Способ электролитического осаждения индия

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

222I04

Союз Советскик

Социалистическик

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 11.17.1967 (№ 1148585/22-1) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 07.Х.1969. Бюллетень № 31

Дата опубликования описания З.I I I.1970

Кл. 48а, 5,30.ЧПК С 23Ь

УДК 621.357.7:669,872 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытии при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

М. А. Лошкарев и А. А. Казаров

Заявитель

Днепропетровский химико-технологический институт

СПОСОБ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ИНДИЯ

Предмет изобретения

Известный способ электролитического осаждения индия из хлоридных электролитов имеет тот недостаток, что осадки индия склопны к дендритообразованию.

По предложенному способу электролитического осаждения индия для получения мелкокристаллических плотных и равномерных осадков в электролит вводят тиомочевину, фенилтиомочевину и желатину при следующем соотношении компонентов (в г/л): хлористый индий 83 хлористый натрий 58 тиомочевина 0,4 — 0,6 фенилтиомочевина 0,4 — 0,6 желатина 1,5 — 2

Процесс ведут при температуре 25 С и плотности тока 150 а/.из.

Осадки индия, полученные из предложенного электролита при многосуточном электролизе, плотные и очень равномерные.

Введение тиомочевины, фенилтиомочевины и желатины возможно не только при гальваническом нанесении покрытий индием, но и при электролитическом рафинировании индия.

Эффективность действия указанных добавок сохраняется при плотности тока до

200 а/л - . Дальнейшее повышение плотности тока возможно лишь прн интенсивном перемешивании раствора.

Способ электролитического осаждения индия из электролита на основе хлористого индия и хлористого натрия, оттичающийся тем, что, с целью получения мелкокристаллических плотных и равномерных осадков, в электролит вводят тиомочевину, фенилтиомочевину и желатину при следующем соотношении компонентов (в г/л): хлористый индий 83 хлористый натрий 58 тиомочевина 0,4 — 0,6 фенплтиомочевина 0,4 — 0,6 желатина 1,5 — 2 и процесс ведут при температуре 25 С и D, 150 а/лт - .

Способ электролитического осаждения индия 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к электролитическому нанесению покрытий из водных растворов, в частности к электролитическому осаждению молибдена из водных растворов электролитов

Изобретение относится к способам электрохимического нанесения покрытий и может быть использовано в практике вольтамперометрических измерений для изготовления электрохимического датчика для определения концентрации восстанавливающихся веществ и ионов, в частности для контроля содержания тяжелых металлов и кислорода в объектах окружающей среды, пищевых продуктах и т.д
Изобретение относится к области гальваностегии и может быть использовано при нанесении покрытий из индия
Изобретение относится к области гальваностегии и может быть использовано при осаждении тантала на изделия из меди и медных сплавов

Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано для получения функциональных покрытий на основе молибденового покрытия, а также в ювелирном деле для замены платины

Изобретение относится к области получения тонких пленок, а именно к способам обработки стальных деталей для повышения их износостойкости

Изобретение относится к гальваностегии, в частноcти к электролитическому осаждению висмутовых покрытий

 // 241887
Наверх