Устройство для рефлексотерапии

 

Изобретение относится к устройству для рефлексотерапии. Устройство содержит источник питания, импульсный генератор, активный и пассивный мультиэлектроды с контактными штыревыми элементами, соединенные между собой. Пассивный мультиэлектрод расположен по периферии активного мультиэлектрода. Кратчайшее расстояние между штыревыми элементами пассивного и активного мультиэлектродов, а также расстояние между рядом расположенными штыревыми элементами активного мультиэлектрода определяется из соотношения l=n•d, l - кратчайшее расстояние между штыревым элементом пассивного мультиэлектрода и ближайшим штыревым элементом активного мультиэлектрода, мм, d - расстояние между соседними перехватами Ранвье, мм, n - безразмерный коэффициент. Штыревые элементы активного и пассивного мультиэлектродов выполнены подпружиненными индивидуально и независимо друг от друга. Устройство позволяет воздействовать на выступающие части кожной поверхности тела при стабильном контактном сопротивлении между штыревыми элементами и кожей.

Изобретение относится к медицинской технике, в частности к рефлексотерапии.

Из авторского свидетельства SU 1060184 А известно устройство для рефлексотерапии, содержащее источник питания, импульсный генератор, активный и пассивный мультиэлектроды с штыревыми элементами, соединенные между собой, причем пассивный мультиэлектрод расположен по периферии активного мультиэлектрода, при этом кратчайшее расстояние между штыревыми элементами пассивного мультиэлектрода и штыревыми элементами активного мультиэлектрода, а также расстояние между рядом расположенными штыревыми элементами активного мультиэлектрода определяется из соотношения l=n•d, где l - кратчайшее расстояние между штыревым элементом пассивного мультиэлектрода и ближайшим штыревым элементом активного мультиэлектрода или расстояние между рядом расположенными штыревыми элементами активного мультиэлектрода, мм, d - расстояние между соседними перехватами Ранвье, мм, n - безразмерный коэффициент.

На основе вышеуказанного изобретения серийно был изготовлен электронейростимулятор чрескожный противоболевой "Электроника ЧЭНС - 2М" (паспорт 2.945.031 ПС), предназначенный для чрескожной электронейростимуляции акупунктурных точек и рефлексогенных зон кожной поверхности человека с целью купирования болевых синдромов различного происхождения.

Недостатком известного устройства является неполноценное использование мультиэлектродной конструкции при воздействии на выступающие части кожной поверхности тела, например мелкие суставы пальцев руки или ноги, или лица, например ухо, нос и т.д., поскольку жестко встроенные штыревые элементы мультиэлектродов не обеспечивают их одновременного касания кожной поверхности сложного профиля.

В основе изобретения поставлена задача создать устройство для рефлексотерапии, устраняющее вышеуказанные недостатки.

Поставленная задача решается тем, что в устройстве для рефлексотерапии, содержащем источник питания, импульсный генератор, активный и пассивный мультиэлектроды с штыревыми элементами, соединенные между собой, причем пассивный мультиэлектрод расположен по периферии активного мультиэлектрода, при этом кратчайшее расстояние между штыревыми элементами пассивного мультиэлектрода и штыревыми элементами активного мультиэлектрода, а также расстояние между рядом расположенными штыревыми элементами активного мультиэлектрода определяется из соотношения l=n•d, где l - кратчайшее расстояние между штыревым элементом пассивного мультиэлектрода и ближайшим штыревым элементом активного мультиэлектрода или расстояние между рядом расположенными штыревыми элементами активного мультиэлектрода, мм, d - расстояние между соседними перехватами Ранвье, мм, n - безразмерный коэффициент, согласно изобретению штыревые элементы активного и пассивного мультиэлектродов выполнены подпружиненными индивидуально и независимо друг от друга.

Расстояние между штыревыми элементами активного мультиэлектрода и между ними и штыревыми элементами пассивного мультиэлектрода соответствует 4-8 расстояниям между перехватами Ранвье, т.е. п=4-8, при этом расстояние между штыревыми элементами 7-12 мм.

Каждый индивидуально подпружиненный штыревой элемент активного и пассивного мультиэлектродов выполнен с возможностью вдавливания внутрь на глубину до 10 мм. Количество индивидуально подпружиненных штыревых элементов должно составлять от 10 до 30 штук для эффективного использования устройства. Благодаря этому достигается плотное прижатие к кожной поверхности большого числа штыревых элементов, этим стабилизируется давление каждого штыревого элемента на кожную поверхность, что делает возможным воздействие на травмированную область с меньшим давлением, т.е. снижается возможность травмирования кожной поверхности и увеличивается комфортность процедуры. Благодаря выравниванию давления штыревых элементов на кожную поверхность стабилизируется контактное сопротивление между штыревым элементом и кожей.

Проводилось клиническое исследование преимуществ заявленного устройства для рефлексотерапии с подпружиненными штыревыми элементами мультиэлектродов в сравнении с известным устройством серийного производства типа "ЧЭНС-2М". Оба устройства использовались для лечения у спортсменов травм, таких как травмы межфаланговых и пястно-фаланговых суставов, носа, области брови, уха.

При этом были выявлены преимущества заявленного устройства перед известным в тех случаях, когда обрабатываемые зоны кожной поверхности имели мелкий, сложный и разновысокий рельеф, при котором жесткая конструкция штыревых элементов известного устройства не позволяла обеспечить контакт достаточного числа штыревых элементов с кожной поверхностью.

Формула изобретения

Устройство для рефлексотерапии, содержащее источник питания, импульсный генератор, активный и пассивный мультиэлектроды с штыревыми элементами, соединенные между собой, причем пассивный мультиэлектрод расположен по периферии активного мультиэлектрода, при этом кратчайшее расстояние между штыревыми элементами пассивного мультиэлектрода и штыревыми элементами активного мультиэлектрода, а также расстояние между рядом расположенными штыревыми элементами активного мультиэлектрода определяется из соотношения l= n•d, где l - кратчайшее расстояние между штыревым элементом пассивного мультиэлектрода и ближайшим штыревым элементом активного мультиэлектрода или расстояние между рядом расположенными штыревыми элементами активного мультиэлектрода, мм, d - расстояние между соседними перехватами Ранвье, мм, n - безразмерный коэффициент, отличающееся тем, что штыревые элементы активного и пассивного мультиэлектродов выполнены подпружиненными независимо друг от друга с возможностью вдавливания их внутрь на глубину до 10 мм, при этом количество подпружиненных элементов составляет от 10 до 30 штук.