Устройство для измерения радиуса кривизны полированных полупроводниковых пластин

 

Изобретение предназначено для измерения радиуса кривизны полированных полупроводниковых пластин. Цель изобретения расширение диапазона измерений. С помощью микроскопа измеряют расстояние между световыми точками, являющимися проекциями на экран разделенных лучей, отраженных поочередно от исследуемой и эталонной пластин, располагаемых в держателе, установленном между системой призм, предназначенной для раздваивания лучей и экраном, и выполненным с теплообменником. 1 з. п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к устройствам для измерения радиусов кривизны пластин с зеркальными поверхностями, преимущественно полупроводниковых пластин.

Известно устройство для измерения радиуса кривизны полированных полупроводниковых пластин, содержащее корпус и установленные в нем узконаправленный источник света, систему призм, предназначенную для раздваивания лучей, держатель пластин и экран (1).

Недостаток устройства ограниченный диапазон измерений, связанный с невозможностью измерения выпуклых поверхностей с большим радиусом кривизны.

Цель изобретения расширение диапазона измерений.

Для достижения цели устройство снабжено установленным с возможностью перемещения вдоль экрана микроскопом, а держатель пластин размещен по ходу лучей между системой призм и экраном. Кроме того, держатель пластины установлен горизонтально и выполнен с теплообменником.

На чертеже изображено устройство для измерения радиуса кривизны полированных полупроводниковых пластин, содержащее корпус 1 с установленными в нем узконаправленным, например лазерным, источником 2 света, поляризатором 3, регулирующим его интенсивность, систему призм 4, 5, предназначенную для раздваивания лучей с приспособлением для линейного перемещения и разворота одной относительно другой, держатель 6 с теплообменником 7 в термостатированной камере 8 с прозрачным окном 9, полупрозрачный экран 10 для измерения расстояния А и В между двумя световыми точками проекциями лучей, отраженных поочередно от исследуемой и эталонной пластин 13 и 14 соответственно.

Устройство работает следующим образом.

Луч источника 2 через поляризатор 3 направляется на призмы 4 и 5, проходя через которые он раздваивается и оба луча направляются поочередно с помощью передвижения держателя 6 на поверхность эталонной и исследуемой пластин 14 и 13, соответственно, отражаясь от которых, лучи попадают на экран 10 и проектируются на нем в виде световых точек, расстояние А и В между которыми измеряется с помощью микроскопа 11. Радиус кривизны поверхности пластин определяется разностью расстояний Б-А между световыми точками при отражении от исследуемой и эталонной пластин 13 и 14. Чем больше эта разность, тем меньше радиус кривизны пластины 13. По знаку разности определяется характер кривизны поверхности пластин 13: выпуклая или вогнутая. При положительной разности поверхность пластины 13 выпуклая, при отрицательной вогнутая.

Устройство позволяет измерять пластины с большими радиусом кривизны и проводить измерения при заданной температуре.

Формула изобретения

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ РАДИУСА КРИВИЗНЫ ПОЛИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН, содержащее корпус и установленные в нем узконаправленный источник света, систему призм, предназначенную для раздваивания лучей, держатель пластин и экран, отличающееся тем, что, с целью расширения диапазона измерений, оно снабжено установленным с возможностью перемещения вдоль поверхности экрана микроскопом с микрометрическим механизмом, а держатель пластин размещен по ходу лучей между системой призм и экраном.

2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что держатель пластин установлен горизонтально и выполнен с теплообменником.

РИСУНКИ

Рисунок 1