Магнитопровод для накопителя информации на цилиндрических магнитных доменах

 

(19) RU (11) (51) 5 G11С11 14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ПАТЕНТУ

Комитет Российской Федерации по патентам и товарным знакам (21) 4902099/24 (22) 14.12.90 (46) 15.10.93 Ьол. hh 37 — 38 (71) Научно-исследовательский центр физики и технологии (72) Цаплин ДВ„Грушин BA (73) НПО "Физика" (54) МАГНИТОПРОВОД ДЛЯ НАПОЛНИТЕЛЯ

ИНФОРМАЦИИ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕ НАХ (57) Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при конструктировании накопителей информации на

ЦМД Устройство содержит две детали 1 с отбортовками 2, изоляционную рамку 3, на которой укреплены магниты 4. 2 ил.

200144E

Изобретение относится к области вычислительной техники, предназначено для улучшения помехоэащищенности накопителя информации (НИ) на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД) и может быть использовано при конструировании НИ на

ЦМД.

Наибольшее распространение в мировой практике полу конструкция НИ, в которой несущим э емВнтом является рамка с выводами, прохдщ цими через две противоположные стенки рамки, Части выводов, выступающие за габариты рамки, служат для монтажа НИ в запоминающем устройстве, части, выступающие внутрь рамки, предназначены для монтажа кристаллодержателя с кристаллом и катушками управления. Выступы на внутренних стенках рамки обеспечивают фиксацию магнитов с растекателями, Элементы наружной поверхности рамки обеспечивают установку магнитопровода (M) с заданными зазорами между внутренними поверхностями М и поверхностями магнитов, закрепленных в рамке. В качестве Ы используется отрезок трубы, изготавливаемый из листового пермаллоя.

К недостаткам M в виде труб прямоугольного сечения следует отнести наличие больших окон, ухудшающих помехозащищенность НИ, сложность получения качественного сварного шва и большой разброс расстояния между внутренними поверхностями стенок трубы, превышающий 0,15 мм, при их серийном прсиэводстее. При этом от 35 образца к образцу, при смене M на НИ, разброс индукции в зазоре между растекателями превышает 7 Э (необходим разброс менее 1 Э), а температурный коэффициент магнитной индукции изменяется от -0,18 до 40

-0,2; / С, что приводит к необходимости индивидуальной коррекции индукции поля смещения е зазоре между растекателями после окончательной сборки НИ.

Наиболее близким по технической сущ- 45 ности к заявляемомуиэобретению является

М. Изготовление чашеобраэных деталей методом штамповки с последующей их сваркой по периметру после сборки КИ позволяет поддерживать расстояние между внутренними стенками М с погрешностью

0,02 мм, кроме того щель, через которую проходят выводы накопителя информации, на порядок меньше окна в M в виде трубы прямоугольного сечения, что ухудшает по- 55 мехозащищенность НИ.

Недостатком описанного М является необходимость сварки деталей M после сборки НИ, это снижает выход одных НИ.

Сварной шов, характеризующийся плохими магнитными свойствами, расположен на самом ответс венном участке М, через который проходит весь магнитный поток поля смещения, а при выполнении М функций экрана этот же участок определяет помехозащищенность НИ от внешнего магнитного поля, направленного согласно или встречно с полем смещения. Следует заметить, что даже идеально выполненный M хуже всего экранирует НИ именно от этого наиболее опасного поля. Таким образом, сварной шов в этой конструкции приводит к нестабильности свойств М при серийном производстве, а также к забраковке после сварки годных

НИ. Описанная конструкция в настоящее время не применяется.

Целью изобретения является повышение зкранирующей способности М от внешних магнитных полей.

Поставленная цель достигается тем, что

М для НИ на ЦМД содержит замкнутый короб с пазами, выполненный из двух деталей одинаковой формы из листового пермаллоя, причем детали короба состыкованы по плоскости, проходящей через ось симметрии перпендикулярно к основанию короба и параллельно боковым граням, не имеющим пазов, а пазы образованы отбортовкой противоположных торцов деталей.

Сопоставительный анализ с прототипом позволяет сделать вывод, что предлагаемый M НИ на ЦМД отличается тем, что детали короба состыкованы по плоскости, проходящей через его ось симметрии перпендикулярно к основанию короба и параллельно боковым граням, не имеющим пазов, а пазы образованы отбортовкой противоположных торцов деталей. Таким образом описываемое техническое решение соответствует критерию "новизна".

Поскольку М НИ на ЦМД, собранный из двух деталей без применения сварки, при анализе известных технических решений не найден, заявляемое техническое решение можно признать соответствующим критерию "существенные отличия".

На фиг.1 и 2 изображен НИ на ЦМД с М, изготовленным в соответствии с предполагаемым изобретением, М содержит две одинаковые по конфигурации детали 1 с отбортовками 2. Детали

1 укреплены клеем на изоляционной рамке

3 с выводами. На выступах внутренних стенок рамки 3 укреплены магниты 4.

М работает следующим образом, НИ наименее защищен от внешнего магнитного поля, направленного перпендикулярно к плоскости, в которой расположены линии стыковки деталей 1 М, Стыки не препятствуют выполнению функций экранироввния

2001448

НИ от этого поля, поток которого разветвляется от линии стыковки деталей 1 к боковым граням М. Отбортовки 2, перекрывающие окна М, через которые проходят выводы, в

2 — 3 раза снижают уровень помех от этого 5 поля. Для НИ требуется формирование однородного магнитного поля, которое образуется между двумя магнитами 4 прямоугольной формы. Для замыкания магнитного потока с внешних поверхностей 10 магнитов 4 в качестве магнитопровода используются детали 1. Магнитный поток с поверхности магнитов 4 разветвляется в состыкованные детали 1 к боковым граням М

Формула изобретения

МАГНИТОПРОВОД ДЛЯ НАКОПИТЕЛЯ ИНФОРМАЦИИ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕнАх, содержащий замкнутый короб с пазами, выполненный из двух деталей одинаковой формы иэ листового пермаллоя, отличающийся тем, что, с целью повышетак, что стык не участвует в формировании потоков.

Следует заметить, что отбортовки не только повышают помехозащищенность, но и обеспечивают деталям М жесткость, необходимую для поддержания зазора между внутренними стенками М, что важно для получения серийно пригодного М. К достоинствам описанного M следует отнести его технологичность и низкую стоимость. (56) УЕЕЕ, поч 1985, р.84 — 89.

Элементы и устройства на ЦМД, М.; Радио и связь, 1987, с.443. ния экранирующей способности магнитопровода, детали короба состыкованы пЬ плоскости, проходящей через его ось симметрии перпендикулярно к основанию короба и параллельно боковым граням, не имеющим пазов, а пазы образованы отбортовкой противоположных торцов деталей.

Магнитопровод для накопителя информации на цилиндрических магнитных доменах Магнитопровод для накопителя информации на цилиндрических магнитных доменах Магнитопровод для накопителя информации на цилиндрических магнитных доменах 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании запоминающих элементов и магнитных датчиков

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к энергонезависимым запоминающим устройствам

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и оптоэлектронике и может быть использовано при измерении динамических параметров магнитоодноосных пленок , применяемых в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах, магнитооптических управляемых транспарантах, модуляторах, переключателях , дефлекторах и т.п

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в оптических процессорах и голографических ЗУ Цель изобретения - повышение надежности и быстродействия транспаранта

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх