Материал для изготовления электродов коллектора электровакуумного прибора свч

 

Изобретение относится к вакуумной электронной технике и может быть использовано в лучевых электронных СВЧ-приборах, преимущественно в многоступенчатых коллекторах с рекуперацией энергии. Сущность изобретения: для повышения надежности ЭВМ СВЧ в качестве материала для изготовления электродов коллектора ЭВП СВЧ применен молибдено-медный дисперсионно упрочненный композиционный псевдосплав МД 50. 1 табл. 1 ил.

Изобретение относится к вакуумной электронной технике и может быть использовано в лучевых электронных СВЧ-приборах, преимущественно в многоступенчатых коллекторах с рекуперацией энергии.

Известны молибдено-медные композиционные псевдосплавы марок МД15НМ, МД4ОН, МД50, прецизионно согласованные по термическому коэффициенту линейного расширения (ТКЛР) с диэлектриками, применяемыми в ЭВП СВЧ, и широко используемые в металлокерамических спаях [1] Известно, что при разработке электровакуумных приборов СВЧ с появлением приборов большой мощности возникла проблема разрушения (эрозии) металлов на электродах, подвергающихся воздействию импульсного и непрерывного электронного потока. Это элементы замедляющих систем в приборах М-типа и в особенности электроды коллекторов в приборах О-типа [2] Задачей, на решение которой направлено изобретение, является повышение надежности ЭВП СВЧ за счет увеличения стойкости токовоспринимающей поверхности электродов коллектора.

Поставленная задача решается путем применения в качестве материала для изготовления электродов коллектора электровакуумного прибора СВЧ-молибдено-медного дисперсионно упрочненного композиционного псевдосплава с массовой долей меди 50% и молибдена 50% Авторами заявляемого технического решения впервые при выполнении ОКР по разработке мощной импульсной ЛБВ было экспериментальным путем показано, что этот известный молибдено-медный дисперсионно упрочненный композиционный псевдосплав обладает значительно большей устойчивостью к воздействию импульсного электронного потока по сравнению с традиционно применяемой в коллекторах ЭВП СВЧ медью. Практическая провеpка повышенной стойкости материала МД50 при воздействии электронного потока проводилась по методике, разработанной на основе теоретических и экспериментальных данных, изложенных (Справочник "Машиностроение" М. 1985, Лазерная и электронно-лучевая обработка материалов, с. 200 -281).

Известно, что ток через мишень можно представить в виде Iм=I (Iвт + Iт), где Iм ток мишени, I ток электроннолучевого источника, Iвт суммарный ток вторичных и отраженных электронов, Iт ток термоэлектрической эмиссии.

При этом форма тока в течение времени может быть представлена ломаной кривой, изображенной на графике: возрастающий участок t-t1 (1), характеризующий переходные процессы в электронно-оптической системе установки,
прямая постоянного тока t1-t2 (2) стационарный режим, предельное значение тока Iм в этом интервале времени определяется коэффициентом отражения и коэффициентом вторичной эмиссии электронов, которые практически не зависят от температуры. В этот период времени температура поверхностного слоя мишени в микрообъемах может достигать примерно температуры плавления,
падающий участок t2-t3 (3), характеризующий резкое уменьшение тока за счет интенсивной термоэлектронной эмиссии, при этом время t=t3 соответствует началу интенсивного парообразования,
возрастающий участок t3-t (4) после времени t3, в течение которого происходит формирование канала проплавления мишени.

Таким образом по кривой тока мишени Iм=Iт(t) можно выделить время начала эрозии поверхности материала при электронно-лучевой бомбардировке мишени.

Удельная токовая нагрузка в эксперимента 5 кВт/см2 при ускоряющем напряжении Uуск 25 кВ, токе луча в импульсе 1 луча 2А. Параметры импульса: длительность импульса tп= 18 мс, период повторения Т=0,07 с.

Эксперименты выполнялись на одинаковых образцах имитаторах коллектора с размерами 20х20х10 мм на установке электронно-лучевой сварки 03 ЛЭВ 80-1. Поверхность, подлежащая обработке электронным лучом, была отполирована. Образец фиксировался в установке в специальной оснастке на керамической подложке. Между образцом и керамической пластиной устанавливалась термопара.

Результаты сравнительных испытаний образцов меди, молибдена и МД50 приведены в таблице.

Из известных и выпускаемых промышленностью марок материала МД выбpан дисперсно упрочненный композиционный псевдосплав МД50 как материал с самым высоким содержанием меди. Материал марки МД50 обладает теплопроводностью, равной примерно 65% от теплопроводности меди. Кроме того, этот материал согласован по термическому коэффициенту линейного расширения с керамикой из окиси бериллия. Эти свойства материала делают предпочтительным его применение в качестве электрода коллектора, особенно для мощных приборов ЭВП СВЧ.

Явление эрозии металлов под действием быстрых частиц, в частности электронов, объясняется возникновением тепловых пиков, т.е. очень быстрого нагрева-охлаждения микроскопических объемов вещества вдоль пути движения быстрой частицы, которая передает часть своей энергии ближайшим атомам. Внутри этих микрообъемов температура может достигать температуры плавления металла. Возникающие при этом около тепловых пиков необратимые пластические деформации вызывает растрескивание и шелушение поверхности металла (С.Т. Кишкин. Влияние облучения на структуру и свойства конструкционных металлов. М. Оборонгиз, 1958. А.В. Бялобжеский. Радиационная коррозия. М. Наука, 1967).

Микроструктура молибдено-медных псевдосплавов с содержанием молибдена от 30 до 70 мас. представляет собой по типу структуры медную матрицу с включением упрочняющих молибденовых частиц (Р.Ф. Козлова, В.Б. Рабкин. Концентрационная и деформационная зависимость механических свойств композиций Мо-Сu и Мo-Сu-Ni. Порошковая металлургия, N 12, 1979, с. 76-77, рис. 1).

Присутствие этих частицво-первых, препятствует возникновению пластической деформации в медной фазе, а во -вторых, отбирая часть падающих электронов на себя, уменьшает собственно число микрообъемов, внутри которых может плавиться металл (температура плавления меди 1083oC, молибдена 2617oC).

Обнаруженный положительный эффект для псевдосплава с содержанием молибденовой фазы 50% (МД50) подтверждает сказанное. Использование МД50 в качестве материала электродов коллектора проводилось на опытном образце мощной импульсной ЛБВ с двухступенчатым коллектором.

В ЛБВ с коллектором из материала МД50 не было отказов из-за потери электропрочности, вызванной напылением на изоляторы коллектора. В аналоге прибора с коллектором из медных электродов наблюдались отказы из-за эрозии и оплавления места влета в коллектор второй (низковольтной ступени), вероятно, по причине неравномерного токораспределения по токовоспринимающей поверхности электрода. Этому сопутствовала потеря электропрочности коллектора.

В приборе с электродами коллектора из МД50 следов оплавления и эрозии не обнаружено.

Для приборов с высокой импульсной мощностью, но с большой скважностью возможно применение псевдосплава МД40Н, обладающего худшей теплопроводностью, но более высокой температурой плавления матричной фазы (сплав Ci-Ni с Тпл 1250oC). Устойчивость этого материала к импульсной токовой нагрузке по этой причине будет выше чем у МД50.

Использование изобретения возможно при изготовлении токовоспринимающих электродов в других типах ЭВП, например, для изготовления элементов замедляющих систем (ламелей, меандровых линий) в ЭВП М-типа (ЛБВМ, амплитронах), поскольку в таких приборах большая часть электронного потока оседает на замедляющую систему.

Технология изготовления деталей электрода коллектора не выходит за рамки традиционной по требованиям к вакуумной гигиене.


Формула изобретения

Применение молибденово-медного дисперсионно упрочненного композиционного псевдосплава с массовой долей меди 50% и молибдена 50% в качестве материала для изготовления электродов-токоприемников многоступенчатых коллекторов с рекуперацией энергии электровакуумного прибора СВЧ.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электронным СВЧ-приборам

Изобретение относится к электронной технике и служит для увеличения долговечности и надежности прибора при сохранении или сокращении его массогабаритных характеристик

Изобретение относится к вакуумной электронной технике и может быть использовано в электронных СВЧ-приборах с длительным взаимодействием, преимущественно в коллекторах мощных приборов с рекуперацией

Изобретение относится к СВЧ-электронике

Изобретение относится к электронной технике Цель - увеличение токспрохожде)Ий в динамическом режиме, улучшение теплового режима выходного резонатора и повышение надежности системы при, уБСЛи еиии средней мощности СВРОХЙЫСОКО- часготного (СВЧ) прибора Она достиггется тем, что в вылодчсм устройстве пролетного СВЧ-прибора предкопг;екторный полюсный нзкоиечкик (ППН) имеет внешнюю часть (Ч) 1

Изобретение относится к электронной технике, в частности к коллекторам с рекуперацией для сверхвысокочастотных приборов типа ламп бегущей волны, клистронов

Изобретение относится к области СВЧ-электроники, в частности к конструкциям коллекторных систем электровакуумных приборов О-типа

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при разработке и изготовлении мощных СВЧ-приборов О-типа, например клистронов

Изобретение относится к электровакуумным приборам СВЧ, в частности к коллекторам в лампах бегущей волны О-типа или клистронах, в которых применяется рекуперация кинетической энергии отработавших электронов

Изобретение относится к электровакуумным приборам СВЧ, в частности к коллекторам в лампах бегущей волны О-типа или клистронах

Изобретение относится к электронной технике

Изобретение относится к способу коллекторного качания, в частности, для управления пучком электронов в коллекторе пучка вакуумного устройства, подобного электронной лампе сверхвысокочастотного генератора

Изобретение относится к электровакуумным приборам, в частности к коллекторам в лампах бегущей волны, многолучевых клистронах и клистродах, в которых используется рекуперация кинетической энергии электронов, выходящих из электродинамической системы прибора. Технический результат заключается в повышении КПД и срока службы прибора. Коллектор содержит корпус, изолятор, устройство для создания поперечного электрического поля и электроды, причем корпус снабжен многоштырьковой ножкой, выполненной в виде керамического диска, а устройство для создания поперечного электрического поля размещено перед электродами и выполнено в виде соосно расположенных кольца и цилиндрического стакана. Электроды образуют двухрядную многосекционную систему, каждая секция которой содержит внешний и внутренний электроды с плоскими торцевыми и цилиндрическими боковыми поверхностями. Коллектор также снабжен дополнительным электродом, который выполнен в виде диска и размещен за электродами последней секции, внешними и внутренними дополнительными изоляторами, выполненными в виде шайб и размещенными по обе стороны каждого внутреннего и внешнего электрода, диэлектрическими трубками и проводниками. Все электроды и изоляторы, а также многоштырьковая ножка расположены сосно, а размеры наружных диаметров внешних электродов, внешних дополнительных изоляторов, кольца и дополнительного электрода одинаковы, причем внешние цилиндрические поверхности дополнительного электрода и кольца соединены с внутренней поверхностью изолятора, а в электродах и дополнительных изоляторах выполнены отверстия, образующие цилиндрические полости, в которых размещены диэлектрические трубки, внутри которых расположены проводники, соединяющие кольцо, цилиндрический стакан и каждый из электродов с соответствующим штырьком многоштырьковой ножки. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к многолучевым клистронам мегаваттного уровня мощности. Полые резонаторы многолучевого клистрона работают на высшем виде колебаний E0n0. Многолучевой клистрон содержит кольцевые резонаторы, которые работают на высшем виде колебаний E0n0, и n кольцевых емкостных зазоров, между которыми расположены кольцевые индуктивные области, где n=2, 3. Во всех или некоторых индуктивных областях кольцевых резонаторов содержатся дополнительные кольцевые выступы в областях нулевого электрического поля на рабочем виде колебаний. Входной и выходной резонаторы связаны с внешней нагрузкой с помощью аксиально-асимметричными элементами связи и содержат один или несколько закорачивающих штырей, соединяющих торцевые крышки резонатора. многолучевого клистрона, работающего на виде колебаний E0n0. Технический результат - повышение равномерности распределения электрического поля по сечениям пролетных каналов. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области электронной СВЧ-техники. Электронный СВЧ-прибор большой мощности пролетного типа включает выполненный из материала с низкой электропроводностью вакуумный корпус, магнитную систему формирования и транспортировки электронного пучка, выполненный отдельно от вакуумного корпуса коллектор отработанного электронного пучка в виде тела вращения с медленно изменяющимся вдоль оси симметрии радиусом, внешняя поверхность которого является токовоспринимающей, а также расположенные коаксиально коллектору снаружи вакуумного корпуса коллекторную сканирующую катушку и коллекторную корректирующую катушку. Указанная геометрия СВЧ-прибора при пространственно однородной переменной составляющей магнитного поля коллекторной сканирующей катушки значительно снижает экранирование переменной составляющей магнитного поля в области вблизи коллектора, где проходит отработанный электронный пучок. Технический результат- снижение максимальной рабочей температуры токовоспринимающей поверхности коллектора СВЧ-прибора и повышение долговечности СВЧ-прибора при заданной мощности СВЧ-излучения (и заданной рассеиваемой мощности отработавшего электронного пучка) или повышение максимально возможной рассеиваемой мощности отработавшего электронного пучка и мощности СВЧ-излучения при заданной максимальной рабочей температуре токовоспринимающей поверхности коллектора или долговечности СВЧ-прибора. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Наверх