Быстродействующий газовый клапан низкого давления

 

Изобретение относится к клапанам и предназначено преимущественно для быстрого и точного регулирования газовой среды накопительных камер инжекторов холодной плазмы, в реакторах для синтеза легких ядер, при давлении газа на входе клапана не более 10 мм ртутного столба. Быстродействующий газовый клапан низкого давления содержит цилиндрическую трубку, выполненную из термостойкого изолятора со встроенными внутрь полости трубки четырьмя металлическими сетками-электродами, служащими для ионизации частиц газа и ускорения их в направлении входа клапана, при этом сетка на входе клапана - катодная сетка - выполнена подогреваемой с целью эмиссии свободных электронов и соединена с минусом источника питания, следующая сетка - управляющая расположена в непосредственной близости от катодной сетки и управляет током ионизации частиц газа, третья от входа клапана сетка - анодная подключена к плюсу источника питания и служит для создания электрических полей в пространстве между катодной и анодной сетками, а также между анодной и экранной сеткой - четвертой сеткой клапана, соединенной с минусом источника питания, а управление клапаном осуществляется с помощью напряжений, подаваемых на сетки клапана. Технический результат - высокое быстродействие и надежность. 2 ил.

Текст описания в факсимильном виде (см. графическую часть)

Формула изобретения

Быстродействующий газовый клапан низкого давления, отличающийся тем, что он представляет собой цилиндрическую трубку, выполненную из термостойкого изолятора (например, стекла или радиофарфора) с встроенными внутрь полости трубки четырьмя металлическими сетками-электродами, служащими для ионизации частиц газа и ускорения их в направлении входа клапана, в его закрытом состоянии, для уравновешивания давления на входе клапана, при этом сетка на входе клапана - катодная сетка выполнена подогреваемой с целью эмиссии свободных электронов и соединена с минусом источника питания, следующая сетка - управляющая расположена в непосредственной близости от катодной сетки и управляет током ионизации частиц газа, третья от входа клапана сетка - анодная подключена к плюсу источника питания и служит для создания электрических полей в пространстве между катодной и анодной сетками, а также между анодной и экранной сеткой - четвертой сеткой клапана, соединенной с минусом источника питания, а управление клапаном осуществляется с помощью напряжений, подаваемых на сетки клапана.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5, Рисунок 6, Рисунок 7, Рисунок 8, Рисунок 9, Рисунок 10



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способу получения многокомпонентного пучка ионов и может быть использовано в установках ионной имплантации и ионного напыления

Изобретение относится к технологическим источникам ионов

Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно - к чувствительным элементам интегральных полупроводниковых преобразователей из монокристаллического кремния, предназначенных для использования в различных областях науки и техники, в частности в медицине

Изобретение относится к области ускорительной техники и может быть использовано для формирования высокоэнергетичных пучков многозарядных ионов различных элементов в установках для ионной имплантации, а также в качестве инжекторов ускорителей тяжелых ионов

Изобретение относится к плазменной технике, а более конкретно к устройствам, предназначенным для получения интенсивных пучков ионов, которые могут использоваться в ионно-лучевых технологиях

Изобретение относится к устройствам электронно-ионной технологии, в частности к газоразрядным устройствам для ионной очистки и травления материалов, и может найти применение при изготовлении элементной базы микроэлектроники из многокомпонентных материалов

Изобретение относится к ионным источникам для циклотронов (внутренним, закрытого типа) и может использоваться в циклотронной технике

Изобретение относится к ионным источникам с закрытым дрейфом электронов, которые могут быть использованы в качестве двигателей, в частности, для космических кораблей, либо в качестве ионных источников для промышленных операций, например нанесение покрытий напыления в вакууме

Изобретение относится к ионным источникам и может быть использовано в масс-спектрометрии для элементного анализа жидкостей и газов, в ионной технологии и т.д

Изобретение относится к технике получения импульсных мощных ионных пучков

Изобретение относится к области электронной техники и может найти применение при изготовлении интегральных схем с большой информационной емкостью методом литографии, а также в других процессах прецизионной обработки поверхности материалов ионным лучом, например нанесение на субстрат рисунков с изменением в нем поверхностных свойств материалов, в частности изменение типа проводимости в полупроводниковых материалах путем внедрения легирующих ионов, изменение других физических свойств материала за счет внедрения одноименных и инородных ионов, создание на поверхности новых слоев в результате осаждения атомов вещества из окружающих паров облака под влиянием падающих ионов, удаление вещества с поверхности субстрата в результате его распыления

Изобретение относится к технике получения ионных пучков, в частности пучков многозарядных, высокозарядных и поляризованных ионов

Изобретение относится к области ускорительной техники и может быть использовано для формирования высокоэнергетичных пучков многозарядных ионов различных элементов в установках для ионной имплантации, а также в качестве инжекторов ускорителей тяжелых ионов

Изобретение относится к клапанам и предназначено преимущественно для быстрого и точного регулирования газовой среды накопительных камер инжекторов холодной плазмы, в реакторах для синтеза легких ядер, при давлении газа на входе клапана не более 10 мм ртутного столба

Наверх