Феррит-транзисторный регистр

Авторы патента:

М. Д. Кауфман, В. Г. Першеев, В. И. Панкратов Я. В. Заксенберг

G11C19/14 - с использованием магнитных элементов в комбинации с активными элементами, например электронными или газоразрядными лампами, полупроводниковыми приборами (G11C 19/34 имеет преимущество)

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СЕИДЕ П= ЛЬС 1 Е1У

Со»оз Соввтскик

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 17.Х.1966 (И 1107922 26-24) 1(л. 42»п, 14

21а», 371б4 с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 29.ХН.1967. Бюллетень № 3

МПК 6 061

Н 031

Ъ ДК 681.327.67.

:681.326.33 (088.8) Комитет по делам изобретений и открмтий при Совете Министров

СССР

Дата опубликования описания 19.III.1968

Авторы изобрстения M. Д. Кауфман, В, Г. Першеев, В. И. Панкратов и Я. Б. Заксенберг

Заявитель Всесоюзный научно-исследовательский институт железнодорожного транспорта

ФЕРРИТ-ТРАНЗИСТОРНЫЙ РЕГИСТР

В вычислительных устройствах известны регистры сдвига, содержащие основные и промежуточные феррит-транзисторнь.е ячейки, а также ключевые транзисторы.

Предложенное устройство отличается от известных тем, что выходы основных ячеек разделены на две параллельные ветви, которые через диоды, резисторы и обмотки записи соответственно променсуточных ячеек и ячеек нагрузки подключены к эмиттерам ключевых транзисторов.

Такое соединение элементов позволяет расширить функциональные возможности регисfра вЂ” осуществлять хранение, сдвиг и napaллельное считывание информации.

На чертеже приведена принципиальная схема регистра.

Предлагаемый феррит-транзисторный регистр состоит из следующих основных элементов: основных феррит-транзисторных ячеек,Ч,, промежуточных феррит-транзисторных ячеек Яе, разделительных диодов Д; ограничительных сопротивлений ?» и ключевых транзисторов КТ, и КТ.

Регистр работает в двух! актном режиме.

Входная информация записывается в первую из основных феррит-транзисторных ячеек Я» в первом такте.

Если необходимо производить сдвиг записываемой в регистр информации, то по ВТорому такту на вход ключевого транзистора

КТ» пода10тся запуска10щие импульсы, hoToрые открывают его, и импульсы с выхода основных феррит-тр "íçèñòîðíûõ ячеек,Ч, про: одят через обмотки записи 11"„„промежуточных феррит-транзисторных ячеек,Ч, на эмнттер открытого в это время ключевого транзистора К?,. Таким образом, информация переписывается из основных ячеек,Ч, в

10 промежуточные ячейки Я>, а по первому такту вЂ” из промежуточных ячеек Я в основные ячейки Я» обычным образом, т. е. происхоIHT сдвиг информации. В том случае, когда информаци1о необходимо одновременно и

15 сдвинуть, и параллельно переписать в нагрузку Z„агр на Вход ключеВого тр IH31ICTopа

?(Тз, подается запускаю»цпй импульс по второму такту, т. е. одновременно с подачей запускающего импульса на КТ,.

20 Кл»о 10В011 транзистОр К? е TBK Hie, KBK

КТ», открывается, и таким образом, импульсы с выходов основных ячеек Я» проходят napaллсльно и через обмотки записи промежуточших Я,:, как было описано выше, и таким же

25 образом через обмотки записи нагрузочных и 1ee«Zкarp

Если же необходимо производить только параллельное считывание информации в нагрузку без сдвига ее в регистре, то в этом слу30 чае запускающий импульс подается на вход

208356 т,1!

-T

Со.тавнтелв Л. В. Скобелева

Редактор Б. С. Панкина Текред А. А. Камышникова Корректоры: А. А. Березуева и А. П. Татаринцева

Заказ 190!14 Тираж 530 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 ключевого транзистора КТ, а на вход КТ, не подается. В результате ключевой транзистор

КТ открывается, à КТ остается закрытым, и импульсы с выходов основных феррит-транзисторных ячеек л 1 поступают только íà оомотки записи нагрузочных ячеек Z„,„ð.

Предмет изобретения

Феррит-транзисторный регистр для хранения, сдвига и параллельного считывания информации, содержащий основные, промежуточные ячейки и ключевые транзисторы, отличающийся тем, что, с целью расширения

его функциональных возможностей, выхо5 ды основных ячеек разделены на две параллельные ветви, которые через диоды, резисторы и обмотки записи соответственно проме>куточных ячеек и ячеек нагрузки подключены к эмиттерам ключевых транзисторов.