Устройство для измерения переходных характеристик полупроводниковых приборов

 

C%. »

1 ъ Д

Нате:

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

234524

Сок1э Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства М

Заявлено 16.Х,1967 (№ 1191648/26-25) с присоединением заявки М

Приоритет

Опубликовано 10.Е1969. Бюллетень ¹ 4

Дата опубликования описания 22Л .1969

Кл. 21g, 11/02

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

МПК H 01l

4 Д1 621.31 г.31.014.33 (088.8)

621.382.2/.3 (088.8) Автор изобретения

M. О. Рацун

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПЕРЕХОДНЫХ

ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Изобретение относится к измерительной технике.

Данное устройство предназначено для измерения временных параметров транзисторов и диодов в наносекундном диапазоне.

Известны устройства для измерения переходных характеристик полупроводниковых приборов в наносекундном диапазоне, содержащие блок стробоскопического преобразователя выходного сигнала, снимаемого с полупроводникового прибора, блок генератора импульсов с выходом для подключения испытуемого полупроводникового прибора, блок генератора стробирующих импульсов, блок автоматического сдвига синхроимпульсов, блок измерения интервалов времени.

Недостатком этих устройств является низкая производительность.

Предлагаемое устройство отличается тем, что, с целью автоматизации измерения параметров и повышения разрешающей способно.сти, к выходу генератора стробирующих импульсов подсоединен стробоскопический преобразователь сигнала, поступающего на испытуемый полупроводниковый прибор. Выход преобразователя присоединен к блоку формирования импульсных напряжений начала отсчета интервала времени, выход которого подсоединен к блоку измерения интервала времени, содержащему переключатель каналов и цифровой индикатор. Сюда же подсоединен блок формирования импульсного напряжения конца отсчета, соединенный с выходом блока стробоскопического преобразователя сигнала, 5 снимаемого с испытуемого полупроводникового прибора. Блок измерения интервалов времени подсоединен к генератору импульсов, а

Выход блока подключен к блоку задержки синхроимпульсов, соединенному через блок ав10 томатического сдвига синхроимпульсов с блоком формирования импульсов запрета. Выходы последнего подсоединены к блоку формирования импульсов начала отсчета и блоку формирования импульсов конца отсчета.

На чертеже представлена структурная схема описываемого устройства.

Устройство содержит блоки 1 и 2 стробоскопическпх преобразователей, входные клеммы

20 3 и 4 которых предназначены для подключения испытуемого полупроводникового прибора, блок 5 генератора импульсов с выходом 6 для подключения испытуемого прибора, блок 7 задержки синхроимпульсов, блок 8 автоматиче25 ского сдвига синхропмпульсов, блок 9 генератора стробоимпульсов, блок 10 формирования импульсов начала отсчета, блок 11 формирования импульсов конца отсчета, блок 12 формирования импульсов запрета, блок 13 цифро.

30 вого измерителя интервалов времени.

234524

Принцип действия устройства основан на определении временных параметров полупроводникового прибора автоматическим сравнением трансформированных во времени с помощью стробоскопических преобразователей входного сигнала, поступающего на испытуемый полупроводниковый прибор, и выходногQ сигнала, снимаемого с этого прибора.

Импульсные напряжения, обеспечивающие начало отсчета интервалов времени, формируются блоком 10 из переднего и заднего фронтов преобразованного входного сигнала, импульсы конца отсчета формируются блоком 11 в момент, когда амплитуда выходного сигнала достигает заданного значения.

Блок 12 формирования импульсов запрета приводит в рабочее состояние схемы формирования импульсов начала и конца отсчета и нейтрализует влияние помех на их работу.

Интервалы времени измеряются блоком 13 с цифровым отсчетом, который имеет четыре канала с общим трехразрядным индикаторным устройством. Каждый канал предназначен для измерения одного из четырех интервалов времени (времени задержки, нарастания, рассасывания, спада) и имеет отдельный вход для импульса, разрешающего счет, и для импульса, прекращающего счет. Переключаются каналы автоматически. Счетным импульсом является входной сигнал, поступающий на испытуемый полупроводниковый прибор.

Одновременно с переключением каналов может изменяться время задержки сигнала синхронизации блоком 7 задержки синхроимпульсов. Таким образом, стробирование входного и выходного импульсов может начаться в требуемый момент времени. Это позволяет исследовать импульсное напряжение по частям, применяя малый шаг считывания, т. е. увеличивая разрешающую способность устройства.

Устанавливаемый порог срабатывания схемы формирования импульса конца отсчета зависит от известных величин источника питания

40 коллектора испытуемого транзистора и остаточного коллекторного напряжения.

Предмет изобретения

Устройство для измерения переходных характеристик полупроводниковых приборов в наносекундном диапазоне, содержащее блок стробоскопического преобразователя сигнала, снимаемого с испытуемого полупроводникового прибора, блок генераторов импульсов с выходом для подключения испытуемого полупроводникового прибора, блок генератора стробирующих импульсов, блок автоматического сдвига синхроимпульсов, блок измерения интервалов времени, отлича ощееся тем, что, с целью автоматизации измерения параметров и повышения разрешающей способности устройства, к выходу генератора стробирующих импульсов подсоединен стробоскопический преобразователь сигнала, поступающего на испытуемый полупроводниковый прибор, выход этого преобразователя присоединен к блоку формирования импульсных напряжений начала отсчета интервала времени, выход которого подсоединен к блоку измерения интервала времени, содержащему переключатель каналов и цифровой индикатор, сюда же подсоединен блок формирования импульсного напря;кения конца отсчета, соединенный с выходом блока стробоскогшческого преобразователя сигнала, снимаемого с испытуемого полупроводникового прибора, кроме того, блок измерения интервалов времени подсоединен к генератору импульсов, а выход блока подсоединен к блоку задержки спнхроимпульсов, соединенному, в свою очередь, через блок автоматического сдвига синхроимпульсов с блоком формирования импульсов запрета, выходы которого подсоединены к блоку формирования импульсов начала отсчета и блоку формирования импульсов конца отсчета.

234524

Составитель Г. Д. Петрова

Тскрсд Л. Я. Левина

Корректор С. М. Сигал

Редактор Б. Б. Федотов

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 662г8 Тира>к 165 Поди ис . t oc

Ц11И11П1! 1(омитста по делам изобретений и открытий при Совете Мшшстров CC(1

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Устройство для измерения переходных характеристик полупроводниковых приборов Устройство для измерения переходных характеристик полупроводниковых приборов Устройство для измерения переходных характеристик полупроводниковых приборов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх