Способ электролитического осаждения галлия

 

СПИ НИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

24) 886

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 25.Xll.1967 (№ 1206306/22-1) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 18.1Ъ .1969. Бюллетень № 14

Дата опубликования описания 22Л 111.1969

Кл. 48а, 5/30

МПК С 23Ь

УДК 621.357.7:669.871 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

Б. А. Сорокина, А. Ф. Иванов и С. А. Гинцберг

Заявитель Всесоюзный научно-исследовательский конструкторско-технологический институт подшипниковой промышленности

СПОСОБ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ГАЛЛИЯ

5 Предмет изобретения

Из вестный способ электролитпческого осажде ния галлия из щелочного электролита не ,может быть применен для осаждения его на ласси вирующиеся;подложки, так,как при этом не обеопечи вается прочное с цеспление ло крытия с основой.

По предлагаемому способу для увеличе|ния прочности сцепления покрытия с основой осаждение ведут из электролита следующего состава (в г/л): сер нокислый галлисй 20 — 50 сульфа ми новая кислота 80 — 100 гидрат окиси аммония 60 — 80 лл/.г и процесс осуществляют прп тем|пературе не ниже 25 С и плотности тока 20 — 120 а дл-, рН 2,0 — 2,5.

При применении платиновых анодов осаждают галлиевое покрытие толщиной 30 ик.

Покрытие, прочно сц;пляется с основой.

С пособ электролитического осаждения галлия, отли«ающиися тем, что, с целью увеличения прочности сцепления покрытия с осно10 вой, осаждение ведут из электролита следующего состава (ia г/л): сернокислый галлий 20 — 50 сульфампновая кислота 80 — 100 гпдрат окиси аммония 60 — 80 мг/л

15 и процесс ведут при температуре не ниже

25 C и плотности тока 20 — 120 а дл- .