Способ получения шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката

 

Изобретение относится к химической технологии композиционных материалов на основе оксидов для выращивания монокристаллов, в частности лантангаллиевого силиката (ЛГС). Техническим результатом является получение шихты для выращивания ЛГС стехиометрического состава, для пьезо- и лазерной техники. Для получения шихты в качестве исходных компонент используют оксиды лантана и кремния и металлический галлий. Оксиды берут в стехиометрическом соотношении. После смешивания проводят нагрев в присутствии окислителя до начала протекания реакции самопроизвольного высокотемпературного синтеза. Смешивание и нагрев проводят в две стадии с различным содержанием галлия. 2 з.п. ф-лы, 1 табл.

Изобретение относится к химической технологии композиционнных материалов на основе оксидов для выращивания монокристаллов, а именно лантангаллиевого силиката.

Известен способ получения шихты для выращивания кристаллов лантангаллиевого силиката методом твердофазного синтеза путем спекания исходных оксидов лантана, галлия и кремния (Миль Б.В. и др. Модифицированные редкоземельные галлаты со структурой Ca3Ga2Ge4O14. Доклады АН СССР, 1982, т. 264, N 6, с. 1385-1389).

В известном способе оксиды металлов смешивают в стехиометрическом соотношении, затем спекают в кислородосодержащей среде при температуре 1300oC. Использование полученной таким способом шихты не позволяет выращивать монокристаллы лантангаллиевого силиката стехиометрического состава, поскольку при спекании оксидов металлов происходит потеря легколетучего компонентов. Снижение температуры спекания ниже 1300oC позволяет уменьшить эффект потери легколетучего компонента, однако это в свою очередь приводит к уменьшению выхода галлосиликата лантана за счет неполноты протекания реакции по объему. Для увеличения полноты синтеза необходимо неоднократно повторять операции измельчения продукта синтеза, смешивания оксидов металлов с последующим нагревом. Это, в свою очередь, приводит к загрязнению продукта, т.к. шихты лантангаллиевого силиката, и увеличению его себестоимости.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к заявленному способу является способ получения шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката, включающий смешивание исходных компонент и последующий нагрев (SU 1506951, 07.12.92).

Известный способ позволяет решить задачу получения шихты для выращивания лантангаллиевого силиката стехиометрического состава и пригодного для использования в пьезотехнике и лазерной технике.

Однако применение в способе окисла галлия Ca2O3, получение которого сопровождается дополнительными затратами на его производство, увеличивает себестоимость получаемой шихты.

В рамках данной заявки решается задача снижения себестоимости процесса.

Поставленная задача решается тем, что в способе получения шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката, включающем смешивание исходных компонент и последующий локальный и кратковременный нагрев в присутствии окислителя до начала протекания реакции самопроизвольного высокотемпературного синтеза, в качестве исходных компонент смешивают оксиды лантана и кремния и металлический галлий, смешивание и нагрев проводят в две стадии, при этом на первой стадии оксиды смешивают в стехиометрическом соотношении с добавлением на первой стадии галлия в количестве 52,5-55,3% от стехиометрического, а на второй стадии с добавлением к полученному промежуточному продукту галлия в количестве 44,7-47,5% от стехиометрического соотношения. При этом на первой стадии к смеси исходных компонент добавляют воду в количестве 1,8-2% от веса смеси. Кроме того, в качестве окислителя на первой стадии используют смесь воздуха с кислородом в соотношении 5:1 соответственно, а на второй стадии в качестве окислителя используют кислород.

Экспериментально было установлено, что только в рамках заявленных диапазонов концентрации реагентов решается поставленная задача.

Сущность предложенного способа поясняется примером реализации.

Для синтеза шихты лантангаллиевого силиката используют оксид лантана марки ЛаО-Д ТУ 48-4-523-90 оксид кремния ОСЧ-7 ТУ 67-09-4574-7 металлический галлий марки Gа-99,9999 ТУ 48-4-350-75. Смешение и нагрев ведут в две стадии. На первой стадии смешивают 48,0 г оксида лантана с 5,9 г оксида кремния и 18 г металлического расплавленного галлия. После смешения в приготовленную смесь добавляют 1,3 мл дистиллированной воды.

Наличие воды необходимо для снижения температуры реакции, что в итоге обеспечивает нужный дисперсный состав. Полученную смесь формуют в виде брикета, помещают в горизонтальный реактор, в который подают смесь воздуха с кислородом в соотношении 5:1 соответственно со скоростью 10 л/ч. Смесь локально нагревают до начала протекания реакции самопроизвольного высокотемпературного синтеза (СВС), например в вольтовой дуге. В результате горения на первой стадии образуется оксид галлия и происходит частичное взаимодействие компонентов смеси с оксидом галлия. На второй стадии полученный промежуточный продукт смешивают с 16,3 г металлического расплавленного галлия. Полученную смесь формуют в форме брикета, помещают в горизонтальный реактор, в который подают кислород со скоростью 5 л/ч. Смесь локально нагревают до начала протекания реакции. Оксид галлия вступает в реакцию с оксидом лантана с образованием промежуточной фазы, которая при догорании по достижении температуры порядка 1400oC взаимодействует с оксидом галлия и кремния до образования La3Ga5SiO14.

Время реакции на первой и второй стадии 40-50 мин. Остывание до комнатной температуре 40-50 мин.

Полученный шихтовый материал имеет стехиометрический состав и пригоден для выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката.

В таблице приведены результаты осуществления способа при различных значениях заявляемых параметров и вне их.

Данный способ позволяет получать шихту для выращивания лантангаллиевого силиката стехиометрического состава и пригодного для использования в пьезотехнике и лазерной технике.

Формула изобретения

1. Способ получения шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката, включающий смешивание исходных компонент и последующий нагрев, отличающийся тем, что нагрев проводят в присутствии окислителя до начала протекания реакции самопроизвольного высокотемпературного синтеза, в качестве исходных компонент смешивают оксиды лантана и кремния и металлический галлий, смешивание и нагрев проводят в две стадии, при этом оксиды смешивают в стехиометрическом соотношении с добавлением галлия на первой стадии в количестве 52,5 - 55,3% от стехиометрического, а на второй стадии с добавлением к полученному промежуточному продукту галлия в количестве 44,7 - 47,5% от стехиометрического соотношения.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в смесь исходных компонент на первой стадии добавляют воду в количестве 1,8 - 2% от веса смеси.

3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве окислителя на первой стадии используют смесь воздуха с кислородом в соотношении 5 : 1 соответственно, а на второй стадии используют кислород.

РИСУНКИ

Рисунок 1

MM4A - Досрочное прекращение действия патента СССР или патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Дата прекращения действия патента: 23.05.2007

Извещение опубликовано: 27.07.2008        БИ: 21/2008




 

Похожие патенты:
Изобретение относится к области производства синтетических драгоценных камней

Изобретение относится к получению монокристалла -BaB2O4(ВBO), применяемого для преобразования частоты лазерного излучения

Изобретение относится к порошку комплексного оксида металла, содержащему по крайней мере два металлических элемента, который используют в качестве исходного порошка оксидной керамики, которую используют в качестве функционального материала для конструктивного материала, который используют в диспергированном состоянии в качестве наполнителя или пигмента, или который используют в качестве исходного порошка для получения монокристалла или покрытия, нанесенного методом пламенного распыления, и к способу его получения

Изобретение относится к выращиванию синтетических монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий, а также высокопрочных оптических деталей (небольших окон, линз, призм и т.п.)
Изобретение относится к области получения монокристаллов калий титанил арсената KTiOAsO4 (КТА), используемых в лазерной технике в качестве преобразователей частоты лазерного излучения

Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла двойного цезий-литий бората CsLiB6O10 из раствор-расплава на затравку путем снижения температуры расплава
Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла трибората лития (LBO) и позволяет выращивать крупные кристаллы диаметром 65-70 мм и длиной до 40-45 мм высокого оптического качества без включений и свилей, пригодных для изготовления оптических элементов
Изобретение относится к получению лантангаллиевого силиката, применяемого для изготовления пьезоэлектрических резонаторов и монолитных фильтров системы радиосвязи и других устройств на объемных и поверхностных акустических волнах

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов вытягиванием из расплава, в частности по методу Чохральского, с регулированием путем использования изменения веса монокристалла и промышленно применимо при синтезе оксидных монокристаллов

Изобретение относится к области выращивания активированных монокристаллов и может быть использовано при производстве сцинтилляторов, применяемых в приборостроении для ядерных, космических, геофизических исследований, для медицинской и промышленной компьютерной томографии

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов из расплавов или раствор-расплавов

Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов вольфрамата свинца (далее PWO), и может быть использовано при изготовлении сцинтилляционных элементов, применяемых в детекторах ионизирующих излучений высоких энергий, работающих в условиях высоких дозовых нагрузок в трактах регистрации, требующих высокого временного разрешения

Изобретение относится к устройству для управления процессом выращивания монокристаллов из расплава по методу "Чохральского" и может быть использовано в полупроводниковом производстве, для получения монокристаллических слитков германия

Изобретение относится к устройству для управления процессом выращивания монокристаллов из расплава по методу "Чохральского" и может быть использовано в полупроводниковом производстве, для получения монокристаллических слитков германия

Изобретение относится к устройству для управления процессом выращивания монокристаллов из расплава по методу "Чохральского" и может быть использовано в полупроводниковом производстве, для получения монокристаллических слитков германия
Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангаллиевого силиката, обладающего пьезоэлектрическим эффектом и используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах
Наверх