Способ установки приборов на термостатируемых панелях

Изобретение относится к области приборостроения, в частности к способу установки приборов на термостатируемых панелях космических аппаратов. Сущность изобретения: способ установки приборов на термостатируемых панелях включает нанесение теплопроводящего слоя из терморасширенного графита на контактирующую поверхность прибора и/или термостатируемую панель и установку прибора контактирующей поверхностью на термостатируемой панели при помощи крепежных элементов с последующей подпрессовкой теплопроводящего слоя, причем в зонах крепежных элементов между контактирующей поверхностью прибора и термостатируемой панелью устанавливают жесткие прокладки, толщина Н которых определяется по формуле: H=(S-A)×(1-Δ/100), где S - минимальная исходная толщина теплопроводящей прокладки, мм; А - суммарная неплоскостность контактирующей поверхности прибора и термостатируемой панели под ним, мм; Δ - минимально требуемая величина подпрессовки теплопроводящей панели, %. Техническим результатом изобретения является предохранение теплопроводящего слоя от появления остаточных деформаций под действием на прибор статических и динамических нагрузок и уменьшение диапазона степени подпрессовки теплопроводящего слоя.

 

Изобретение относится к области приборостроения, в частности к способу установки приборов на термостатируемых панелях космических аппаратов.

Известен способ установки приборов на установочных панелях, включающий соединение установочной панели с контактирующей поверхностью прибора ("Конструкция и проектирование космических летательных аппаратов" / Под ред. В.В.Сафронова, М.: "Машиностроение", 1986 г.).

Недостатком данного способа установки приборов является малый ресурс приборов из-за недостаточного отвода тепла.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому решению является способ установки приборов на термостатируемых панелях, включающий нанесение теплопроводящего слоя из терморасширенного графита на контактирующую поверхность прибора и/или термостатируемую панель, установку прибора контактирующей поверхностью на термостатируемой панели при помощи крепежных элементов с последующей подпрессовкой теплопроводящего слоя (патент РФ №2142174).

Под действием со стороны прибора на слой терморасширенного графита статических и динамических нагрузок на участке выведения космического аппарата на орбиту в нем вследствие малой прочности могут появиться остаточные деформации, что приведет к ухудшению теплопередачи от основания прибора к термостатирумой панели.

Теплопроводность слоя терморасширенного графита зависит от степени его подпрессовки при установке прибора, которая зависит от площади основания прибора, количества и усилий затяжки крепежных элементов. Это приводит к большому разбросу тепловых характеристик слоя терморасширенного графита и усложняет регулирование параметров системы термостатирования космического аппарата.

Задачей изобретения является предохранение теплопроводящего слоя из терморасширенного графита от появления остаточных деформаций под действием на прибор статических и динамических нагрузок и уменьшение диапазона степени подпрессовки теплопроводящего слоя.

Сущность изобретения заключается в том, что в способе установки приборов на термостатируемых панелях, включающем нанесение теплопроводящего слоя из терморасширенного графита на контактирующую поверхность прибора и/или термостатируемую панель и установку прибора контактирующей поверхностью на термостатируемой панели при помощи крепежных элементов с последующей подпрессовкой теплопроводящего слоя, в отличие от прототипа, в зонах крепежных элементов между термостатируемой панелью и контактирующей поверхностью прибора устанавливают жесткие прокладки, толщина Н которых определяется по формуле:

H=(S-A)×(1-Δ/100),

где S - минимальная исходная толщина теплопроводящей прокладки;

А - суммарная неплоскостность контактирующей поверхности прибора и термостатируемой панели под ним;

Δ - минимально требуемая величина подпрессовки теплопроводящего слоя, %.

Установка жестких прокладок обеспечивает фиксацию прибора относительно термостатированной панели и предохраняет теплопроводный слой от повреждения, передавая статические и динамические нагрузки с прибора на термостатируемую панель.

Техническим результатом предлагаемого изобретения является то, что установка жестких прокладок и затягивание элементов крепления до устранения зазоров между прибором, жесткими прокладками и термостатируемой панелью обеспечивает определенную степень подпрессовки теплопроводящего слоя и соответственно его теплопередающие характеристики.

Предлагаемый способ может быть реализован следующим образом. На контактирующей поверхности прибора, например, массой 10 кг и площадью 75×45 см2 закрепляют теплопроводящий слой из терморасширенного графита в виде прокладки. Прибор монтируют на термостатируемой панели космического аппарата с помощью 12-ти болтов. В зонах болтов в теплопроводящей прокладке вырезают отверстия по размерам жестких, например, металлических прокладок, которые закрепляют на контактирующей поверхности прибора. Прибор устанавливают на термостатируемую панель и припрессовывают его к панели, затягивая болты до устранения зазора между жесткими прокладками и термостатируемой панелью, обеспечивая при этом необходимую величину подпрессовки теплопроводящей прокладки. Толщина жестких прокладок напрямую зависит от величины подпрессовки теплопроводящего слоя из терморасширенного графита и величины неплоскостности между контактирующей поверхностью прибора и поверхностью термостатируемой панели под ним. Отсюда можно сделать вывод, что толщина жестких прокладок Н будет определяется как разность между минимальной исходной толщиной теплопроводящей прокладки и суммарной неплоскостностью, уменьшенной на величину требуемой подпрессовки теплопроводящей прокладки:

H=(S-A)×(1-Δ/100),

где S - минимальная исходная толщина теплопроводящей прокладки, мм;

А - суммарная неплоскостность контактирующей поверхности прибора и термостатируемой панели под ним, мм;

Δ - минимально требуемая величина подпрессовки теплопроводящей панели, %.

Если минимальная исходная толщина теплопроводящей прокладки 1 мм, минимальная требуемая подпрессовка терморасширенного графита составляет Δ=20% (т.е. в результате подпрессовки толщина теплопроводящего слоя должна составить 80% от исходной), а суммарная неплоскостность основания прибора и термостатируемой панели под ним 0,4 мм, то толщина жестких прокладок:

Н=(1-0,4)0,8=0,48 мм.

Предлагаемый способ установки приборов на термостатируемых панелях имеет следующие преимущества:

1) предохраняет теплопроводящий слой при действии на прибор статических и динамических нагрузок;

2) обеспечивает определенную степень подпрессовки теплопроводящего слоя и уменьшает разброс характеристик теплопроводящего слоя;

3) обеспечивает постоянный контакт поверхности прибора, теплопроводящего слоя и термостатируемой панели.

Способ установки приборов на термостатируемых панелях, включающий нанесение теплопроводящего слоя из терморасширенного графита на контактирующую поверхность прибора и/или термостатируемую панель, установку прибора контактирующей поверхностью на термостатируемой панели при помощи крепежных элементов с последующей подпрессовкой теплопроводящего слоя, отличающийся тем, что в зонах крепежных элементов между термостатируемой панелью и контактирующей поверхностью прибора устанавливают жесткие прокладки, толщина Н которых определяется по формуле:

H=(S-A)·(1-Δ/100),

где S - минимальная исходная толщина теплопроводящего слоя, мм;

А - суммарная неплоскостность контактирующей поверхности прибора и термостатируемой панели под ним, мм;

Δ - минимально требуемая величина подпрессовки теплопроводящего слоя, %.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к криогенной технике и может быть использовано при проектировании и производстве электронных микросхем, требующих для обеспечения заданных технических эксплуатационных параметров поддержания рабочих температур как отдельных элементов в составе электронной микросхемы, так и целых функциональных блоков на криогенном уровне.

Изобретение относится к охлаждающим системам и может быть использовано для централизованного охлаждения различного рода устройств. .

Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию, а более конкретно к устройствам, обеспечивающим поддержание температуры образцов в широком диапазоне при измерении и других технологических операциях в сканирующих зондовых микроскопах (СЗМ).

Изобретение относится к электротехники, а именно к полупроводниковой технике, и может использоваться в статистических преобразователях электрической энергии. .

Изобретение относится к электротехнической промышленности, в частности к охлаждению радиоэлектронной аппаратуры. .

Изобретение относится к электротехнике, а именно к преобразовательной технике, и может использоваться в статических преобразователях электрической энергии. .

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для обеспечения требуемых тепловых режимов элементов радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) с высокими тепловыделениями.

Изобретение относится к области теплорегулирования, в частности к теплоотводу приборов, и может быть использовано, например, для охлаждения полупроводниковых приборов и их элементов в наземных условиях в любой отрасли промышленности и в условиях невесомости на космических аппаратах.

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике, более конкретно - к микроприборам, в которых требуется поддержание заданной, повышенной по сравнению со средой температуры.

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано для охлаждения тепловыделяющих элементов микропроцессорного устройства

Изобретение относится к электронике и может быть использовано в комплексе бортового оборудования летательных аппаратов при компоновке модулей, содержащих большое количество электрических связей

Изобретение относится к устройствам для отвода тепла от электронных компонентов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для монтажа и одновременно для отвода тепла от активных элементов как отдельных изделий электронной техники, так и радиоэлектронных устройств различного назначения

Изобретение относится к области электроники, в частности к устройству отвода теплоты от кристалла полупроводниковой микросхемы, и может быть использовано для охлаждения кристаллов процессоров и полупроводниковых микросхем, выделяющих при работе тепловую энергию

Изобретение относится к измерительной технике, более конкретно к устройству измерения перемещений, имеющих большое значение в робототехнике, прецизионных механизмах при эксплуатации сооружений и металлоконструкций и т.д

Изобретение относится к способам охлаждения и теплоотвода, например к способам охлаждения компьютерного процессора

Изобретение относится к устройствам для отвода тепла от электронных компонентов

Изобретение относится к средствам защиты микроэлектронного оборудования от внешних разрушающих факторов, таких как высокотемпературные огневые воздействия, ударные перегрузки, статические давления, а также от длительного воздействия повышенной температуры, и может быть использовано при создании защищенных бортовых накопителей полетной информации для самолетов и вертолетов, а также защищенных накопителей информации для других транспортных средств
Наверх