвертором и др. Изменив центральную схему коммутации, можно, получить новый набор функциональных схем, из которых выбирают те, которые обеспечивают оптимальные результаты при данных параметрах компонентов базового кристалла.
Интегральная схема, выполненная в виде размещенного в плоском корпусе базового, например кремниевого, кристалла, снабженного изготовленными по способу планарной технологии компонентами, контактными площадками и схемой коммутации площадок, отличаюи4аяся тем, что, с целью повышения процента выхода годных схем при массовом их изготовлении, отдельные компоненты схемы имеют взаимократные размеры, контактные площадки расположены по периферии кристалла, а центральная схема коммутации контактных
10 площадок снабжена вспомогательными перемычками, служащими для получения требуемого варианта функциональной схемы из набора компонентов базового кристалла.
