Травитель для обработки поверхности полупроводников

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

232003

Союз Советскив

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 11.VI11.1967 (№ 1179111/22-1) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 28.Х1.1968. Бюллетень ¹ 36

Дата опубликования описания 24.11 .1969

1<л. 48дт, 3/00

Комитет ао делам изобретений и открытий ори Совете Министров

СССР

МПК С 23f

УДК 621.794.422:669,872 (088.8) Авторы изобретения

Э. И. Бриллиантов и И. И. Наслузов

Заявитель

TPA8H 1 EËÜ ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ

ПОЛ УП РОВОДН И КО В

Известный травптель на основе винной кислоты и перекиси водорода для травления антимонида индия имеет небольшую скорость травлсния.

Предложенный травитель отличается от известного тем, что, с целью улучшения качества и увеличения скорости травления, в раствор вводят азотную и плавиковую кислоты при следующем соотношении компонентов (в объемах): винная кислота (26 — 27%) 20 пер еки сь водорода (30%) 7 азотная кислота (65%) 1

inлавиковая кислота (40%) 1

Предложенный травитель используют при травлении образцов антимонида индия р- и п-типов ориентированных по плоскости (110) и (100). При комнатной температуре скорость травления составляет 3,5 — 4,5 лг/сит- лшн, прп этом получают ровную зеркально-полированную повер.хность

Предмет изобретения

Травитель для обработки поверхности полу,проводников, на|пример антимонида индия, на основе винной кислоты и перекиси водорода, тО отличающийся тем, что. с целью увеличения скорости и улучшения качества травления, в раствор вводят азотную и плавиковую кислоты, при следующем соотношении компонентов (в объемах): винная кислота (26 — 27% ) 20 перекись водорода (30 „, ) 7 азотная кислота (65",, ) 1 плавиковая кислота (40%) 1

Травитель для обработки поверхности полупроводников 

 

Наверх